1單片開關(guān)電源的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
1.1電源效率的選定
開關(guān)電源效率(η)是指其輸出功率(PO)與輸入功率(PI)(即總功率)的百分比。需要指出,單片開關(guān)電源的效率隨輸出電壓(UO)的升高而增加。因此,在低壓輸出時(UO=5V或3.3V),η可取75%;高壓輸出時(UO≥12V),η可取85%。在中等電壓輸出時(5V因電源效率η=PO/PI,故開關(guān)電源的總功耗PD=PI-PO=-PO=·PO(1)
PD中包括次級電路功耗和初級電路功耗。重要的是應(yīng)知道初、次級功耗是如何分配的。損耗分配系數(shù)(Z)即反映出這種關(guān)系。
設(shè)初級功耗為PP,次級功耗為PS,則PP+PS=PD,Z=PS/PD,而1-Z=PP/PD。需要注意的是,次級功耗與高頻變壓器傳輸功率的大小有關(guān),而初級鉗位二極管的功耗應(yīng)歸入次級功耗之中。這是因?yàn)檩斎牍β试诼O電壓被鉗位之前,已被高頻變壓器傳輸?shù)酱渭壍木壒省?/p>
1.2如何計(jì)算輸入濾波電容的準(zhǔn)確值
輸入濾波電容的容量是開關(guān)電源的一個重要參數(shù)。CIN值選的過小,會使UImin值大大降低,而輸入脈動電壓UR卻升高。但CIN值取得過大,會增加電容器成本,而且對于提高UImin值和降低脈動電壓的效果并不明顯。下面介紹計(jì)算CIN準(zhǔn)確值的方法。
交流電壓u經(jīng)過橋式整流和CIN濾波,在u=umin情況下的輸入電壓波形如圖1所示。該圖是在PO=POM,fL=50Hz(或60Hz)、整流橋的響應(yīng)時間tc=3ms、η=80%的情況下繪出的。由圖可見,在直流高壓UImin上還要疊加上一個幅度為UR的初級脈動電壓,這是CIN在充放電過程中形成的。
欲獲得CIN的準(zhǔn)確值,可按下式進(jìn)行計(jì)算:CIN=(2)
圖1交流電壓為最小值時的輸入電壓波形
圖2正向恢復(fù)時間的電壓波形
圖3TOPSwitchⅡ等系列在230V交流輸入時各電壓參數(shù)的電位分布
舉例說明,在寬范圍電壓輸入時,umin=85V。取UImin=90V,fL=50Hz,tc=3ms,假定PO=30W,η=80%,一并帶入式(2)中求出CIN=84.2μF,比例系數(shù)CIN/PO=84.2μF/30W=2.8μF/W,這恰好在(2~3)μF/W允許的范圍之內(nèi)。
1.3初級各電壓參數(shù)的電位分布情況
下面詳細(xì)介紹輸入直流電壓的最大值UImin、初級感應(yīng)電壓UOR、鉗位電壓UB與UBM、最大漏極電壓
UDmax、漏源擊穿電壓U(BR)DS這6個電壓參數(shù)的電位分
布情況,使讀者能有一個定量的概念。
對于TOPSwitchⅡ系列單片開關(guān)電源,其功率開
關(guān)管的漏源擊穿電壓U(BR)DS≥700V,現(xiàn)取下限值700V,
其感應(yīng)電壓UOR=135V。本來初級鉗位二極管的鉗位電壓UB只需取135V,即可將疊加在UOR上由漏感而造成的尖峰電壓吸收掉,實(shí)際卻不然。手冊中給出UB參數(shù)值僅表示工作在常溫、小電流情況下的數(shù)值。實(shí)際上鉗位二極管(即瞬態(tài)電壓抑制器TVS)還具有正向溫度系數(shù),它在高溫、大電流條件下的鉗位電壓UBM要遠(yuǎn)高于UB。實(shí)驗(yàn)表明,二者存在下述關(guān)系:
UBM≈1.4UB(3)
這表明UBM大約比UB高40%。此外,為防止鉗位二極管對初級感應(yīng)電壓UOR也起到鉗位作用,所選用的TVS鉗位電壓應(yīng)按下式計(jì)算:
UB=1.5UOR(4)
