TOPSwitchGX屬于高性價比的單片開關(guān)電源" title="開關(guān)電源">開關(guān)電源。下面介紹利用特性曲線快速選擇TOPSwitchGX芯片并估算電源效率" title="電源效率">電源效率η和芯片功耗PD的方法。快速設(shè)計法可為設(shè)計單片開關(guān)電源提供重要依據(jù)。
1快速選擇TOPSwitchGX芯片的方法
TOPSwitchGX的交流輸入方式有兩種:寬范圍輸入(交流85V~265V,亦稱世界通用的供電電壓輸入),固定輸入(交流230V±15%,亦稱單一供電電壓輸入)。下面介紹四種快速選擇曲線及其使用方法和設(shè)計實例。
1.1寬范圍輸入時PD與η、PO的關(guān)系曲線
TOPSwitchGX系列產(chǎn)品在寬范圍輸入條件下,當輸出電壓UO=+5V、+12V時,PD與η、輸出功率(PO)的關(guān)系曲線,分別如圖1、圖2所示?,F(xiàn)規(guī)定以下條件:開關(guān)頻率f=132kHz;交流輸入電壓U=85V~265V;輸入濾波電容" title="濾波電容">濾波電容CIN的容量按3μF/W的比例系數(shù)選??;初級感應(yīng)電壓UOR=135V;漏極鉗位電壓UB=200V,漏極鉗位電路中可以并聯(lián)上RC網(wǎng)絡(luò),以減少瞬態(tài)電壓抑制器的損耗;輸出整流管" title="整流管">整流管采用肖特基二極管,5V輸出時正向壓降為0.45V、反向耐壓為45V;12V輸出時分別為0.54V、100V;TOPSwitchGX在額定輸出時的最低結(jié)溫" title="結(jié)溫">結(jié)溫Tjmin=100℃(僅Y封裝為110℃)。圖中,橫坐標代表PO,縱坐標代表η。所給出的八條實線依次對應(yīng)于TOP242~TOP249的電源效率,虛線則表示芯片功耗的等值線。圖中的陰影區(qū)對應(yīng)于輸出電流IO>10A的情況,若要使用該區(qū)域內(nèi)的曲線部分,應(yīng)選更大功率的輸出整流管并增加濾波電容的容量,此時電源效率會降低些。
圖1寬范圍輸入、5V輸出時PD與η、PO的關(guān)系曲線
圖2寬范圍輸入、12V輸出時PD與η、PO的關(guān)系曲線
圖3固定輸入、5V輸出時PD與η、PO的關(guān)系曲線
1.2固定輸入時PD與η、PO的關(guān)系曲線
TOPSwitchGX系列產(chǎn)品在固定輸入條件下,當UO=+5V、+12V時,PD與η、PO的關(guān)系曲線,分別如圖3、圖4所示。這里假定U=230V±15%,CIN的容量按1μF/W的比例系數(shù)選取。其余條件同上。
1.3快速選擇曲線的使用方法
利用上述曲線能快速選擇TOPSwitchGX芯片,并得到電源效率和芯片功耗的估計值,也為選擇散熱器提供了依據(jù)。由于這些曲線反映了PD、η、PO參數(shù)的內(nèi)在聯(lián)系,因此所得到的估計值是可信的。
使用快速選擇曲線的方法如下:
(1)根據(jù)預先確定好的U、UO值,選擇適用的特性曲線;
(2)從橫坐標上查出所預期的輸出功率點(PO);
(3)沿此功率點垂直向上移動,直到與第一條實
曲線相交;
(4)讀出該交點對應(yīng)于縱坐標的電源效率值;
(5)確定該效率值是否滿足設(shè)計要求,如不滿足,再向上移動查找其他曲線;
(6)從虛線(等值線)上讀出所選芯片的功耗PD,供設(shè)計散熱器時參考。
最后再利用電子數(shù)據(jù)表格或PI專家系統(tǒng)完成整個開關(guān)電源的設(shè)計工作。
需要指出,設(shè)計人員所預期的輸出功率值可能對應(yīng)于幾種不同型號的芯片。此時從橫坐標垂直上移時所遇到的第一條實曲線,就代表輸出功率最小、成本最低的TOPSwitchGX芯片,而遇見的最后一條實曲線,則表示功率最大、效率最高、價格較貴的芯片。應(yīng)根據(jù)實際情況合理地選擇。此外,若UO為5V~12V中間的某一數(shù)值,則可用外插法從兩條曲線中間找一個合適的工作點。注意,適當提升輸出電壓可以提高電源效率。例如在一個通用型12V、70W的設(shè)計曲線中,用TOP249Y估計有79.5%的效率,若將輸出電壓提升到19V,效率就將達到85%。而由TOP249Y構(gòu)成交流230V輸入、輸出為48V、250W的敞開式開關(guān)電源,其效率可達84.5%。
