《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 電源技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 一種DC-DC升壓型開關(guān)電源的低壓?jiǎn)?dòng)方案
一種DC-DC升壓型開關(guān)電源的低壓?jiǎn)?dòng)方案
張海瑞,張 濤 武漢科技大學(xué)
摘要: 設(shè)計(jì)了一種DC-DC升壓型開關(guān)電源的低壓?jiǎn)?dòng)電路,該電路采用兩個(gè)在不同電源電壓范圍內(nèi)工作頻率較穩(wěn)定的振蕩器電路,利用電壓檢測(cè)模塊進(jìn)行合理的切換,解決了低輸入電壓下電路無(wú)法正常工作的問(wèn)題,并在0.5μm CMOS工藝庫(kù)(VthN=0.72 V,VthP=-0.97 V)下仿真。仿真結(jié)果表明,在0.8 V低輸入電壓時(shí),通過(guò)此升壓型開關(guān)電源,可以將VDD升高至3.3 V。
Abstract:
Key words :

0 引言
    各種便攜式電子產(chǎn)品,如照相機(jī)、攝像機(jī)、手機(jī)、筆記本電腦、多媒體播放器等都需要DC-DC變換器等電源管理芯片。這類便攜式設(shè)備一般使用電池供電,總能量有限,因此,電源芯片需要最大限度地降低工作電壓,延長(zhǎng)電池的使用壽命。傳統(tǒng)DC-DC的工作電壓一般都在1.0 V以上,本文所設(shè)計(jì)的電路將這一啟動(dòng)電壓降低至0.8V。

1 電路整體示意圖
    DC-DC升壓開關(guān)電源在低輸入電壓下工作,利用控制電路導(dǎo)通和關(guān)斷功率管,在功率管導(dǎo)通時(shí),電感儲(chǔ)存能量;當(dāng)功率管關(guān)斷時(shí),電感釋放能量,對(duì)輸出電容充電,輸出電壓升高。當(dāng)輸入電源低至1.0 V以下,如果DC-DC芯片的驅(qū)動(dòng)電壓取自輸入電源,芯片內(nèi)部電路就不能正常工作,DC-DC便無(wú)法啟動(dòng);如果DC-DC芯片的驅(qū)動(dòng)電壓取自輸出電壓,同樣,芯片根本無(wú)法啟動(dòng)及進(jìn)行任何升壓動(dòng)作。本文針對(duì)輸入電源電壓變化范圍較大,在考慮商業(yè)成本的情況下,設(shè)計(jì)了2個(gè)振蕩器電路:主振蕩器和輔助振蕩器。輔助振蕩器靠輸入電壓供電,0.8 V即能起振,在VDD升至1.9 V以前控制功率管的導(dǎo)通與關(guān)斷,使VDD逐步抬升。主振蕩器靠輸出電壓即VDD供電,在VDD升至1.9 V以后以一個(gè)較穩(wěn)定的頻率工作,抬升并維持輸出電壓。電路的整體示意圖如圖1所示。該電路包括主振蕩器、輔助振蕩器以及它們的切換電路、帶隙基準(zhǔn)電路、PWM比較器、過(guò)壓保護(hù)電路、過(guò)流保護(hù)電路等。

b.JPG



2 主振蕩器的設(shè)計(jì)
    在構(gòu)想了兩個(gè)在兩段不同的電源電壓下工作的振蕩器電路之后,就可以對(duì)兩個(gè)振蕩器電路分別進(jìn)行設(shè)計(jì)。環(huán)形振蕩器因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于集成,而用于許多集成電路芯片的設(shè)計(jì),但其振蕩頻率受電源電壓變化的影響較大,文獻(xiàn)中所提出的方案雖然有較大改善,但它采用了大的集成電阻,這不僅增大了芯片面積,而且集成電阻阻值隨工藝偏差很大,還會(huì)進(jìn)一步增大環(huán)振輸出頻率的不穩(wěn)定性。文獻(xiàn)所提出的改進(jìn)型環(huán)形振蕩器電路頻率穩(wěn)定度高,適用于電源電壓變化較大的集成電路系統(tǒng),但它采用了耗盡型MOS管,增加了電路的成本,不利于商業(yè)開發(fā)。本文所設(shè)計(jì)的主振蕩器采用如圖2所示的環(huán)形振蕩器結(jié)構(gòu)。VC1,VC2分別為過(guò)壓保護(hù)電路,PWM比較器的輸出信號(hào),MP10和MP11為帶隙基準(zhǔn)提供的鏡像電流,合理的控制鏡像電流和電容C1,C2的大小,即能夠使主振蕩器在1.9~8 V的VDD區(qū)間輸出350 kHz左右較穩(wěn)定的振蕩頻率。

