文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.2016.04.011
中文引用格式: 林倩,劉洋,陳超. 基于自動(dòng)建模的射頻功率放大器的互連可靠性研究[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2016,42(4):39-42,48.
英文引用格式: Lin Qian,Liu Yang,Chen Chao. Research on the interconnect reliability of radio frequency power amplifier using automatic modeling[J].Application of Electronic Technique,2016,42(4):39-42,48.
0 引言
功率放大器(Power Amplifier,PA)是通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵模塊,在PA的優(yōu)化設(shè)計(jì)中,由于電路參數(shù)較多,模型結(jié)構(gòu)較復(fù)雜,電路仿真需要耗費(fèi)大量的時(shí)間和資源,在復(fù)雜工藝和高頻MMIC PA設(shè)計(jì)中更為突出。隨著集成電路工藝的發(fā)展,金屬連線寬度和厚度變小,新工藝和新材料不斷被應(yīng)用到通信系統(tǒng)中,使得功率放大器的互連可靠性問(wèn)題越來(lái)越突出[1]。毫米波MMIC功率放大器金屬連接線上流過(guò)的電流密度超過(guò)105 A/cm2[2],在如此高電流密度的作用下,電遷移導(dǎo)致金屬連線中出現(xiàn)原子堆積或者空洞,引起金屬連接線的短路或開(kāi)路[3],進(jìn)而使得電路發(fā)生功能失效。因此,電遷移已經(jīng)成為通信系統(tǒng)中電路失效的主要原因,是系統(tǒng)可靠性的最大威脅。
關(guān)于電遷移的研究,最早是在1959年由Fiks[4]等人提出。1961年,Huntington[5]研究了由電流引起的金屬連線原子運(yùn)動(dòng)的電遷移失效。60年代末期,人們開(kāi)始對(duì)金、銀、銅、鋁及其他金屬合金材料進(jìn)行電遷移研究。Black提出了著名的Black公式半經(jīng)驗(yàn)公式[6]。1976年,Blech在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)現(xiàn)了“Blech效應(yīng)”[7](又稱“短尺寸效應(yīng)”),即當(dāng)金屬導(dǎo)體的長(zhǎng)度小到一定距離時(shí),電遷移原子移動(dòng)將會(huì)停止。1997年IBM和Motorola將Cu互連線引入CMOS制造工藝中,成為互連線可靠性領(lǐng)域的一大變革。
隨著互連線的寬度縮小至深亞微米級(jí),溫度梯度遷移、熱機(jī)械應(yīng)力梯度遷移和表面遷移等效應(yīng)也成為影響電遷移的重要因素[8]。1999年Rzepka首次將導(dǎo)致電遷移的這些因素整合到有限元分析方法中[9]。2000年,Duan等用實(shí)驗(yàn)證明了原子通量散度(AFD)最大的位置最易發(fā)生原子空位的積累,進(jìn)而引發(fā)電遷移[10]。2001年,Dalleau[11]對(duì)電遷移的有限元模型進(jìn)行改進(jìn),提出的有限元模型中AFD計(jì)算公式以及空穴形成的算法一直得到研究者們的青睞。
