壓控振蕩電路如圖所示。555、R1、R2、C1～C3及VT1組成一個(gè)壓控多諧振蕩器，場(chǎng)效 應(yīng)管(JFET)VT，作為壓控電阻，通過(guò)改變其門一源電壓VGs可改變VT-的漏(D)、源(S)間的阻抗。接在VT。的D、S的耦合電容C1、C2，用于防止其余電路的直流電壓對(duì)JFET的影響。為不使耦合電容影響時(shí)基電路的充、放電時(shí)間，C1、C2的大小宜選為定時(shí)電容C3容值的10倍。該電路的優(yōu)點(diǎn)在于：通過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管門一源問(wèn)電壓VGs的變化，使VT1形成一個(gè)可調(diào)范圍很大的可變電阻Rx(可大至幾百kΩ)，從而獲得極大的占空比和周期的變化。
