DRAM芯片轉(zhuǎn)進20納米制程難度高，市場供需失衡蔓延到各個應(yīng)用領(lǐng)域。三星官網(wǎng)全球DRAM產(chǎn)業(yè)進入20納米制程世代后，進入門檻非常高。一方面是設(shè)備投資變大，需求的機臺設(shè)備多很多，甚至讓DRAM廠加蓋無塵室來放擺放機臺設(shè)備，否則導(dǎo)致產(chǎn)出數(shù)量大幅減少。而20納米制程的另一個高門檻就是生產(chǎn)難度大增，DRAM市場價格無法反彈，這些次級品(downgrade)的貨源大幅流竄是一大兇手。

　　市場終端需求不好，蘋果(Apple)下半年推出的新一代iPhone內(nèi)建存儲器容量從1G升級到2G，其他新機容量甚至提升到4G存儲器，這樣倍增的存儲器需求，成為2015年存儲器產(chǎn)業(yè)的唯一信念，甚至自我催眠DRAM行情一定不會太差，但結(jié)果令人失望。

　　業(yè)者認為，市場缺乏殺手級產(chǎn)品消化存儲器芯片，過去DRAM芯片過度依賴PC應(yīng)用，現(xiàn)在已大幅分散到各領(lǐng)域，但DRAM產(chǎn)業(yè)的供需平衡關(guān)系十分敏感，過去3年的好光景還是要面臨修正。

　　其實，DRAM產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用分散后，DRAM廠對于產(chǎn)業(yè)掌握度的難度大幅提高。以智能型手機來看，DRAM廠就非常傷腦筋，消費者口味變化莫測且瞬息萬變，大廠規(guī)格又難掌握，DRAM廠光是每個月要決定怎么投片、哪些產(chǎn)品提高或減少投片，常常傷透腦筋，要能搜集到各方資訊才能做出正確的判斷，且市場反應(yīng)要很快。

　　業(yè)者分析，PC DRAM市場行情不好，是受到英特爾(Intel)的新處理器Skylake延遲到下半年推出影響，原本PC需求就很差，新處理器延后推出更是一大重擊。移動存儲器(Mobile RAM)價格也持續(xù)下跌，連高毛利率的伺服器DRAM也支撐不住。

　　供給端也出現(xiàn)一大殺手，就是20納米制程芯片制程的轉(zhuǎn)換難度十分高，導(dǎo)致過程中不斷流出次級品。過去每一次的制程轉(zhuǎn)換當(dāng)然都有類似情況，但這次20納米制程的意外是，透過后段的wafer sorting技術(shù)后，每片12吋晶圓透過sorting出的可用晶圓比重大幅提升，導(dǎo)致流到市場的貨變多，讓整個DRAM市場到處流竄次級品。

　　業(yè)者認為，20納米DRAM芯片次級品流竄的情況還會持續(xù)一陣子，因為三星電子(Samsung Electronics)轉(zhuǎn)20納米制程后，還有SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)要轉(zhuǎn)20納米制程，一定會有同樣的狀況出現(xiàn)，市場還要忍受好一陣子。