雖然搭載驍龍820的手機都還沒開賣，但高通下一代旗艦驍龍830(代號MSM8998)的小道消息已經(jīng)出來了。 這顆SoC將由三星下一代的10nm制程打造，在提升性能的同時可以減少功耗，而且驍龍830將可能支持8GB的內(nèi)存。

　　從驍龍820的雙通道LPDDR4 1866MHz內(nèi)存推斷，驍龍830很可能會采用一樣的雙通道配置，但容量將直接翻倍。三星在9月宣布已經(jīng)量產(chǎn)基于20nm制程的12Gb(1Byte=8bit，即折合1.5GB)LPDDR4內(nèi)存芯片，為手機配6GB內(nèi)存鋪平了道路。只要廠商需要，它們只需要堆4塊這樣的芯片就可以有6GB的內(nèi)存了。

　　而下一年10nm制程到來的時候，三星很可能就能夠量產(chǎn)16Gb內(nèi)存芯片，這樣后年到來的驍龍830就可能在2017年初吃上8GB的內(nèi)存了。

　　當(dāng)然，手機究竟用不得著這么大的內(nèi)存也是個值得商榷的問題。但可以肯定的是專業(yè)類型的平板，以及X86構(gòu)架、可以外接顯示器并且運行win10的手機應(yīng)該會用得上這激動人心的8GB內(nèi)存。