此外,還須考慮與鉗位二極管相串聯(lián)的阻塞二極管VD1的影響。VD1一般采用超快恢復(fù)二極管(SRD),其特征是反向恢復(fù)時間(trr)很短。但是VD1在從反向截止到正向?qū)ㄟ^程中還存在著正向恢復(fù)時間(tfr),還需留出20V的電壓余量。正向恢復(fù)時間定義為:給二極管施加一個正向瞬態(tài)電壓,使之從電流為零的反向電壓偏置狀態(tài)轉(zhuǎn)入正向電壓偏置狀態(tài),直到管子的正向電壓恢復(fù)到規(guī)定值所需要的時間間隔。設(shè)二極管正向壓降的典型值為UF,這里講的規(guī)定值即為1.1UF。正向恢復(fù)時間的電壓波形如圖2所示。由圖可見,當(dāng)給二極管加上正向瞬態(tài)電壓時,管子由截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變成導(dǎo)通狀態(tài)的過程如下:管子的正向電壓首先要從零上升到0.1UF,然后達(dá)到峰值電壓UFM,再下降到1.1UF。規(guī)定從0.1UF恢復(fù)到1.1UF所需時間,即為正向恢復(fù)時間。需要注意,正向恢復(fù)時間(tfr)和反向恢復(fù)時間(trr)屬于兩個性質(zhì)不同的特征參數(shù)。
考慮上述因素之后,TOPSwitchⅡ的最大漏源極
電壓的經(jīng)驗(yàn)公式應(yīng)為:
UDmax=UImax+1.4×1.5UOR+20V(5)TOPSwitchⅡ各系列在230V交流固定輸入時,初級電壓參數(shù)對應(yīng)于波形的分布情況如圖3所示。此時u=230V±35V,即umax=265V,UImax=umax≈375V,UOR=135V,UB=1.5UOR≈200V,UBM=1.4UB=280V,UDmax=675V,最后再留出25V的電壓余量,因此U(BR)DS=700V。實(shí)際上U(BR)DS也具有正向溫度系數(shù),當(dāng)環(huán)境溫度升高時U(BR)DS也會升高,上述設(shè)計(jì)就為芯片耐壓值提供了額外的余量。
1.4根據(jù)IP值選擇芯片的方法
單片開關(guān)電源的極限電流最小值ILIMIT(min),均是針對室溫情況下定義的。若芯片工作在比較高的溫度下,其額定值應(yīng)減小10%,因此通常取初級峰值電流IP=0.9ILIMIT(min)。這表明在選擇芯片時,可先將IP除以0.9,轉(zhuǎn)換成ILIMIT(min)值,從有關(guān)參數(shù)表中查出符合上述要求且與該數(shù)值最為接近的TOPSwitch芯片。
在PO確定之后,采用連續(xù)模式能降低IP,允許使用功率較小的芯片。若要減小磁芯及高頻變壓器的尺寸,應(yīng)適當(dāng)增加初級脈動電流IR與峰值電流IP的比值KRP。KRP的取值范圍是0~1.0。KRP愈大,磁芯尺寸愈小,其代價(jià)是需采用輸出功率較大的芯片。另外,增大KRP值還意味著開關(guān)電源要向不連續(xù)模式過渡,此時初級電感量LP↓,IP↑,IRMS↑,導(dǎo)致η↓。因此,在選擇KRP值時應(yīng)權(quán)衡利弊,要在減小磁芯尺寸與保證盡量高的效率這二者之間,確定最優(yōu)設(shè)計(jì)方案。
2電子數(shù)據(jù)表格的結(jié)構(gòu)
在用計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)單片開關(guān)電源時,需借助于電子數(shù)據(jù)表格才能完成。這種表格的內(nèi)容以高頻變壓器設(shè)計(jì)為主,其它外圍電路及關(guān)鍵元器件參數(shù)計(jì)算為輔。單路輸出式開關(guān)電源的電子數(shù)據(jù)表格共分6列。A列代表輸入和輸出的參數(shù)。B列中是由用戶輸入的數(shù)據(jù)。C列為計(jì)算過程中保留的數(shù)據(jù),這些數(shù)據(jù)可作為中間變量,在前、后設(shè)計(jì)步驟中交叉使用。D列為計(jì)算結(jié)果。E列給出的是單位(SI制)。F列是對參數(shù)的說明。
