實時時鐘（RTC）可獨立完成計時或事件記錄的功能。目前很多電子產(chǎn)品都具有時鐘計時
功能，而且對時鐘的精度要求越來越高。RTC 產(chǎn)品種類繁多，根據(jù)封裝尺寸、接口方式、附
加功能、時鐘精度、待機功耗等進行分類。產(chǎn)品結構上又可分為內(nèi)置晶體和外置晶體兩種。
一般晶體外置這種結構的RTC 成本較低，但是在設計中常常會遇到以下問題：
1． 外接晶體的選擇
       不同廠家、不同批次的晶體產(chǎn)品會在個別參數(shù)上不盡相同。按照同一標準設計就可能帶來較大的時鐘誤差。為了得到較高精度的時鐘，要求晶體廠商對32k 晶體進行精度篩選。篩選后
提供室溫下±20ppm 至±10ppm，甚至±5ppm 的頻率精度，但是這不能保證實際設計中的
精度需求，因為晶體的實際頻率輸出精度由晶體和起振電路共同決定，因此即使使用了±
5ppm 的晶體仍然得不到理想的精度要求就是這個原因。不同的RTC 芯片對晶體的ＣＬ值要
求不同，如果匹配不當就會帶來非常大的誤差，同時也會帶來起振緩慢或起振困難等問題。
實際設計中確實會經(jīng)常遇到此類問題。因此，晶體的選擇無疑為客戶帶來額外的勞動量。

2． 生產(chǎn)和應用中遇到的問題
       外置晶體增加了元件數(shù)量，也就增加了不良率的風險。外接晶體放置的位置也會對產(chǎn)品性能產(chǎn)生影響，一般要求晶體越靠近IC 的頻率引腳越好，走線盡量的短，不要有高頻信號線穿過
晶體區(qū)域等。另外，由于成本的因素考慮，部分客戶會選擇直插型32k 晶體，這也增加了生
產(chǎn)的負擔和效率。
       高溫高濕、高污染的應用環(huán)境下，對于外置晶體的RTC 設計是種考驗。這種環(huán)境條件下容易增加晶體部分的線路阻抗和寄生電容，導致起振困難和精度變差等問題。整個回路特性的變
化也會對晶體本身帶來損害，導致產(chǎn)品存在失效的隱患。

3． 難以實現(xiàn)溫度補償
       由于材料本身的特性所決定，溫度對32k 晶體會產(chǎn)生較大的影響，導致時鐘精度漂移。因此在較高要求的應用場合就需要進行溫度補償。溫度補償主要是利用32k 晶體的溫度—頻率曲
線（Δf/f = B*(T - To)2 + fo）將溫度帶來的誤差進行補償?shù)囊环N方法。但是不同廠家晶體的曲率系數(shù)B 不盡相同，同時晶體的電路匹配也會使得fo（參比溫度下的頻率偏差）發(fā)生變化，
導致各個溫度點對應的頻率偏差發(fā)生變化，系統(tǒng)將沒有辦法對其進行溫度補償。如果要實現(xiàn)
高精度的溫度補償就要對每個晶體進行參數(shù)標定，很顯然這是不現(xiàn)實的。

       為了解決上述問題，EPSON 為客戶提供內(nèi)置32k 晶體的各種接口以及具有附加功能的
RTC 產(chǎn)品。

內(nèi)置晶體的RTC 具有以下優(yōu)點：
1． 減少器件數(shù)量，使得設計更加緊湊可靠。可以做到小型化和高可靠性。不用再考慮晶
體的布局和走線，另外所有產(chǎn)品都采用SMD 封裝，可以提高生產(chǎn)品質(zhì)和效率。
2． 內(nèi)置晶體可以保證時鐘精度的一致性，可以避免除了溫度以外的因素對精度的影響。同時可以為客戶節(jié)省晶體匹配所花費的精力和時間。EPSON 在出廠前對每顆產(chǎn)品都進
行了頻率標定。
3． EPSON 可以提供內(nèi)置32k 的DTCXO（數(shù)字溫度補償振蕩器）的超高精度的RTC 產(chǎn)
品?？梢詫崿F(xiàn)±5×10-6 / -40~+85℃。（實測數(shù)據(jù)如下圖）

4． 可以實現(xiàn)產(chǎn)品的低功耗特性，可以大大增加備用電池的使用壽命。為超長的時鐘數(shù)據(jù)
保持提供可能。
       總之，EPSON 作為全球最具實力的時鐘器件提供商，我們致力為客戶提供高精度、高可
靠性、具有多種接口、功能豐富的RTC 產(chǎn)品，并可根據(jù)應用的實際需要設計出更受廣大
用戶歡迎的產(chǎn)品。