c.JPG



3 輔助振蕩器的設(shè)計(jì)
    文獻(xiàn)中提出的輔助振蕩器電路也采用環(huán)形振蕩器結(jié)構(gòu),它利用亞閾值導(dǎo)通的原理,使得起振電壓降至0.8 V,但是這個(gè)輔助振蕩器在0.8~1.9 V的VDD區(qū)間里頻率變化很大,會(huì)在電路啟動(dòng)階段造成很大的浪涌電流,造成系統(tǒng)的不穩(wěn)定。
    文獻(xiàn)中提出的輔助振蕩器克服了以上缺點(diǎn),既保證了在0.8 V起振,又避免了振蕩頻率變化過(guò)大,但是,在輔助振蕩器關(guān)斷之后由于工藝偏差可能會(huì)在R,S端出現(xiàn)不確定狀態(tài),導(dǎo)致功耗過(guò)大,并造成后續(xù)電路不能正常工作。本文在文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上加以改進(jìn),增加M17管,M18管,所設(shè)計(jì)的輔助振蕩器如圖3所示。

d.JPG


    圖3中,M1~M12是低輸入電壓偏置電流電路,這個(gè)電路的主要功能是在低輸入電壓下產(chǎn)生一個(gè)恒定的納安級(jí)的偏置電流。這一不隨電源電壓變化的偏置電流將為圖3所示的輔助振蕩器提供偏置。M8~M13為啟動(dòng)電路,M3,M4都工作在亞閾值區(qū),
    e.JPG
    f.JPG
    式中:K=(W/L)M4/(W/L)M3,通過(guò)式(5)可以發(fā)現(xiàn),偏置電流IM1,IM2與輸入電源無(wú)關(guān)。
    恒流源II和I4對(duì)電容C1充放電,該振蕩器的核心模塊是兩個(gè)比較器,M21,M22組成COMP1,該比較器閾值較高,為M22管的導(dǎo)通閾值,記為VH=Vth。M22,M23,M24,M25,M26,R2組成COMP2,該比較器閾值較低,記為VL:
    g.JPG
    SE為輔助振蕩器切換信號(hào),SEB為SE的反信號(hào)。當(dāng)VDD低于1.9 V時(shí),SE為高電平,M17,M18都截止,不影響R,S觸發(fā)器的翻轉(zhuǎn),輔助振蕩器工作,開關(guān)S1斷開,S2閉合;當(dāng)VDD高于1.9 V時(shí),SE為低電平,輔助振蕩器關(guān)斷,開關(guān)S1閉合,S2斷開,M17,M18都導(dǎo)通,R=1,S=0,AUXCLK被鎖定為高電平,既減小了功耗,也避免了輔助振蕩器關(guān)斷之后R,S端出現(xiàn)不確定狀態(tài)。

4 電路整體仿真結(jié)果與分析
    整體電路在0.5μm CMOS工藝庫(kù)(VthN=0.72 V,VthP=-0.97 V)下仿真,仿真條件為VIN=0.8 V,仿真結(jié)果如圖4所示。

a.JPG


    從圖4可以看出,電路啟動(dòng)后,首先輔助振蕩器V(auxclk)起振,VDD逐漸升高,升高至1.4 V時(shí),主振蕩器V(mainclk)起振,但此時(shí)只有輔助振蕩信號(hào)通過(guò)開關(guān)S2傳到功率管的柵極,當(dāng)VDD升高至1.9 V時(shí),輔助振蕩器關(guān)掉,主振蕩器信號(hào)通過(guò)開關(guān)S1傳到功率管的柵極,VDD繼續(xù)升高至設(shè)定的輸出電壓3.3 V以后,由反饋電路控制主振蕩器的開啟與關(guān)斷,來(lái)維持這一輸出電壓。

5 結(jié)語(yǔ)
    本文針對(duì)輸入電源電壓變化范圍較大,設(shè)計(jì)了兩種結(jié)構(gòu)不同的振蕩器,其在在不同電源電壓范圍內(nèi)工作的頻率較穩(wěn)定,并利用電壓檢測(cè)模塊進(jìn)行合理的切換,解決了低輸入電壓下電路無(wú)法啟動(dòng)的問(wèn)題,是一款適用于商業(yè)開發(fā)的DC-DC升壓型開關(guān)電源。

此內(nèi)容為AET網(wǎng)站原創(chuàng),未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。