IR 新型25V DirectFET 芯片組為高頻率 DC-DC 開關(guān)應(yīng)用帶來業(yè)界領(lǐng)先效率
2010-04-14
作者：IR
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。
IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術(shù)，還具有業(yè)界領(lǐng)先的性能指數(shù) (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關(guān)和熱特性，成為一個為高頻率 DC-DC 開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化的解決方案。
IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR 通過改善關(guān)鍵參數(shù)不斷提升功率 MOSFET 的性能。新款 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET 芯片組把低電荷及低導通電阻 (RDS(on)) 與業(yè)界最低的柵極電阻 (Rg) 相結(jié)合，使傳統(tǒng)上由典型同步降壓轉(zhuǎn)換器的同步和控制接口產(chǎn)生的傳導損耗和開關(guān)損耗降到了最低。”
IRF6798MPbF 的中罐 DirectFET 封裝提供低于1 mΩ 的導通電阻，使整個負載范圍可保持極高的效率。新器件配有單片集成式肖特基二極管，能夠減少與體二極管傳導相關(guān)的損耗，并能實現(xiàn)反向恢復(fù)損耗，進一步提高解決方案的整體性能。IRF6798MPbF 還提供僅為 0.25 mΩ 的極低柵極電阻，避免了與 Cdv/dt 相關(guān)的擊穿。
IRF6706S2PbF 小罐 DirectFET 也具備低電荷和低導通電阻，可減少開關(guān)損耗及傳導損耗，還可為快速開關(guān)提供極低的柵極電阻。
產(chǎn)品基本規(guī)格
|
器件編號 |
BVDSS (V) |
10V 下 的典型 導通 電阻(mΩ) |
4.5V 下 的典型 導通 電阻(mΩ) |
VGS (V) |
TA 為 25ºC時 的ID(A) |
典型 QG (nC) |
典型 QGD (nC) |
外形 代碼 |
|
IRF6798MPBF |
25 |
0.915 |
1.6 |
+/-20 |
37 |
50 |
16 |
MX |
|
IRF6706S2PBF |
25 |
3.2 |
5.3 |
+/-20 |
17 |
12 |
4.2 |
S1 |
有關(guān)產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。這些新器件的數(shù)據(jù)表和應(yīng)用說明已刊登于IR的網(wǎng)站www.irf.com。
IR簡介
國際整流器公司 (簡稱IR，紐約證交所代號IRF) 是全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動高性能計算設(shè)備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設(shè)備) ，是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準。
IR成立于1947年，總部設(shè)在美國洛杉磯，在二十個國家設(shè)有辦事處。IR全球網(wǎng)站：www.irf.com，中國網(wǎng)站：www.irf.com.cn。