中國科學(xué)院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米CMOS制程上取得進展，成功制造出高K金屬閘MOSFET。中科院指出，中國本土設(shè)計與制造的22nm元件展現(xiàn)出更高性能與低功耗。
　　
　　根據(jù)中科院微電子研究所積體電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心表示，這項研發(fā)專案并結(jié)合來自北京大學(xué)、清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)以及中科院微系統(tǒng)所的研究人員們經(jīng)過3年的共同努力，于近期取得了突破性進展。
　　
　　針對22nmCMOS技術(shù)節(jié)點的挑戰(zhàn)，該產(chǎn)學(xué)研發(fā)團隊在N型和P型MOS電容上取得了EOT≦8.5、漏電流降低3個數(shù)量級以及金屬閘主動功函數(shù)距矽晶能隙距離≦0.2eV的成果，成功研發(fā)出元件性能進一步提升的22nmMOSFET元件。
　　
　　中科院微電子研究所與微系統(tǒng)所、北京大學(xué)、清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)的開發(fā)團隊們已完成了1369項專利申請(國際專利申請424項)，其中高K/金屬閘極制程及相關(guān)專利、金屬堆疊結(jié)構(gòu)及其它專利已開始在中國制造廠導(dǎo)入開發(fā)。
　　
　　中科院指出，導(dǎo)入中國自行開發(fā)的22nmIC技術(shù)，將可為中國節(jié)省進口國外晶片或制程技術(shù)的龐大費用，并提升中國國產(chǎn)IC的競爭力。
　　
　　22/20-nm先進制程技術(shù)才剛導(dǎo)入商用領(lǐng)域，該技術(shù)之以受到重視要在于它能為智慧型手機與平板電腦降低功耗，從而實現(xiàn)更長的電池壽命。然而，中國在22nm電晶體技術(shù)開發(fā)道路上約落后西方2-4年。英特爾(Intel)先前已量產(chǎn)22nmFinFET制程元件，而臺積電(TSMC)也預(yù)計將在2013年量產(chǎn)20nm平面CMOS制程。
　　
　　多年來，在CoCom輸出條款以及Wassennaar協(xié)定的限制下，中國先進電子制造技術(shù)領(lǐng)域一直因為無法取得外來高科技產(chǎn)品與技術(shù)而使其發(fā)展受阻。然而，近年來，中國已透過一系列的外來制技術(shù)授權(quán)以及自我教育而逐漸迎頭趕上。中國本土的晶圓代工廠中芯國際(SMIC)目前已有能力提供商用40nmCMOS制程。
　　
　　根據(jù)中國新華社的報導(dǎo)，中國展開先進22nm電晶體制造屬于2009年國家重大科技專項的一部份。