安全性在包括智能手機配件、智能儀表、個人健康監(jiān)控、遙控以及存取系統(tǒng)等各種應(yīng)用中正在變得日益重要。要保護(hù)收益及客戶隱私，OEM 廠商必須采用安全技術(shù)加強系統(tǒng)的防黑客攻擊能力。對于大量這些應(yīng)用而言，將要部署數(shù)百萬的器件，工程師面臨的挑戰(zhàn)是在不嚴(yán)重影響系統(tǒng)成本或可靠性的同時，確保最佳安全平衡。主要注意事項包括保護(hù)敏感數(shù)據(jù)的傳輸，防止MCU 應(yīng)用代碼及安全數(shù)據(jù)被讀取，防止MCU 遭到物理攻擊，最大限度提高電源效率，以及支持安全升級，確保設(shè)備能夠應(yīng)對未來安全威脅等。

    安全設(shè)備必須能夠像銀行保險庫一樣有效地安全存儲敏感信息。這類信息包括交換的實際數(shù)據(jù)（比如客戶的信用卡號或者何時用了多少電的記錄等）以及任何確保通信通道安全的加密數(shù)據(jù)（如安全密鑰及密碼等）等。

    最新低功耗微處理器(MCU) 集成降低安全應(yīng)用成本與功耗所需的高性能以及各種特性，可幫助開發(fā)人員為低功耗應(yīng)用提高安全性。此外，它們還采用非易失性FRAM 替代EEPROM 或閃存提供穩(wěn)健統(tǒng)一的存儲器架構(gòu)，從而可簡化安全系統(tǒng)設(shè)計。

FRAM 的優(yōu)勢
    與基于閃存的傳統(tǒng)系統(tǒng)相比，F(xiàn)RAM 可提供優(yōu)異的保留性與耐用性。采用閃存，數(shù)據(jù)按晶體管充電狀態(tài)存儲（如開或關(guān)）。寫入閃存時，必須先擦除相應(yīng)的塊然后再寫入。這個過程可對閃存造成物理損壞，最終導(dǎo)致晶體管無法可靠保持電荷。

    確保閃存的最長使用壽命，通常部署損耗平衡等技術(shù)在各個塊上平攤使用量，以避免某些常用塊過早損壞。進(jìn)而需要評估閃存系統(tǒng)可靠性，是因為閃存的耐用性規(guī)范反映的是平均故障率，每個具體塊的耐用性有高有低。此外，保留的可靠性會隨耐用性極限的接近而下降，因為保留是根據(jù)每個存儲器元素的磨損進(jìn)行統(tǒng)計的。

圖1：FRAM PZT 分子的模型

    相比之下，F(xiàn)RAM 將數(shù)據(jù)按分子極化狀態(tài)存儲。由于該過程為非破壞性，因此FRAM 具有幾乎無限期的保留性與耐用性。對必須在整個設(shè)備使用壽命期間執(zhí)行20,000 至40,000 次交易的移動支付系統(tǒng)等應(yīng)用而言，F(xiàn)RAM 無需考慮耐用性與可靠性問題。

    此外，F(xiàn)RAM 的高耐用性也關(guān)系到某些應(yīng)用的安全性。例如，要提高通信安全性，每次新傳輸都需要生成新密鑰。這種方法必須考慮閃存和EEPROM 的耐用性問題。使用FRAM 就無需考慮密鑰改變頻次對存儲器耐用性產(chǎn)生影響的問題。

校準(zhǔn)

    除了防止應(yīng)用數(shù)據(jù)和加密密鑰遭到非授權(quán)讀寫之外，系統(tǒng)還必須防止參數(shù)被惡意篡改，導(dǎo)致敏感信息被訪問，甚至發(fā)生物理MCU 本身受到侵害攻擊的情況。MCU 容易受到各種攻擊的侵害，導(dǎo)致存儲器中存儲的數(shù)據(jù)、應(yīng)用代碼或安全密鑰被提取。

    在許多情況下，MCU 攻擊的目的都是為了改變器件上存儲的數(shù)據(jù)。例如，自動計量儀表上的使用數(shù)據(jù)可能被修改，顯示實際使用數(shù)額偏低，導(dǎo)致每月賬單降低。一般說來，黑客不是去修改收集到的數(shù)據(jù)，而是要改變應(yīng)用代碼本身。要達(dá)到這一目標(biāo)，它們必須首先獲得應(yīng)用代碼畫面，進(jìn)行逆向工程，然后在系統(tǒng)中使用修改后的版本進(jìn)行成功覆蓋。

圖2：TI MSP430FR59xx MCU 建立在超低功耗“Wolverine”技術(shù)平臺基礎(chǔ)之上，采用非易失性FRAM 替代EEPROM 或閃存提供高穩(wěn)健統(tǒng)一存儲器架構(gòu)，可簡化安全系統(tǒng)設(shè)計

