恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. （納斯達(dá)克：NXPI）今天宣布推出全新汽車級(jí)功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù)，具有極低導(dǎo)通電阻（R_DSon）、極高的開(kāi)關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級(jí)MOSFET已取得AEC-Q101認(rèn)證，成功通過(guò)了175?C高溫下超過(guò)1,600小時(shí)的延長(zhǎng)壽命測(cè)試（性能遠(yuǎn)超Q101標(biāo)準(zhǔn)要求），同時(shí)具有極低PPM 水平。

恩智浦這一全新車用MOSFET系列中的首批產(chǎn)品將采用D²PAK封裝，電壓級(jí)分別為30V、40V、60V、80V和100V，全部具有出色的導(dǎo)通電阻（R_DSon）性能。未來(lái)的Trench 6器件將會(huì)采用其他類型車用封裝形式，包括恩智浦高可靠性、高性能的Power-SO8 LFPAK56封裝，以此作為產(chǎn)品組合的重要擴(kuò)展形式，為用戶提供全面的應(yīng)用靈活性。該系列幾乎覆蓋所有汽車應(yīng)用領(lǐng)域，從簡(jiǎn)單的車燈照明到精密復(fù)雜的傳動(dòng)、車身及底盤(pán)等各系統(tǒng)的功率控制。

Trench 6將在前代TrenchMOS器件的基礎(chǔ)上進(jìn)一步提升開(kāi)關(guān)性能，可在給定導(dǎo)通電阻（R_DSon）條件下實(shí)現(xiàn)超低Q_GD，因此是汽車DC-DC開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想選擇。恩智浦的汽車級(jí)功率MOSFET器件還為各類產(chǎn)品帶來(lái)真正的邏輯電平變體，這是一項(xiàng)將基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻性能與閾值電壓容限相結(jié)合的重要功能，可確保MOSFET器件在高溫下的正?？刂啤?/p>

恩智浦半導(dǎo)體產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Ian Kennedy表示，“我們的Trench 6汽車級(jí)功率MOSFET器件可以為車內(nèi)幾乎每個(gè)MOSFET插口提供經(jīng)過(guò)優(yōu)化的、可靠性能極高的解決方案。廣泛嚴(yán)格的測(cè)試表明，Trench 6的構(gòu)架極其簡(jiǎn)單，且在近兩年的標(biāo)準(zhǔn)MOSFET市場(chǎng)業(yè)績(jī)驕人，一定可以滿足延長(zhǎng)汽車壽命所需的品質(zhì)和可靠性要求。”

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·         恩智浦汽車級(jí)MOSFET器件：  http://www.nxp.com/products/mosfets/automotive_mosfets/

·         BUK761R3-30E

·         BUK761R6-40E

·         BUK762R4-60E

·         BUK763R8-80E

·         BUK765R0-100E

·         BUK961R4-30E

·         BUK961R6-40E

·         BUK962R5-60E

·         BUK964R2-80E

·         BUK965R8-100E

關(guān)于恩智浦半導(dǎo)體

恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其領(lǐng)先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數(shù)字處理方面的專長(zhǎng)，提供高性能混合信號(hào)（High Performance Mixed Signal）和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品解決方案。這些創(chuàng)新的產(chǎn)品和解決方案可廣泛應(yīng)用于汽車、智能識(shí)別、無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、照明、工業(yè)、移動(dòng)、消費(fèi)和計(jì)算等領(lǐng)域。公司在全球逾25個(gè)國(guó)家都設(shè)有業(yè)務(wù)執(zhí)行機(jī)構(gòu)，2011年公司營(yíng)業(yè)額達(dá)到42億美元。更多恩智浦相關(guān)信息，請(qǐng)登錄公司官方網(wǎng)站http://cn.nxp.com/查詢。