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Vishay Siliconix的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET創(chuàng)業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻紀錄

2011-08-17
作者:Vishay
關(guān)鍵詞: P溝道 TrenchFET MOSFET 電阻

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
 
  新款SiB437EDKT可用做智能手機、MP3播放器、便攜式多媒體播放器、數(shù)碼相機、電子書和平板電腦等手持設(shè)備中的負載開關(guān)。器件的熱增強Thin PowerPAK® SC-75封裝占位面積小,超薄的高度只有0.65mm,能夠?qū)崿F(xiàn)更小、更薄的終端產(chǎn)品,而低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗,節(jié)約能源,并在這些設(shè)備中最大化電池的運行時間。
 
  MOSFET可在1.5V和1.2V電壓下導(dǎo)通,能夠搭配手持設(shè)備中常見的更低電壓的柵極驅(qū)動和更低的總線電壓,從而省去了電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本。在手持設(shè)備中電池電量較低,并且要求消耗盡可能少的能量時,這種MOSFET尤其有用。
 
  SiB437EDKT在4.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有34mΩ、63mΩ、84mΩ和180mΩ的超低導(dǎo)通電阻。同樣采用1.6mmx1.6mm占位、高度小于0.8mm的最接近的P溝道器件在4.5V、1.8V和1.5V下的導(dǎo)通電阻為37mΩ、65mΩ和100mΩ,這些數(shù)值分別比SiB437EDKT高8%、5%和16%。
 
  SiB437EDKT經(jīng)過了100%的Rg測試,符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定,符合RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保護為2000V。
 
  新款SiB437EDKT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
 

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