飛兆半導體Generation III XS? DrMOS系列為電源設計人員提供 最高效率,更佳功率密度并節(jié)省線路板空間
2012-04-17
作者:飛兆半導體
新能源標準以及針對刀片式服務器、高性能筆記本電腦、游戲主機和負載點(point-of-load)模塊的新系統(tǒng)規(guī)范,正在推動業(yè)界對更高效率、更大電流、更高開關頻率以及更大功率密度的需求。為了配合行業(yè)發(fā)展趨勢,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模塊(MCM)系列。
FDMF68xx系列經(jīng)設計能夠降低輸出感量和減少輸出電容器數(shù)目,與普通分立器件解決方案相比,該系列能夠節(jié)省多達50%的線路板空間,并提高效率,以期滿足新能源標準要求。使用飛兆半導體的高性能PowerTrench® MOSFET技術,FDMF68xx系列能夠顯著減少開關振鈴(switch ringing),省去大多數(shù)降壓轉(zhuǎn)換器應用中使用的緩沖器電路。
Gen III DrMOSMCM系列能夠支持數(shù)字和模擬PWM控制器的3.3V和5V三態(tài)PWM輸入電壓,30V器件選項使得DrMOS能夠適應筆記本電腦或UltraBookTM 電源系統(tǒng)的要求。Gen III DrMOS系列在1MHz以上開關頻率下提供更高的效率,更高的最大負載電流和功率密度,該系列器件采用6x6mm2 PQFN封裝,能夠達到效率標準要求并提供每相高達60A的電流。要了解更多的信息及索取樣品,請訪問公司網(wǎng)頁:
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特性和優(yōu)勢
• 峰值效率達93%;30A效率達91%;500KHz頻率,12VIN,1VOUT
• 峰值效率達90%;30A效率達88%;1MHz頻率,12VIN,1VOUT
• 大電流處理能力:結(jié)溫100°C時60A
• 能夠達到1.5MHz的開關頻率
• 省去典型設計中的散熱器
飛兆半導體Genernation III DrMOS系列器件提供業(yè)界領先技術,以應對現(xiàn)今設計所遇到的能效和外形尺寸挑戰(zhàn)。Genernation III DrMOS器件是飛兆半導體高能效的功率模擬、功率分立和光電子解決方案的一部分,能夠在功率敏感應用中實現(xiàn)最大節(jié)能。
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FDMF6820A 每個2.41美元
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