舉例說明:由TOP222Y構(gòu)成的7.5V、15W單片開關(guān)電源模塊,其交流輸入電壓范圍是85V~265V,電壓調(diào)整率SV=±0.5%(85V~265V),負(fù)載調(diào)整率SI=±1%(負(fù)載電流從滿載的10%變化到100%),輸出紋波電壓最大值為±50mV。表1給出該模塊所對應(yīng)的電子數(shù)據(jù)表格,可供讀者在設(shè)計(jì)開關(guān)電源時參考。需要指出,在設(shè)計(jì)和使用電子表格時,還可根據(jù)實(shí)際電路的要求,適當(dāng)增加一些參數(shù)。例如在第16行下面插入TOPSwitch的極限電流最大值ILIMIT(max)參數(shù),并注明由此選定的芯片型號,作為新的17行,原17行就改為18行,依次順延。表中預(yù)留出的空行也是專為插入新參數(shù)而設(shè)置的。
表1設(shè)計(jì)7.5V、15W開關(guān)電源用的電子數(shù)據(jù)表格
A | B | C | D | E | F | |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | 輸入 | 中間過程 | 輸出 | 單位 | 參數(shù)說明 | |
2 | 參數(shù) | 數(shù)據(jù) | 保留數(shù)據(jù) | 計(jì)算結(jié)果 | 7.5V、15W開關(guān)電源 | |
3 | umin | 85 | V | 交流輸入電壓最小值 | ||
4 | umax | 265 | V | 交流輸入電壓最大值 | ||
5 | fL | 50 | Hz | 電網(wǎng)頻率 | ||
6 | f | 100 | kHz | 開關(guān)頻率 | ||
7 | UO | 7.5 | V | 直流輸出電壓 | ||
8 | PO | 15 | W | 輸出功率 | ||
9 | η | 80 | % | 電源效率 | ||
10 | Z | 0.5 | 損耗分配系數(shù) | |||
11 | UFB | 10.4 | V | 反饋電壓 | ||
12 | tc | 3.2 | ms | 整流橋響應(yīng)時間 | ||
13 | CIN | 33 | μF | 輸入濾波電容 | ||
14 | ||||||
15 | 輸入TOPSwitch的變量 | |||||
16 | UOR | 85 | V | 初級繞組的感應(yīng)電壓 | ||
17 | UDS(ON) | 10 | V | TOPSwitch的漏-源導(dǎo)通電壓 |
續(xù)表
18 | UF1 | 0.4 | V | 次級肖特基整流管正向壓降 | ||
---|---|---|---|---|---|---|
19 | UF2 | 0.7 | V | 反饋電路中高速開關(guān)整流管正向壓降 | ||
20 | KRP | 0.92 | % | 初級脈動電流IR與峰值電流IP的比例系數(shù) | ||
21 | ||||||
22 | 輸入高頻變壓器的結(jié)構(gòu)參數(shù) | |||||
23 | EE22 | 鐵氧體磁芯型號 | ||||
24 | SJ | 0.41 | cm2 | 磁芯有效橫截面積 | ||
25 | l | 3.96 | cm | 有效磁路長度 | ||
26 | AL | 2.4 | μH/匝 | 磁芯不留間隙時的等效電感 | ||
27 | b | 8.43 | mm | 骨架寬度 | ||
28 | M | 0 | mm | 安全邊距(安全邊界寬度) | ||