    目前已經(jīng)出現(xiàn)了大量強制系統(tǒng)暴露保密信息甚至其應(yīng)用代碼的方法。例如，故障攻擊可引發(fā)故障操作，讓系統(tǒng)進(jìn)入不可預(yù)測的狀態(tài)，從而使其輸出安全密鑰或應(yīng)用代碼塊。此外，黑客還可對系統(tǒng)進(jìn)行物理攻擊，分離MCU 或采用光學(xué)手段引發(fā)故障。需要注意的是，不是所有以下攻擊情境都適用于所有應(yīng)用，具體可能發(fā)生哪種攻擊取決于風(fēng)險數(shù)據(jù)的應(yīng)用及價值。

• 機械探查：雖然對EEPROM 進(jìn)行機械探查比較困難，但仍可通過IC 后端、采用既不破壞浮動?xùn)?，又不破壞比特單元?shù)據(jù)的方法做到。相比之下，F(xiàn)RAM 的極化狀態(tài)只有在電路完整時才能檢測到。
• 電源分析：頻譜電源分析(SPA) 和動態(tài)電源分析(DPA) 是測量MCU 電磁輻射或電源使用的專業(yè)技術(shù)，其可創(chuàng)建用來確定MCU 內(nèi)部所做工作的配置文件。EEPROM 與閃存需要工作電壓為10 至14V 的電荷泵，使其比較容易檢測到。FRAM 極其快速的讀寫速度（分別為50 ns 和200 ns 以下）以及較低的工作電壓(1.5 V) 使其被成功安裝基于SPA 或DPA 的攻擊極為困難。
• 顯微鏡檢查：實踐證明，使用Atomic Force Microscopy (AFM) 或Scanning Kelvin Probe Microscopy (SKPM) 可在后端剝層后檢測到EEPRO 中的浮動?xùn)烹姾伤?，因此可記錄存儲在存儲器位置上或在?shù)據(jù)線路上傳輸?shù)臄?shù)據(jù)。
• 電壓篡改：這類攻擊多年來一直針對EEPROM 及閃存設(shè)備，特別是用于電話卡作弊。實際上，就是讓設(shè)備輸入電壓超過標(biāo)準(zhǔn)范圍，對比特單元進(jìn)行強制編程。注意，提供工作時間比EEPROM 比特單元完成編程所需時間長得多的欠壓及過壓保護(hù)電路系統(tǒng)非常困難。不過，F(xiàn)RAM 的讀寫時間很快，因此可對電壓篡改攻擊進(jìn)行保護(hù)。
• 光篡改：有證據(jù)表明，EEPROM 比特單元可能因為Optical Fault Induction 攻擊而導(dǎo)致數(shù)據(jù)值被修改。激光或UV 輻射都不會影響FRAM 比特單元（忽略強光熱效應(yīng)），因此基于FRAM 的設(shè)備對于這類攻擊而言是安全的。
• 輻射：阿爾法粒子可導(dǎo)致EEPROM 中的比特替換。實踐證明，F(xiàn)RAM 架構(gòu)不受阿爾法粒子及其它輻射源影響。此外，由于FRAM 的鐵電屬性，其也不受磁場影響。
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圖 3：FRAM 與 EEPROM 受影響情況一覽表

    對于眾多上述攻擊的應(yīng)對措施就是確保閃存及EEPROM IC 的安全性。但是，與某種攻擊實例以及某單個器件上被盜用數(shù)據(jù)的價值相比，這些應(yīng)對措施往往實施起來成本太高。此外，這些應(yīng)對措施可提高電源需求，提升應(yīng)用設(shè)計復(fù)雜性，從而可降低整體系統(tǒng)可靠性。然而，由于FRAM 提供針對不同類型攻擊的所有內(nèi)在恢復(fù)力，因此可對安全應(yīng)用產(chǎn)生比閃存和EEPROM 更積極的影響，降低設(shè)計復(fù)雜性，消除實施應(yīng)對措施的開銷。

    使用支持快速信號及偏振狀態(tài)的FRAM 與使用閃存和EEPROM 相比，可為敏感代碼及數(shù)據(jù)提供強大保護(hù)。FRAM 存儲器塊可采用不同類型的訪問權(quán)限進(jìn)行配置，進(jìn)一步保護(hù)系統(tǒng)。只讀針對諸如LCD 使用的字體等常量，讀寫僅支持變量，而讀取與執(zhí)行僅適用于應(yīng)用代碼。訪問權(quán)限的使用不僅可提高應(yīng)用穩(wěn)定性，防止存儲器的無意識濫用，而且還可針對系統(tǒng)蓄意攻擊提供保護(hù)。

    此外，F(xiàn)RAM 存儲器管理還可通過IP 包絡(luò)提供另一層存儲器安全，使開發(fā)人員不但可定義受保護(hù)的存儲器分段，而且還可針對應(yīng)用進(jìn)行功能拆分。只有通過代碼執(zhí)行在相同包絡(luò)分段內(nèi)才能對受保護(hù)分段進(jìn)行直接讀寫訪問。這樣，來自未保護(hù)分段的代碼要訪問包絡(luò)分段的唯一途徑就是調(diào)用受保護(hù)分段內(nèi)的函數(shù)。具體而言，處理安全密鑰及數(shù)據(jù)的代碼可通過打包與其它應(yīng)用隔離。這樣，即便應(yīng)用代碼遭到某種毀壞，也不會暴露系統(tǒng)的安全部分。此外，外部JTAG 訪問不允許進(jìn)入受保護(hù)分段。不過要特別注意的是，任何設(shè)計都必須包含安全門入口和多重檢查等軟件設(shè)置，以便傳遞這種安全標(biāo)準(zhǔn)。該實用硬件特性可產(chǎn)生更深遠(yuǎn)的意義，但不是萬無一失的“傻瓜式”方案。

