《電子技術(shù)應(yīng)用》
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高通/R&S攜手展出LTE數(shù)據(jù)機(jī)芯片效

2015-06-12

  高通(Qualcomm)與羅德史瓦茲(Rohde & Schwarz)攜手展出一系列新晶片組與處理器,其中包括上行載波聚合商用數(shù)據(jù)機(jī)晶片、Cat. 9商用裝置、與具備Cat. 6下行傳輸速度,并配備X8長程演進(jìn)計(jì)畫(LTE)數(shù)據(jù)機(jī)晶片的Snapdragon 425處理器。

  透過與高通的密切合作,R&S率先以進(jìn)階長程演進(jìn)計(jì)畫(LTE-A)三個(gè)下行元件載波聚合的連線,在北京Redefining Connectivity活動(dòng)與臺(tái)灣COMPUTEX展覽期間,成功展示下一代Qualcomm Snapdragon LTE數(shù)據(jù)機(jī)晶片組的效能;搭配展出的R&S測試配置包含兩臺(tái)R&S CMW500寬頻無線通訊測試儀與R&S CMWC Multi-CMW控制器。

  展出項(xiàng)目包括Snapdragon X12 LTE數(shù)據(jù)機(jī)晶片的上行載波聚合,以UL/DL configuration 1呈現(xiàn)兩倍的LTE分時(shí)多工(TDD)上傳速度,R&S CMW500在此展示中被用以作為eNode B模擬器,增強(qiáng)型上行傳輸量將可更快速分享高品質(zhì)照片與影音視頻,并加速云端空間檔案上傳的速度。

  另外亦展示配備X10 LTE數(shù)據(jù)機(jī)晶片的Snapdragon 810處理器于Cat. 9 LTE-A三個(gè)下行元件載波聚合的連線,其LTE TDD下載速度峰值可達(dá)320Mbit/s;R&S CMW500于此展示中提供真實(shí)網(wǎng)路連線。

  而配備X8 LTE數(shù)據(jù)機(jī)晶片的Snapdragon 425處理器于Cat. 6 LTE-A兩個(gè)元件載波聚合的連線,可達(dá)300Mbit/s,相當(dāng)于兩倍的LTE下載速度,將為大容量行動(dòng)裝置帶來更高品質(zhì)的傳輸效能。


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