1.4應(yīng)用實例
例1設(shè)計一個寬范圍輸入、輸出為5V、30W的開關(guān)電源
從圖1所示曲線上可以查出,當PO=30W時可選TOP244芯片。此時交點所對應(yīng)的電源效率為67.5%,TOP244的功耗為3.5W。若采用TOP245芯片,則效率可提高到70.5%,功耗也降至2.5W。當PD=1.5W時,可選Y封裝的芯片。
例2設(shè)計一個寬范圍輸入、輸出為12V、12W的電源適配器
由圖2上可以查出,適合PO=12W的芯片型號有兩種:TOP243、TOP244。所不同的是選擇TOP243時,η=82%,PD=0.7W;若選TOP244,則η=83%,PD=0.5W,考慮到電源適配器密封在塑料盒內(nèi),散熱條件較差,要求Tjmin≤100℃。對于DIP8B封裝的芯片,在印制板上用232mm2敷銅箔作散熱器時,其芯片結(jié)溫到周圍空氣的總熱阻RθA=35℃/W。假定最高環(huán)境溫度TAM=50℃,塑料盒內(nèi)還有大約20℃的溫升△T,即盒內(nèi)溫度T'A=TAM+△T=70℃。根據(jù)下式可計算出額定輸出時芯片的最低結(jié)溫:
圖4固定輸入、12V輸出時PD與η、PO的關(guān)系曲線
表2寬范圍輸入、12V輸出時關(guān)鍵元件的典型參數(shù)
參數(shù) | TOP242 | TOP243 | TOP244 | TOP245 | TOP246 | TOP247 | TOP248 | TOP249 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LP(μH) | 2780 | 1358 | 923 | 693 | 462 | 346 | 277 | 231 |
LP0(μH) | 1.5 | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 1.0 |
f0(kHz) | 750 | 800 | 850 | 900 | 950 | 1000 | 1050 | 1100 |
ZP(mΩ) | 2400 | 1200 | 800 | 600 | 700 | 500 | 400 | 300 |
ZS(mΩ) | 30 | 15 | 10 | 8 | 6 | 4 | 3 | 2 |
PL(mW) | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
表1寬范圍輸入、5V輸出時關(guān)鍵元件的典型參數(shù)
參數(shù) | TOP242 | TOP243 | TOP244 | TOP245 | TOP246 | TOP247 | TOP248 | TOP249 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LP(μH) | 2780 | 1385 | 923 | 693 | 462 | 346 | 277 | 231 |
LP0(μH) | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 |
f0(kHz) | 750 | 800 | 850 | 900 | 950 | 1000 | 1050 | 1100 |
ZP(mΩ) | 2000 | 1060 | 700 | 600 | 500 | 300 | 200 | 100 |
ZS(mΩ) | 12 | 6 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0.75 | 0.5 |
PL(mW) | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
Tjmin=T'A+RθA·PD
對TOP243P而言,PD=0.7W時,Tjmin=70+35×0.7=94.5℃<100℃。對于TOP244P,PD=0.5W時不難算出Tjmin=87.5℃。因此,如果塑料盒內(nèi)沒有足夠的空間安裝散熱器時,選擇TOP244P就更為適合。
例3設(shè)計一個寬范圍輸入、輸出為12V、70W的開關(guān)電源
