??? 美商亞德諾(ADI)日前發(fā)布具備五組單信道RF混波器的新產(chǎn)品系列──ADL 5801單信道主動(dòng)式混波器，以及ADL 5355、ADL 5357、ADL 5365、以及ADL 5367高性能單信道被動(dòng)式混波器，適用于衛(wèi)星通訊、無線基站、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無線電連結(jié)、測(cè)試儀器、以及軍用裝備等的高動(dòng)態(tài)范圍領(lǐng)域。
??? ADL 5801涵蓋了從10MHz到6,000MHz的范圍，具有最寬廣的可用運(yùn)作頻率，能夠補(bǔ)足于2008年10月所發(fā)表的ADL 5802雙信道主動(dòng)式混波器。ADL 5355、ADL 5357、ADL 5365、以及ADL 5367高性能單信道被動(dòng)式混波器乃是針對(duì)透過移動(dòng)電話頻率范圍所進(jìn)行之作業(yè)而特別設(shè)定，藉以補(bǔ)足ADL 5356、ADL5358、ADL 5360雙信道被動(dòng)式混波器。
??? ADL 5801混波器是業(yè)界首款能實(shí)現(xiàn)訊號(hào)升轉(zhuǎn)換與降轉(zhuǎn)換的寬頻單信道組件，很適合使用在發(fā)射與接收訊號(hào)路徑上。ADL 5801具極高線性度，采用4mm × 4mm的LFCSP封裝，只消耗同類型被動(dòng)組件50%以下的電力。ADL 5801單信道主動(dòng)式混波器能夠以10dB的單邊帶噪聲指數(shù)達(dá)到27dBm IIP3(三階輸入截取點(diǎn))。此外，ADL 5801具有1.5dB的轉(zhuǎn)換功率增益，減少了額外IF放大器的需求。
??? ADL 5801的獨(dú)特之處在于芯片內(nèi)建的輸入功率偵測(cè)器，可以用來調(diào)整混波器的偏壓。當(dāng)有大型干擾(通常會(huì)被參照為閉鎖訊號(hào)(blocking signals))出現(xiàn)時(shí)，這項(xiàng)適應(yīng)偏壓的特點(diǎn)可以實(shí)現(xiàn)最佳化的高IP3性能。而當(dāng)閉鎖訊號(hào)不再出現(xiàn)時(shí)，ADL 5801會(huì)自動(dòng)的切換至較低功率的運(yùn)作模式。
??? ADL 5355混波器能夠在1,500MHz至2,500MHz的頻率范圍內(nèi)運(yùn)作；ADL 5357混波器則可以在500MHz至1,500MHz的頻率范圍中運(yùn)作。這些混波器具備有芯片內(nèi)建的IF與本地振蕩器(LO)放大器，以及輸入平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器(baluns)，能夠提供最高位準(zhǔn)的整合性。
??? ADL 5355以及ADL 5357混波器以8.1dB的功率轉(zhuǎn)換增益和9.4dB的單邊帶噪聲指數(shù)實(shí)現(xiàn)27-dBm IIP3。在噪聲指數(shù)不能因?yàn)殚]鎖訊號(hào)而降等的高干擾環(huán)境下，此兩項(xiàng)產(chǎn)品都具有同級(jí)產(chǎn)品中最佳的性能：在10dBm的閉鎖訊號(hào)出現(xiàn)時(shí)具有優(yōu)于18dB SSB的噪聲指數(shù)。
??? ADL 5365混波器能夠在1,500MHz至2,500MHz的頻率范圍內(nèi)運(yùn)作；ADL 5367混波器則可以在500MHz至1,500MHz的頻率范圍中運(yùn)作。移除了IF放大器使得混波器可以被設(shè)定成采用升或降轉(zhuǎn)換器。
??? ADL 5365以及ADL 5367混波器具有業(yè)界最低的功率轉(zhuǎn)換耗損(-7dB)，能夠提供31dBm的輸入IP3與7.1dB SSB的噪聲指數(shù)。這些組件具備了最高線性度的IP3規(guī)格，很適合于使用在發(fā)射路徑觀測(cè)接收器，以及其它以高輸入訊號(hào)功率運(yùn)作的應(yīng)用裝置當(dāng)中。
??? 這些組件不需要藉由在RF或是LO輸入上連結(jié)外部零件，就可以達(dá)成這些同級(jí)產(chǎn)品中的最佳結(jié)果，因而使其很適合于使用在需要高增益混波器的最高性能整合式接收器向下轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域當(dāng)中。不同于競(jìng)爭(zhēng)組件，單信道被動(dòng)式混波器家族具有斷電功能，而且能夠在3.3V至5V的供應(yīng)電壓范圍內(nèi)運(yùn)作，這使得它們很適合使用在對(duì)于電源需求敏感的應(yīng)用領(lǐng)域當(dāng)中。
??? 兩個(gè)新的混波器家族都是采用先進(jìn)的硅鍺(SiGe)雙極制程進(jìn)行生產(chǎn)，相較于敏感的砷化鎵混波器，它們具有2,000V HBM ESD，可簡(jiǎn)化處理程序。