IGBT的柵極出現(xiàn)過(guò)壓的原因: 1.靜電聚積在柵極電容上引起過(guò)壓. 2.電容密勒效應(yīng)引起的柵極過(guò)壓. 為防止IGBT的柵極-發(fā)射極過(guò)壓情況發(fā)生,應(yīng)在IGBT的柵極與發(fā)射極之間并接一只幾十千歐的電阻,如上圖所示.此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極.
IGBT的柵極出現(xiàn)過(guò)壓的原因: 1.靜電聚積在柵極電容上引起過(guò)壓. 2.電容密勒效應(yīng)引起的柵極過(guò)壓. 為防止IGBT的柵極-發(fā)射極過(guò)壓情況發(fā)生,應(yīng)在IGBT的柵極與發(fā)射極之間并接一只幾十千歐的電阻,如上圖所示.此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極.
Copyright ? 2005-2024 華北計(jì)算機(jī)系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號(hào)-2