Xilinx推出業(yè)界首款高性能DDR4內(nèi)存解決方案
2014-03-11
All Programmable技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(NASDAQ: XLNX)今天宣布推出業(yè)界首款面向All Programmable UltraScale™器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案,每秒數(shù)據(jù)速率高達(dá)2400 Mb。UltraScale器件采用ASIC級架構(gòu),可支持大量I/O和超大存儲帶寬,并能夠大幅降低功耗和時延。賽靈思穩(wěn)定可靠的內(nèi)存解決方案可加速設(shè)計進(jìn)程,并增加了對DDR4接口的支持。
UltraScale器件中的新增DDR4內(nèi)存接口可提供超過1Tb/s的存儲帶寬,能夠滿足視頻成像與處理、流量管理和高性能計算等重要應(yīng)用領(lǐng)域新一代前沿系統(tǒng)設(shè)計對海量數(shù)據(jù)流快速處理以及海量內(nèi)存的需求。從DDR3 升級為DDR4后,應(yīng)用的讀取時延減少了30%,而且在相同數(shù)據(jù)速率下大幅降低了功耗。更富吸引力的是,從每秒1866 Mb的DDR3升級到每秒2400 Mb的DDR4后,客戶不僅提升了30%的數(shù)據(jù)速率,同時還能削減20%的功耗。
這些DDR4內(nèi)存接口經(jīng)過嚴(yán)格系統(tǒng)條件下(例如變化的電壓和溫度、系統(tǒng)抖動)高難度數(shù)據(jù)模式的測試,可確保為實際系統(tǒng)部署預(yù)留工作裕量。賽靈思的SelectIO™接口符合JESD79-4 DDR4 SDRAM標(biāo)準(zhǔn),有助于確保獲得最大時序裕量。為保證最佳信號完整性,I/O技術(shù)還包括傳輸預(yù)加重、接收均衡、低抖動時鐘和噪聲隔離設(shè)計技術(shù)。
賽靈思公司FPGA產(chǎn)品管理與市場營銷高級總監(jiān)Dave Myron指出;“賽靈思現(xiàn)已開始交付高性能DDR4接口,支持客戶采用當(dāng)今最先進(jìn)的內(nèi)存解決方案進(jìn)行設(shè)計。而領(lǐng)先的PC制造商們在今年較晚時間才會剛剛開始低線速率產(chǎn)品的推出。”
美光(Micron)公司DRAM市場營銷副總裁Robert Feurle表示:“當(dāng)今的客戶不斷要求使用更高的存儲帶寬支持更大規(guī)模數(shù)據(jù)密集型的應(yīng)用,通過與賽靈思的強(qiáng)大合作,美光的DDR4內(nèi)存技術(shù)和賽靈思的UltraScale器件相結(jié)合,致力于為我們的共同客戶提供市場領(lǐng)先的解決方案。”
供貨進(jìn)程
支持DDR4內(nèi)存接口的UltraScale器件現(xiàn)已發(fā)貨。觀看使用中速級硅片和美光4G器件每秒運行2400Mb的DDR內(nèi)存接口演示視頻,請點擊:china.xilinx.com/memory.