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羅姆開發(fā)出業(yè)界頂級(jí)的超低VF 小型肖特基勢(shì)壘二極管

小型封裝實(shí)現(xiàn)大電流化,有助于智能手機(jī)等更加節(jié)省空間
2012-11-02

 

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)面向智能手機(jī)等便攜設(shè)備開發(fā)出業(yè)界頂級(jí)的低VF小型肖特基勢(shì)壘二極管“RBE系列”。

本產(chǎn)品已經(jīng)以月產(chǎn)500萬個(gè)的規(guī)模開始量產(chǎn),隨著客戶采用的增加,從2012年9月份開始將產(chǎn)能擴(kuò)充為每月1000萬個(gè)。

此次,產(chǎn)品陣容中新增了更加小型的VML2封裝(1.0×0.6mm)。通過這些產(chǎn)品,將非常有助于便攜設(shè)備節(jié)省空間。

生產(chǎn)基地位于ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)、ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律賓)、ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.(天津)、ROHM Semiconductor Korea Corporation(韓國)、ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(馬來西亞)。

 

近年來,智能手機(jī)等便攜設(shè)備的多功能化日益加速,對(duì)電池的長時(shí)間驅(qū)動(dòng)需求強(qiáng)勁。降低耗電量成為首要課題,電源電路日趨向低電壓、大電流化方向發(fā)展。為此,電源電路中采用的肖特基勢(shì)壘二極管需要低VF且平均整流電流較高的產(chǎn)品。但是,為了降低VF并且實(shí)現(xiàn)大電流化,需要增加芯片尺寸,因此很難滿足對(duì)“小型”的需求。

此次羅姆通過優(yōu)化二極管的元件結(jié)構(gòu),大幅改善了電流效率。與以往的相同封裝產(chǎn)品相比,VF降低了約32%,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低VF。由此,可以大幅抑制施加正向電流所產(chǎn)生的發(fā)熱,相同封裝也可確保大電流。

另外,由于確保了大電流,可以實(shí)現(xiàn)比以往封裝產(chǎn)品更加小型封裝的設(shè)計(jì)(在相同額定電流下相比),最大安裝面積消減了約80%。

羅姆今后會(huì)不斷追求更加小型、低VF、大電流化,不斷完善滿足客戶需求的產(chǎn)品陣容。

 

<特點(diǎn)>

1)  小型封裝,確保大電流

業(yè)界頂級(jí)的低VF,以小型封裝可確保大電流。

2)  最大可節(jié)約80%的空間

確保大電流,可實(shí)現(xiàn)相同尺寸更加小型封裝的設(shè)計(jì)。

 

<智能手機(jī)電路例>

 

<規(guī)格>

 

<術(shù)語解說>

?VF ( Forward Voltage)

正向電流經(jīng)過時(shí)二極管產(chǎn)生的電壓值。數(shù)值越小功耗越少。

 

?平均整流電流(Io)

指定條件下,正向流動(dòng)所得到的最大平均電流

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