《電子技術(shù)應(yīng)用》
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RRAM領(lǐng)軍者Crossbar結(jié)緣中國 2017年將量產(chǎn)

2016-04-06
作者:楊慶廣
來源:電子技術(shù)應(yīng)用
關(guān)鍵詞: Crossbar RRAM 中芯國際 NAND

       現(xiàn)在大部分智能手機(jī)、平板電腦、固態(tài)硬盤都采用NAND Flash作為存儲部件,NAND和以前存儲技術(shù)相比有許多優(yōu)點(diǎn),存儲讀取速度快、體積小。不過隨著NAND部件存儲容量加大,其設(shè)計(jì)復(fù)雜度和存儲控制難度等都在加大。一些新型的存儲技術(shù)自然逐漸出現(xiàn),對NAND提出了挑戰(zhàn)。阻變式存儲器(RRAM)就是其中之一,Crossbar公司是RRAM技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。

       RRAM具有許多新的特性,比如:在單芯片上實(shí)現(xiàn)太字節(jié)(terabyte)存儲,比DRAM高40倍的密度,并具備更高的性能和可靠性;更快的讀取速度;比NAND快1,000倍的寫入速度;比NAND高1,000倍的耐久性;支持高溫環(huán)境,可用于數(shù)據(jù)中心和移動設(shè)備。

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Crossbar戰(zhàn)略營銷和業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁Sylvain Dubois(左一)

Crossbar首席科學(xué)家暨聯(lián)合創(chuàng)始人盧偉教授(左二)

Crossbar首席執(zhí)行官暨聯(lián)合創(chuàng)始人George Minassian博士(左三)

北極光創(chuàng)投董事總經(jīng)理暨Crossbar董事會董事楊磊博士(左四)  

       “現(xiàn)在有不少新型的存儲技術(shù)出現(xiàn),我們跟它們比材料結(jié)構(gòu)非常簡單,成本較低,容量可以做的很大。比如像鐵電存儲器(FRAM)一般都需要二十層左右的材料,這樣工藝也會很復(fù)雜,而我們就只需要三層。再比如,相變存儲(Phase-Change Memory)大概需要100種新材料加進(jìn)代工廠,而我們只要三層結(jié)構(gòu),并且沒有任何新材料。RRAM在成本和生產(chǎn)方面都有著優(yōu)勢?!盋rossbar首席科學(xué)家暨聯(lián)合創(chuàng)始人盧偉教授告訴《電子技術(shù)應(yīng)用》記者。

       北極光創(chuàng)投董事總經(jīng)理暨Crossbar董事會董事楊磊博士進(jìn)一步解釋說:“對,它本身的器件結(jié)構(gòu)決定了它就不可能貴,但是前提條件是你的生產(chǎn)良率和生產(chǎn)規(guī)模要達(dá)到一定的程度,但是器件簡單的東西,說實(shí)話良率只是一個(gè)時(shí)間的問題。我們現(xiàn)在良率已經(jīng)非常高了?!?/p>

       和很多先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司大多數(shù)是由歐美主導(dǎo)不同,Crossbar有很多“中國基因”。Crossbar技術(shù)首先由中國出生的盧偉博士。盧博士在RRAM領(lǐng)域積累了十二年的研究經(jīng)驗(yàn),他先作為哈佛大學(xué)的博士后研究員,然后被任命為密歇根大學(xué)教授從事這項(xiàng)研究。他是納米結(jié)構(gòu)和設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)先專家,包括基于雙端電阻開關(guān)設(shè)備的高密度內(nèi)存和邏輯系統(tǒng)、神經(jīng)元電路、半導(dǎo)體納米線設(shè)備和低維系統(tǒng)中的電子輸運(yùn)。其次公司成立于2010年,由中國及全球風(fēng)投投資,北極光創(chuàng)投就是中國投資者之一。最后,最近Crossbar和中國代工廠中芯國際合作采用40nm工藝準(zhǔn)備2017年開始量產(chǎn)RRAM。

       雖然RRAM技術(shù)先進(jìn),存儲容量方面占據(jù)優(yōu)勢,但是初期受制于生產(chǎn)規(guī)模,所以價(jià)格會相對較高,將主要針對特定市場。

       盧偉透露說,我們初期會主要針對嵌入式和物聯(lián)網(wǎng)市場,存儲容量規(guī)格會主打8M和16M。

       Crossbar首席執(zhí)行官暨聯(lián)合創(chuàng)始人George Minassian博士也表示:“物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備市場需要節(jié)能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技術(shù)能提供片上編程和數(shù)據(jù)存儲的嵌入式內(nèi)存模塊,也可單獨(dú)作為EEPROM內(nèi)存,將是滿足這些需求的理想解決方案?!?/p>

       隨著RRAM逐漸成熟,也會逐漸進(jìn)入企業(yè)市場、計(jì)算中心等行業(yè)客戶。

       為了更好地服務(wù)中國客戶,Crossbar還在近日設(shè)立了上海辦事處,負(fù)責(zé)技術(shù)轉(zhuǎn)讓和客戶的售后支持。

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