《電子技術(shù)應(yīng)用》
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IR推出創(chuàng)新的電源模塊組件

為DC-DC同步降壓應(yīng)用提供行業(yè)領(lǐng)先的功率密度
2013-08-07

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日推出首套創(chuàng)新的電源模塊組件系列產(chǎn)品——IRFH4251D和IRFH4253D,適用于DC-DC同步降壓應(yīng)用,包括先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、服務(wù)器、顯卡、臺(tái)式電腦、超極本(Ultrabook) 和筆記本電腦等。

新款25V IRFH4251D和IRFH4253D采用IR的新一代硅技術(shù)和嶄新的5x6 mm PQFN封裝,提供功率密度的新標(biāo)準(zhǔn)。全新電源模塊組件配有高度集成的單片式FETKY®,其創(chuàng)新的封裝采用頂尖的翻模(flipped-die)技術(shù),可以將同步MOSFET源直接連接到電路板的地線層以實(shí)現(xiàn)有效散熱。由于具有更強(qiáng)的散熱性能和功率密度,任何一個(gè)采用5x6 mm封裝的新組件都可以替換采用5x6 mm封裝的兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)獨(dú)立組件。全新封裝還采用已在PowIRStage和SupIRBuck中廣泛使用的IR專利技術(shù)單銅夾,以及經(jīng)過(guò)優(yōu)化的布線,有助于大幅減少雜散電感以降低峰值鳴震,這樣設(shè)計(jì)師就可以用25V MOSFET代替效率較低的30V組件。

 

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IRFH4251D和IRFH4253D電源模塊組件采用頂級(jí)的硅技術(shù)和突破性封裝,具有多項(xiàng)嶄新功能,為高性能DC-DC開關(guān)應(yīng)用提供行業(yè)領(lǐng)先的功率密度。這些組件采用更高效的布線,必可樹立DC-DC雙MOSFET的行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)。”

 

IRFH4251D和IRFH4253D針對(duì)5V柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,可與各種控制器或驅(qū)動(dòng)器結(jié)合使用,從而帶來(lái)設(shè)計(jì)的靈活性,與采用兩個(gè)分立式30V功率MOSFET的同類方案相比,能以較小的占位面積實(shí)現(xiàn)更高的電流、效率和頻率。

 

 

規(guī)格

 

組件編號(hào)

封裝

電流額定值

IRFH4251D

PQFN 5 X 6

45A

IRFH4253D

PQFN 5 X 6

35A

 

產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。相關(guān)數(shù)據(jù)請(qǐng)瀏覽IR的網(wǎng)站www.irf.com。

 

 


 

IR簡(jiǎn)介

 

國(guó)際整流器公司  (NYSE:IRF) 是全球功率管理技術(shù)方面的領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR的數(shù)字、模擬和混合訊號(hào)IC及其他先進(jìn)功率管理器件可用來(lái)驅(qū)動(dòng)高效能運(yùn)算,且為廣泛的商業(yè)和消費(fèi)者應(yīng)用節(jié)省能源。世界上有不少著名的計(jì)算機(jī)、省電電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、航空和國(guó)防系統(tǒng)制造商都倚靠IR的功率管理技術(shù)來(lái)設(shè)計(jì)其下一代產(chǎn)品。欲進(jìn)一步了解IR,敬請(qǐng)瀏覽該公司網(wǎng)站www.irf.com。

 

 

專利和商標(biāo)

FETKY®、PowIRStage®、SupIRBuck®和IR®是國(guó)際整流器公司的注冊(cè)商標(biāo)。文中所提及其它產(chǎn)品名稱均為對(duì)應(yīng)持有人所有的商標(biāo)。IR的銅夾技術(shù)獲得美國(guó)多項(xiàng)專利,包括但不限于編號(hào)為6,946,740和6,040,626的美國(guó)專利。

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