在此基礎(chǔ)上,在電路級(jí)的互連線可靠性研究方面,南洋理工大學(xué)的F. He[12]首次采用了3D模型,利用ANSYS對(duì)一個(gè)COMS反相器進(jìn)行了建模和仿真。之后天津大學(xué)的田毅貞[13]等在此基礎(chǔ)上結(jié)合神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行了進(jìn)一步的研究,但這些僅僅是電路級(jí)互連可靠性研究的初步嘗試,有關(guān)復(fù)雜電路的互連可靠性分析還沒(méi)有涉及。
本文主要完成了一個(gè)典型的射頻功率放大器的3D自動(dòng)建模和仿真,主要采用了參數(shù)化自動(dòng)建模的方法,大大縮減了建模的時(shí)間,提高了仿真的效率。通過(guò)分析得出了溫度、電流、晶體管尺寸等因素對(duì)電路可靠性的影響,為電路的設(shè)計(jì)提供了參考。
1 電遷移概述
隨著集成度的不斷提高,金屬互連線的截面積越來(lái)越小,電流密度顯著增大,電遷移[14]是電路發(fā)生失效的主要原因。它引起金屬原子擴(kuò)散和遷移,進(jìn)而導(dǎo)致原子和空位不斷積累,而空位的積累會(huì)引起互連線開(kāi)路,金屬線電阻增大,造成電路的功能性失效。同時(shí),金屬原子積累導(dǎo)致互連線局部短路,造成電路另一種功能性失效。這兩種互連線的失效,對(duì)電路來(lái)說(shuō)是致命的,大大地降低了互連線的可靠性。
電遷移導(dǎo)致的互連失效時(shí)間(tf)可用式(1)來(lái)表示[15],其中B為常數(shù),T為溫度,j為電流密度,kB為玻爾茲曼常數(shù),Ea為金屬原子遷移時(shí)的勢(shì)壘高度。從式(1)可以得出,溫度升高、電流密度增大會(huì)縮短互連線的失效時(shí)間,進(jìn)而提高互連線的壽命。
組成AFD的主要因素包括電、熱和熱機(jī)械應(yīng)力,分別對(duì)應(yīng)了AFD的3種主要驅(qū)動(dòng)力,即電子風(fēng)、溫度梯度遷移和熱機(jī)械應(yīng)力梯度遷移。電子風(fēng)是導(dǎo)體中的金屬離子引起的直接力與電子風(fēng)力的合力,它與電流密度成反比。互連線的焦耳熱,結(jié)構(gòu)和材料不均勻?qū)е聹囟确植疾痪鶆?,進(jìn)而產(chǎn)生了溫度梯度?;ミB線中的溫度梯度使得原子從溫度高的區(qū)域流向溫度低的區(qū)域,這就是溫度產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)力。熱機(jī)械應(yīng)力是由金屬材料與周?chē)牧现g的熱量失配引起的。
由這3種驅(qū)動(dòng)力引起的原子流梯度的公式分別為式(3)~式(5)[17]:其中,E是楊氏模量,α1是熱膨脹系數(shù),ν是金屬薄膜的泊松系數(shù)。
互連線中總的AFD是這3種不同驅(qū)動(dòng)因素產(chǎn)生AFD的和,即Total_AFD=AFD_EWF+AFD_TM+AFD_SM,AFD_EWF指由電子風(fēng)產(chǎn)生的AFD,AFD_TM指因溫度及溫度梯度產(chǎn)生的AFD,AFD_SM指因熱機(jī)械應(yīng)力以及熱機(jī)械應(yīng)力梯度產(chǎn)生的AFD。
鑒于以上所述,本文通過(guò)計(jì)算AFD來(lái)衡量互連線的可靠性。在可靠性仿真中,互連線上AFD的最大值就用來(lái)計(jì)算金屬互連線的失效時(shí)間,同時(shí)對(duì)應(yīng)的位置也是整個(gè)互連線系統(tǒng)中最易失效最不可靠的地方。
2 基于自動(dòng)建模方法的3D建模
在電遷移研究的早期,一般采用實(shí)驗(yàn)和數(shù)值計(jì)算法,但誤差比較大。之后又出現(xiàn)了一些2D的仿真器和建模工具,如BERT[18]和RELIANT[19]是計(jì)算由電流密度引起的電路失效。后來(lái),Teng等采用的基于溫度的仿真器iTEM[20]考慮了溫度效應(yīng)、電流密度等因素,將電路中的互連線分割成獨(dú)立的小段,沒(méi)有考慮連線間的耦合關(guān)系,存在很大的局限性。隨著集成電路的發(fā)展,影響互連線可靠性的因素還與溫度梯度與應(yīng)力梯度以及材料等因素有關(guān),因此這種基于電流密度的2D建模已不能滿足要求。