由圖2可見,有4種芯片可滿足要求:TOP246Y(效率73.8%,功耗8W);TOP247Y(效率77%,功耗5.5W);TOP248Y(效率78.5%,功耗4.5W);TOP249Y(效率79.5%,功耗3.9W)。顯然,選擇TOP249Y時電源效率最高,而器件的功耗為最低,但其價格要稍貴些。
2關(guān)鍵元件的典型參數(shù)值
TOPSwitchGX在寬范圍輸入、輸出為5V或12V時,關(guān)鍵元件的典型參數(shù)值分別見表1和表2,所列數(shù)據(jù)可供設(shè)計開關(guān)電源時參考。表中,LP、LP0分別為高頻變壓器初級電感量和初級漏感量,f0是次級開路時高頻變壓器的諧振頻率,ZP、ZS依次為初級和次級繞組的交流阻抗,PL為磁芯的功率損耗。
3設(shè)計注意事項
必須指出,TOPSwitchGX的快速設(shè)計法旨在提供設(shè)計開關(guān)電源的正確途徑,所得到的PD、η參數(shù)均為估計值。最終能否達到設(shè)計指標,還受諸多因素的影響。下面闡述設(shè)計過程中的一些注意事項。
3.1造成開關(guān)電源性能指標降低的主要因素
(1)當輸入濾波電容CIN的容量存在負偏差或因電容衰老而使容量減小時,會導致直流輸入電壓UI降低,初級有效值電流增大,使可用芯片的選擇范圍減?。?/p>
(2)受制造工藝的限制,高頻變壓器的初級電感量LP可能有較大的偏差。LP過大,需增大高頻變壓器的尺寸;而LP過小,會使初級脈動電流和有效值電流增大,增加芯片的功耗,要采用較大功率的TOPSwitchGX芯片;
(3)快速選擇曲線僅適合于交流輸入為正弦波。當電網(wǎng)波形有嚴重失真時,會導致整流濾波后的UI降低,有可能使芯片欠壓保護。此時應(yīng)增大輸入濾波電容CIN的容量,或者降低PO值;
(4)初級感應(yīng)電壓UOR對電源效率有很大影響。UOR太高,不僅會增加鉗位保護電路的功耗,還容易燒毀鉗位二極管,進而損壞TOPSwitchGX芯片。另外,UOR過低,會降低輸出功率和電源效率;
(5)低壓輸出時,要求輸出濾波電容COUT的等效串聯(lián)電阻(ESR)必須很低,以免增加次級損耗;
(6)為提高電源效率,必須減小高頻變壓器的初級漏感LP0。正確的設(shè)計應(yīng)使LP0/LP的比值不超過1%~1.5%。否則,應(yīng)改進高頻變壓器的結(jié)構(gòu)和制造工藝。測量LP0時,應(yīng)先把次級繞組短路,再用數(shù)字電感表或RLC自動測量儀測量初級繞組兩端的漏感《電源技術(shù)應(yīng)用》2001年9月第9期
量;
(7)開關(guān)電源的效率愈低,表明芯片功耗愈大。當效率過低時有可能從快速曲線上查不到任何一條實曲線,此時虛線亦失效,這證明設(shè)計不合理,需重新設(shè)計。
3.2提高開關(guān)電源性能指標的方法
(1)前面提到CIN的每W電容量推薦值,只是能滿足設(shè)計指標并降低電容器成本的基本條件。但就電源效率和CIN的使用壽命而言,適當提高每W的電容量值,定能達到更好的性能指標,只是CIN的容量增大了,成本也會相應(yīng)增加;
(2)若已確信開關(guān)電源總處于低壓輸入情況,可適當提高鉗位電壓UB和感應(yīng)電壓UOR。這樣雖然會增大次級峰值電流ISP,卻能提高總的電源效率并降低芯片功耗。令輸出整流管的反向耐壓值為U(BR)S,有下述關(guān)系式:UOR↑→D↓→IRMS↓→Tjmin↓→U(BR)S↓。這就便于選擇低耐壓、高效率的肖特基二極管作整流管;(3)對于TOPSwitchGX芯片,可得到兩個互相獨立的最大輸出功率值。一個是通過設(shè)定工作參數(shù)(例如Dmax、)而得到的;另一個是由芯片最低結(jié)溫Tjmin所決定的熱狀態(tài)下最大輸出功率??焖龠x擇曲線未考慮Tjmin的限制,而后者可能使設(shè)計的輸出功率低于芯片最大輸出功率,此時可相應(yīng)增加初級電感量并改善散熱條件。將電源適配器設(shè)計在連續(xù)模式下工作,能夠降低芯片的功耗;
(4)使用快速選擇曲線的條件之一是TOPSwitchGX在低于100℃結(jié)溫下工作。如能在較低的結(jié)溫下工作,會改善其輸出特性。此外,適當增加散熱器面積,也有助于提高電源效率和輸出功率。