電源
    采用無線連接的便攜式應(yīng)用在設(shè)計時需要考慮電源效率問題。例如，加密通道會由所使用的握手與認(rèn)證過程大幅提升事務(wù)處理開銷。例如該過程不但可延長無線電的工作時間，而且還可延長CPU 的工作時間。在使用閃存或EEPROM 等慢速存儲器技術(shù)時，無線更新在超過10 mA 的恒定電流下可以按秒計，這對電池的負(fù)面影響非常大。

   集成型AES 256 加密引擎的高效率有助于工程師推出功耗僅為此前所需能源十分之一的加密功能。此外，F(xiàn)RAM 更快的訪問速度與更低的電源需求所消耗的功耗可比傳輸前加密格式記錄數(shù)據(jù)的單位功耗減少約250 倍。

    更好地理解這些數(shù)字，需要考慮執(zhí)行無線更新的低功耗器件。由于這些器件所需電源極少，因此要采用EEPROM 或閃存的話，一次更新的功耗可能就高達(dá)電池使用壽命的一個月。而采用FRAM 的同等系統(tǒng)將使用不足四分之一天的電池使用壽命。

圖4：TI MSP430FR59xx MCU 采用FRAM 存儲器管理提供存儲器保護(hù)及IP 包絡(luò)

    此外，F(xiàn)RAM 的高效率還可影響到標(biāo)準(zhǔn)工作期間的電源與存儲器使用效率。閃存和EEPROM 必須在某一時刻為存儲器擦除一個數(shù)據(jù)塊并對其進(jìn)行編程。因此，要改變單比特系統(tǒng)標(biāo)識，就必須從閃存讀取256 字節(jié)的整個塊，擦除該塊并重新為其寫回數(shù)據(jù)。利用FRAM，開發(fā)人員可對全部存儲器進(jìn)行比特級訪問。

    最后，由于EEPROM 與閃存的讀取、擦除和寫入序列，開發(fā)人員必須使用冗余存儲器塊對數(shù)據(jù)進(jìn)行鏡像，以確保潛在電源損耗過程中的數(shù)據(jù)完整性?？赏ㄟ^使用片上電容器，用FRAM 提供寫入操作擔(dān)保，來確保有足夠的電源完成當(dāng)前寫入工作。由于FRAM 寫入的極快速度與更低電流，電容器可以非常小，小得無需鏡像便可集成在MCU 上。

圖5：TI MSP430FR59xx MCU 中的FRAM 為無線固件升級提供電源管理優(yōu)勢

    FRAM 更高的電源效率可用于支持更長的電池使用壽命?；蛘吲cEEPROM 或閃存的使用相比，這些設(shè)備能夠以更低的功耗存儲更多的數(shù)據(jù)，因此開發(fā)人員可選擇采用較大數(shù)據(jù)緩沖或事件日志。這可幫助設(shè)備在更低頻率下進(jìn)行檢查，從而減少無線電或其它大功耗通信通道必須使用的頻次。

結(jié)論
    鑒于設(shè)備互聯(lián)趨勢的不斷發(fā)展，在MCU 中集成安全性正在成為一種常見需求。OEM 廠商可通過對器件預(yù)期工作范圍以外的惡意行為進(jìn)行阻止、檢查并采取相應(yīng)措施，防止數(shù)據(jù)暴露，避免應(yīng)用代碼被覆蓋，為敏感數(shù)據(jù)的交換提供安全的通信通道等措施，來保護(hù)客戶信息以及其自己的知識產(chǎn)權(quán)。

    FRAM MCU 的高效率架構(gòu)集成的硬件可在既不影響數(shù)據(jù)完整性或可靠性，又可降低功耗的情況下降低軟件復(fù)雜性，簡化安全系統(tǒng)設(shè)計。這樣，我們就可在低成本下將低功耗應(yīng)用的安全性提升到全新的高度。

作者簡介

Jacob Borgeson 現(xiàn)任德州儀器MSP430™ MCU 產(chǎn)品部FRAM 產(chǎn)品市場營銷經(jīng)理，擁有5 年的微控制器和功耗優(yōu)化經(jīng)驗。他此前撰寫出版的文章涉及能量采集、低功耗趨勢以及無線傳感及個人醫(yī)療監(jiān)護(hù)應(yīng)用。Borgeson 畢業(yè)于德州理工大學(xué)(Texas Tech University)，先后獲電氣工程學(xué)士學(xué)位與工商管理碩士學(xué)位。