《電子技術(shù)應(yīng)用》
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恒憶(NUMONYX)取得重大設(shè)計(jì)突破,推出業(yè)內(nèi)首款45nm NOR閃存芯片

新技術(shù)擴(kuò)大恒憶的技術(shù)領(lǐng)先水平,為客戶(hù)提供性能更強(qiáng)大的連續(xù)性產(chǎn)品
2009-03-11
作者:恒憶(NUMONYX)
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  近日,恒憶(Numonyx)發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用45納米工藝技術(shù)的多級(jí)單元(MLC)NOR閃存樣片。在為客戶(hù)提供高度的產(chǎn)品連續(xù)性和可靠性的同時(shí),新產(chǎn)品發(fā)布還使恒憶能夠大幅度提高存儲(chǔ)產(chǎn)品的性能。新產(chǎn)品遙遙領(lǐng)先上一代65nm產(chǎn)品,是當(dāng)前市場(chǎng)上最先進(jìn)的NOR閃存。恒憶NOR閃存芯片廣泛用于手機(jī),運(yùn)行關(guān)鍵的手機(jī)操作系統(tǒng),管理個(gè)人數(shù)據(jù),存儲(chǔ)相片、音樂(lè)和視頻。

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  這款45nm的1兆位(Gb)單片閃存基于NumonyxTM StrataFlash? 存儲(chǔ)器架構(gòu),引腳兼容恒憶目前量產(chǎn)的65nm NOR閃存芯片。產(chǎn)品架構(gòu)的兼容性和連續(xù)性使手機(jī)原始設(shè)備制造商能夠降低開(kāi)發(fā)成本,延長(zhǎng)現(xiàn)有產(chǎn)品平臺(tái)的生命周期,利用大容量存儲(chǔ)和速度更快的存儲(chǔ)器“立即執(zhí)行”功能,加快向市場(chǎng)推出新產(chǎn)品的速度。與上一代產(chǎn)品相比,新技術(shù)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度提高50%。

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 “手機(jī)存儲(chǔ)市場(chǎng)還有很大的空間,升級(jí)閃存制造技術(shù)的迫切要求依然來(lái)自市場(chǎng)對(duì)高密度、低成本非易失性NOR閃存的需求,”恒憶首席技術(shù)官Ed Doller表示,“通過(guò)開(kāi)發(fā)新的工藝技術(shù),在業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的45nm技術(shù)平臺(tái)上制造第7代MLC NOR閃存,恒憶工程師克服了技術(shù)升級(jí)的主要限制,率先為客戶(hù)帶來(lái)性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)。”

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  在如何設(shè)計(jì)新一代NOR閃存技術(shù)方面,恒憶取得了一項(xiàng)重大設(shè)計(jì)突破。新產(chǎn)品采用一個(gè)新的自對(duì)準(zhǔn)接觸(SAC)方法,在保持與過(guò)去產(chǎn)品兼容以及高度可靠性和產(chǎn)品質(zhì)量的同時(shí),這種方法還使恒憶閃存產(chǎn)品得以不斷升級(jí)?!爱?dāng)整個(gè)行業(yè)還在設(shè)法解決閃存技術(shù)的升級(jí)能力的時(shí)候,恒憶推出的產(chǎn)品無(wú)論從架構(gòu)還是連續(xù)性上都達(dá)到甚至超過(guò)了客戶(hù)對(duì)成本和可靠性的要求,這確實(shí)是一項(xiàng)了不起的成就,”Doller表示。

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  恒憶正在一定的密度和數(shù)量范圍內(nèi)檢測(cè)新產(chǎn)品樣片,計(jì)劃今年推出采用這項(xiàng)新技術(shù)的產(chǎn)品。預(yù)計(jì)2010年開(kāi)始量產(chǎn)。恒憶還計(jì)劃將此項(xiàng)技術(shù)部署到所有的嵌入式閃存解決方案中,把連續(xù)性架構(gòu)的性能優(yōu)點(diǎn)以及穩(wěn)定性和可靠性擴(kuò)展到主要嵌入式市場(chǎng)。?

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關(guān)于恒憶 (Numonyx)?

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  恒憶設(shè)計(jì)、制造各種集成的NOR、NAND、RAM和相變非易失性存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品,以滿足無(wú)線、數(shù)據(jù)和嵌入式存儲(chǔ)器市場(chǎng)日趨復(fù)雜的需求。恒憶致力于為全球客戶(hù)提供高密度、低功耗存儲(chǔ)技術(shù)和封裝解決方案。更多恒憶公司詳情敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn) www.numonyx.com?

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