中國(guó)的集成電路產(chǎn)業(yè)起步于1965年，先后經(jīng)歷了自主創(chuàng)業(yè)(1965~1980)、引進(jìn)提高(1981~1989 )和重點(diǎn)建設(shè)(1990~1999 )三個(gè)發(fā)展階段。經(jīng)過(guò)40多年的發(fā)展，從無(wú)到有、從小到大，不但初步形成了一定的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，并且在基礎(chǔ)研究、技術(shù)開(kāi)發(fā)、人才培養(yǎng)等方面都取得了較大成績(jī)，特別是最近幾年，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)得到比以往更迅速的發(fā)展。以2000年國(guó)務(wù)院18號(hào)文件的頒布為標(biāo)志，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了全面快速發(fā)展的新階段。

　　中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模增長(zhǎng)

　　1979年到1993年 國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展比較緩慢，總產(chǎn)量一直未能超過(guò)1 億塊的規(guī)模；

　　1994 年 產(chǎn)量開(kāi)始迅速上升，并以高增長(zhǎng)率穩(wěn)步提高；

　　2003年 總產(chǎn)量首次突破100億塊；

　　2006年 總銷售額首次突破干億元大關(guān)；

　　2014年 總產(chǎn)量達(dá)到1034.8億塊，銷售額達(dá)到3015.4億元。

　　中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模由1997年不足世界集成電路產(chǎn)業(yè)總規(guī)模的0.6%提高到2014年的15%，中國(guó)由此而成為同期世界集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展最快的地區(qū)之一。同時(shí)，也形成了一批以中芯國(guó)際、海思半導(dǎo)體、展訊、華潤(rùn)微電子為代表的半導(dǎo)體重點(diǎn)企業(yè)。

　　2012~2014年中國(guó)及全球集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入規(guī)模及增長(zhǎng)（單位：億元）

　　中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)

　　目前中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)逐步由大而全的綜合制造模式走向設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試三業(yè)并舉、各自相對(duì)獨(dú)立發(fā)展的格局。

　　中國(guó)集成電路生產(chǎn)線

　　近10 年間，中國(guó)集成電路生產(chǎn)線的主流技術(shù)已由5 英寸、6 英寸提升到8英寸、12 英寸;工藝水平由0.5 微米以上工藝水平提升到0.18 微米~0.25 微米、110 納米、90 納米55 納米和40 納米。2014 年，中國(guó)集成電路生產(chǎn)線達(dá)到68 條，其中12 寸1 8 條、8 寸17 條、6 寸20 條。

　　2014年中國(guó)6英寸以上集成電路芯片生產(chǎn)線地區(qū)分布

　　以中芯國(guó)際、華虹宏力、華力微電子等為代表的本土集成電路企業(yè)迅速崛起。中芯國(guó)際在先進(jìn)技術(shù)制程方面的技術(shù)進(jìn)步令人矚目，技術(shù)水平正向28納米提升;與此同時(shí)，以海力士、三星為代表的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體企業(yè)先后在中國(guó)大陸投資設(shè)廠，真工藝技術(shù)也位于世界先進(jìn)水平，并不斷提升。

　　中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)工藝

　　我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)工藝技術(shù)也突飛猛進(jìn)，設(shè)計(jì)水平已進(jìn)入了40~28 納米世界主流技術(shù)領(lǐng)域。華為海思的麒麟930處理器工藝已經(jīng)達(dá)到28 納米，而下一代處理器麒麟950 的工藝將達(dá)到16 納米;展訊的智能手機(jī)芯片采用與處理器性能相匹配的制程，最高也達(dá)到了16 納米工藝。這標(biāo)志著中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的設(shè)計(jì)工藝開(kāi)始步入世界先進(jìn)行列。

　　2012~2014年中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)銷售收入及增長(zhǎng).