《電子技術(shù)應(yīng)用》
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IR的電池保護(hù)MOSFET系列 為移動(dòng)應(yīng)用提供具有成本效益的靈活解決方案

2014-12-02
來源:國際整流器公司

    全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)近日針對(duì)鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件,包括IRL6297SD雙N通道DirectFETMOSFET。

    全新功率MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻,可大幅減少導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件,最高柵極驅(qū)動(dòng)從12Vgs起,非常適合包含了兩個(gè)串聯(lián)電池的電池保護(hù)電路。IRL6297SD在精密且能高效散熱的小罐式DirectFET封裝內(nèi)提供兩個(gè)采用共漏極配置的20VN通道MOSFET。

    IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR擁有適合電池管理的廣泛的MOSFET產(chǎn)品系列,提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝以及適合精密設(shè)計(jì)的小罐式雙DirectFET封裝。新器件具有低導(dǎo)通電阻,可替代采用較大封裝的MOSFET,從而節(jié)省電路板空間及系統(tǒng)成本。”

所有新產(chǎn)品均不含鉛、溴和鹵,符合第一級(jí)濕度敏感度標(biāo)準(zhǔn)(MSL1)及電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS)。

規(guī)格

器件

通道類型

配置

封裝

VBRDSS
(V)

最大VGS
(V)

4.5V下的

最大導(dǎo)通電阻
(m?)

2.5V下的

最大導(dǎo)通電阻
(m?)

典型QG
(nC)

IRL6297SD

N

雙共漏極

DirectFET SA

20

12

4.9

6.9

54

IRLML2246

P

SOT-23

-20

12

-135

-236

2.9

IRLML2244

P

SOT-23

-20

12

-54

-95

6.9

IRLML6244

N

SOT-23

20

12

21

27

8.9

IRLML6246

N

SOT-23

20

12

46

66

3.5

IRLML6344

N

SOT-23

30

12

29

37

6.8

IRLML6346

N

SOT-23

30

12

63

80

2.9

IRLHS2242

P

PQFN 2x2

-20

12

-31

-53

12

IRLHS6242

N

PQFN 2x2

20

12

11.7

15.5

14

IRLHS6276

N

雙獨(dú)立

PQFN 2x2

20

12

45

62

3.1

IRLHS6342

N

PQFN 2x2

30

12

15.5

19.5

11

IRLHS6376

N

雙獨(dú)立

PQFN 2x2

30

12

 

82

2.8

IRLTS2242

P

TSOP-6

-20

12

-32

-55

12

IRLTS6342

N

TSOP-6

30

12

17.5

22

11

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