29 | d | 2 | 層 | 初級繞組層數(shù) | ||
30 | NS | 5 | 匝 | 次級匝數(shù) | ||
31 | ||||||
32 | 直流輸入電壓參數(shù) | |||||
33 | UImin | 93 | V | 直流輸入電壓最小值 | ||
34 | UImax | 375 | V | 直流輸入電壓最大值 | ||
35 | ||||||
36 | 初級電流波形參數(shù) | |||||
37 | Dmax | 51 | % | 最大占空比(對應(yīng)于umin時) | ||
38 | IVAG | 0.20 | A | 輸入電流的平均值 | ||
39 | IP | 0.74 | A | 初級峰值電流 | ||
40 | IR | 0.68 | A | 初級脈動電流 | ||
41 | IRMS | 0.32 | A | 初級有效值電流 | ||
42 | ||||||
43 | 變壓器初級設(shè)計(jì)參數(shù) | |||||
44 | LP | 623 | μH | 初級電感量 | ||
45 | NP | 54 | 匝 | 初級繞組匝數(shù) | ||
46 | NF | 7 | 匝 | 反饋繞組線數(shù) | ||
47 | ALG | 0.215 | μH/匝 | 磁芯留間隙后的等效電感 | ||
48 | BM | 0.2085 | T | 最大磁通密度(BM=0.2~0.3T) | ||
49 | BAC | 0.0959 | T | 磁芯損耗交流磁通密度(峰峰值×0.5) | ||
50 | μ | 1845 | 磁芯無氣隙時的相對磁導(dǎo)率 | |||
51 | δ | 0.22 | mm | 磁芯的氣隙寬度(δ≥0.051mm) | ||
52 | α | 16.85 | mm | 有效骨架寬度 | ||
53 | DPM | 0.31 | mm | 初級導(dǎo)線的最大外徑(帶絕緣層) | ||
54 | e | 0.05 | mm | 估計(jì)的絕緣層總厚度(厚度×2) | ||
55 | DPm | 0.26 | mm | 初級導(dǎo)線的裸線直徑 | ||
56 | 公制線徑 | 0.280 | mm | 初級導(dǎo)線規(guī)格 | ||
57 | SP | 0.0516 | mm2 | 初級導(dǎo)線的橫截面積 | ||
58 | J | 0.67 | A/mm2 | 電流密度J=(4~10A)/mm2 | ||
59 | ||||||
60 | 變壓器次級設(shè)計(jì)參數(shù) | |||||
61 | ISP | 7.95 | A | 次級峰值電流 | ||
62 | ISRMS | 3.36 | A | 次級有效值電流 | ||
63 | IO | 2.00 | A | 直流輸出電流 | ||
64 | IRI | 2.70 | A | 輸出濾波電容上的紋波電流 | ||
65 | ||||||
66 | SSmin | 0.546 | mm2 | 次級線圈最小橫截面積 | ||
67 | 公制線徑 | 0.900 | mm | 次級導(dǎo)線規(guī)格 | ||
68 | DSm | 0.91 | mm | 次級導(dǎo)線最小直徑(裸線) | ||
69 | DSM | 1.69 | mm | 次級導(dǎo)線最大直徑(帶絕緣層) | ||
70 | NSS | 0.39 | mm | 次級絕緣最大厚度 | ||
71 | ||||||
72 | 電壓極限參數(shù) | |||||
73 | UDmax | 573 | V | 最高漏極電壓估算值(包括漏感的作用) | ||
74 | U(BR)S | 42 | V | 次級整流管最高反向峰值電壓 | ||
75 | U(BR)FB | 59 | V | 反饋電路整流管的最高反向峰值電壓 |