銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出兩項新型GaN工藝：0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50V的G50V3。新的工藝技術(shù)增加了工作電壓和無線射頻功率密度，與傳統(tǒng)技術(shù)相比，能夠?qū)崿F(xiàn)更小尺寸裸芯片和更緊湊、更高效率放大器。兩項新技術(shù)均與科銳業(yè)經(jīng)驗證的GaN單片式微波集成電路（MMIC）技術(shù)相兼容，可應(yīng)用在具有全套無源電路元件和非線性模型的直徑為100毫米的碳化硅晶圓片上。

新的工藝技術(shù)現(xiàn)已應(yīng)用于研發(fā)和量產(chǎn)。通過這兩項最新技術(shù)，科銳能夠提供包括全套和專用掩模組在內(nèi)的多項代工服務(wù)以促進定制電路的快速發(fā)展。G40V4 工藝可在28V 和40V 兩種工作電壓、18GHz 以下的場效應(yīng)晶體管（FET）外緣的射頻功率密度6W/mm的環(huán)境下進行。G50V3 工藝可在工作電壓為50V、6GHz 以下的場效應(yīng)晶體管（FET）外緣的無線射頻功率密度8W/mm的環(huán)境下進行。兩項工藝技術(shù)全部基于科銳先前發(fā)布的G28V3 工藝技術(shù)。自2006年應(yīng)用于生產(chǎn)以來，0.4微米、工作電壓為28V 的G28V3 工藝技術(shù)是業(yè)內(nèi)現(xiàn)場故障率最低的微波技術(shù)之一（每10億小時中有9個故障器件）。

科銳估計，如果在典型三部式多波段LTE/4G 通訊遠程無線電頭端（RRH）的安裝中以GaN 替代傳統(tǒng)晶體管技術(shù)，可減少高達20% 的RRH 功耗，從而降低運營成本和能耗。除此之外，新工藝還能夠降低初始系統(tǒng)成本。GaN工藝的高電壓和高效率能夠幫助縮小散熱器和外殼尺寸、降低無線射頻放大器的設(shè)計復(fù)雜性以及減少交流至直流和直流至直流轉(zhuǎn)換器的成本。此外，現(xiàn)在空氣就可替代以前所需的大型風(fēng)扇實現(xiàn)系統(tǒng)冷卻。所有這些改進可節(jié)約高達10%的材料成本，大幅降低系統(tǒng)購置成本。

軍用雷達系統(tǒng)也可獲得同樣的優(yōu)勢?？其JGaN工藝的高效率能夠在減少工作功耗的同時減少維修費用，因此能夠顯著優(yōu)化系統(tǒng)壽命周期成本。G40V4 和G50V3 工藝的工作（通道）結(jié)溫為225ºC，平均壽命超過兩百萬小時（228年），其卓越的可靠性能夠顯著降低雷達系統(tǒng)在工作壽命內(nèi)的維修和維護成本。

科銳無線射頻（RF）及微波部門總監(jiān)Jim Milligan表示：“我們的客戶需要可靠且更高頻率的工藝用于開發(fā)GaN 的優(yōu)勢并應(yīng)用于包括衛(wèi)星通信、雷達和電子戰(zhàn)市場在內(nèi)的高于6GHz 的領(lǐng)域，我們相信全新的G40V4 工藝能夠很好地滿足客戶的需求。同時，針對客戶對低成本GaN 解決方案的需求，科銳新推出了工作電壓為50V的G50V3工藝，能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)異的無線射頻輸出功率性價比，旨在加速GaN 在通訊基礎(chǔ)設(shè)施等對成本極其敏感的市場領(lǐng)域中的普及，GaN 現(xiàn)在能夠在這些領(lǐng)域中提供硅LDMOS 無法比擬的性能優(yōu)勢。”

科銳功率與無線射頻（RF）副總裁兼總經(jīng)理Cengiz Balkas 博士表示：“新工藝的更高工作電壓和更高效率是迅速普及的關(guān)鍵。如果在即將運用的LTE/4G 宏單元基站上采用GaN，通訊運營商每年能夠節(jié)約超過20億美元的能源成本。幸運的是，通訊行業(yè)已經(jīng)開始認(rèn)識到這些潛在的節(jié)約。科銳計劃在今年內(nèi)為通訊基站提供超過7500萬瓦的GaN 晶體管。”

在40V的工作電壓、18GHz條件下，科銳G40V4工藝能夠提供高達6W/mm P_SAT；10GHz條件下，典型器件特性可實現(xiàn)65%功率附加效率（PAE）和12dB小信號增益。在50V的工作電壓、6GHz條件下，G50V3工藝能夠提供高達8W/mm P_SAT；3.5GHz 條件下，典型器件特性可實現(xiàn)70%功率附加效率（PAE）和12dB小信號增益。兩種GaN 工藝的最高工作通道溫度均為225ºC，平均壽命均大于兩百萬（2E6）小時。此外，科銳發(fā)布了MMIC 設(shè)計套件，該套件擁有科銳專利技術(shù)的可擴展非線性HEMT 模型，適用于安捷倫的Advanced Design System（ADS）和AWR 的Microwave Office 仿真平臺。該款設(shè)計套件還具備一整套包括電阻，電容、螺旋電感器和基板底座通孔在內(nèi)的無源元件，可用于仿真完整的MMIC 性能并顯著縮短設(shè)計周期。

如欲了解更多新工藝技術(shù)以及加工服務(wù)詳情，敬請訪問：www.cree.com/rf。

關(guān)于科銳（CREE）

科銳成立于1987年，是美國上市公司（1993年，納斯達克：CREE），為全球LED外延、芯片、封裝、LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者?？其JLED 照明產(chǎn)品的優(yōu)勢體現(xiàn)在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等方面獨一無二的材料技術(shù)與先進的白光技術(shù)，擁有1,300多項美國專利、2,900多項國際專利和近390項中國專利（以上包括已授權(quán)和在審專利），使得科銳LED產(chǎn)品始終處于世界領(lǐng)先水平?？其J照明級大功率LED，具有光效高、色點穩(wěn)、壽命長等優(yōu)點。科銳在向客戶提供高質(zhì)量、高可靠發(fā)光器件產(chǎn)品的同時也向客戶提供成套的LED照明解決方案?？其J碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管開關(guān)器件（MOSFET Switch）的導(dǎo)通電阻小、溫度系數(shù)穩(wěn)、漏電流低、開關(guān)時間短，以及科銳碳化硅肖特基功率二極管（Schottky Power Diode）零反向恢復(fù)電流等特性，使得科銳碳化硅功率器件特別適用于高頻、高效、高功率密度、高可靠性需求的電力電子系統(tǒng)。