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美高森美為NPT IGBT產(chǎn)品系列增添多款新器件

全新25A、50A和 70A IGBT器件設(shè)計(jì)用于大功率、高性能的工業(yè)應(yīng)用
2013-04-03

 

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號:MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件,包括25A、50A和70A額定電流型款。

 

美高森美的NPT IGBT產(chǎn)品系列設(shè)計(jì)用于需要大功率和高性能廣大范圍的工業(yè)應(yīng)用,最新的器件非常適合電焊機(jī)、太陽能逆變器,以及不間斷電源和開關(guān)電源。1200V產(chǎn)品系列中的所有器件均以美高森美的先進(jìn)Power MOS 8技術(shù)為基礎(chǔ),與競爭解決方案相比,總體開關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。

 

美高森美新的NPT IGBT解決方案與該產(chǎn)品系列中的所有器件相一致,可以與美高森美的FRED或碳化硅肖特基二極管組合封裝,為工程師提供高集成度解決方案,以便簡化產(chǎn)品開發(fā)工作。其它特性包括:

  • 與同類器件相比,柵極電荷顯著減少,具有更快的開關(guān)性能;
  • 硬開關(guān)運(yùn)作頻率超過80KHz,實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換;
  • 易于并聯(lián)(Vcesat的正溫度系數(shù)),提升大功率應(yīng)用的可靠性
  • 額定短路耐受時(shí)間(Short Circuit Withstand Time Rated, SCWT),在需要短路能力的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)作

除了器件優(yōu)勢之外,美高森美為NPT IGBT器件提供貼片D3封裝,可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更低的制造成本。

 


封裝和供貨

 

美高森美的1200V NPT IGBT產(chǎn)品系列現(xiàn)在包括20多款器件,額定電流有25A、40A、50A、70A和85A,IGBT產(chǎn)品采用D3、TO-247、T-MAX、TO-264和SOT-227封裝供貨。

 

新器件現(xiàn)在正在生產(chǎn),要了解更多的信息,或獲取產(chǎn)品樣品,請發(fā)送電郵至sales.support@microsemi.com,或者聯(lián)絡(luò)當(dāng)?shù)胤咒N商和美高森美銷售代表。

 

關(guān)于美高森美公司

 

美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號:MSCC) 為通信、國防與安全、航天與工業(yè)提供綜合性半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案,產(chǎn)品包括高性能、耐輻射的高可靠性模擬和射頻器件,可編程邏輯器件(FPGA)可定制單芯片系統(tǒng)(SoC) 與專用集成電路(ASIC);功率管理產(chǎn)品、時(shí)鐘與語音處理器件,RF解決方案;分立組件;安全技術(shù)和可擴(kuò)展反篡改產(chǎn)品;以太網(wǎng)供電(PoE)IC與電源中跨(Midspan)產(chǎn)品;以及定制設(shè)計(jì)能力與服務(wù)。美高森美總部設(shè)于美國加利福尼亞州Aliso Viejo,全球員工總數(shù)約3,000人。欲獲取更詳盡信息,請?jiān)L問網(wǎng)站:http://www.microsemi.com。 

 

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