近年來(lái)產(chǎn)生的三維(3D)電路建模技術(shù)可以將溫度、熱應(yīng)力以及材料屬性都進(jìn)行耦合分析。1999年,Rzepka等率先采用有限元分析方法進(jìn)行了電遷移分析[21],之后這種方法被廣泛使用于再可靠性分析中。在此也采用有限元數(shù)值分析方法對(duì)射頻功率放大器進(jìn)行建模及可靠性分析。
傳統(tǒng)的3D建模是在ANSYS軟件中通過(guò)操作菜單來(lái)手動(dòng)繪制模型,這種方法比較繁瑣,特別是當(dāng)尺寸需要修改時(shí),模型就必須重畫(huà),需要耗費(fèi)大量的時(shí)間和資源。為了解決這個(gè)問(wèn)題,本文在建模的過(guò)程中采用ANSYS Parametric Design Language建模的方法,即通過(guò)軟件編程在命令中嵌入幾何尺寸的參數(shù),通過(guò)修改這些參數(shù)就能達(dá)到修改幾何尺寸的目的,可以節(jié)省大量的時(shí)間和資源。這種方法極大地提高了建模的效率,方便實(shí)現(xiàn)模型的自動(dòng)化創(chuàng)建,為分析互連線的可靠性提供了方便。
圖1為所建的射頻功率放大器模型結(jié)構(gòu)圖,采用參數(shù)化命令建模的方法,一個(gè)完整的電路模型就在程序執(zhí)行的幾十秒內(nèi)構(gòu)建完成。這里互連線的可靠性分析主要包含熱-電和結(jié)構(gòu)-熱分析和AFD的計(jì)算,設(shè)置環(huán)境溫度為100℃。仿真分析時(shí),先對(duì)該功率放大器進(jìn)行穩(wěn)態(tài)分析,并將穩(wěn)態(tài)分析得到的溫度場(chǎng)結(jié)果導(dǎo)入進(jìn)行結(jié)構(gòu)-熱分析,利用AFD的計(jì)算公式對(duì)ANSYS得到的各個(gè)網(wǎng)格單元的結(jié)果進(jìn)行計(jì)算,得到該功率放大器金屬連線AFD分布如圖2所示,可以看到,AFD最大值出現(xiàn)在晶體管附近。
3 結(jié)果分析
3.1 溫度、電流對(duì)互連可靠性的影響
隨著電路的集成度越來(lái)越高,芯片產(chǎn)生的熱量無(wú)法及時(shí)散出去,會(huì)造成芯片升溫,影響芯片內(nèi)部的互連可靠性。本文在ANSYS中模擬出了不同溫度和電流下的AFD值,如圖3、圖4所示。
從圖3可以看出,隨著溫度的增大,互連線中的溫度梯度也隨之增大,互連線的AFD成指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng),而金屬互連線的可靠性逐漸減低。尤其是當(dāng)金屬互連線的溫度上升到80℃以上時(shí),溫度每上升10℃,互連線的AFD值就增大很多,意味著互連線的壽命在快速減小。另外,在溫度較小的情況下,增大電流對(duì)互連線AFD的值并沒(méi)有太大影響。因此,當(dāng)電路長(zhǎng)時(shí)間工作在高溫高電流條件下,金屬互連線的壽命會(huì)大大縮減。
綜上所示,隨著溫度的增加,電路中AFD的值逐漸變大,AFD與溫度趨于指數(shù)關(guān)系,但在電流較低的時(shí)候,AFD隨電流的增加呈現(xiàn)相對(duì)緩慢的增加(同AFD計(jì)算公式),當(dāng)流過(guò)晶體管的電流越大,AFD值增大越明顯。
3.2 晶體管尺寸對(duì)互連可靠性的影響
在該射頻功率放大器的設(shè)計(jì)中,采用的晶體管為典型的4指,常用的柵寬是75 μm到125 μm。
如圖4所示,給出了特定電流下不同尺寸晶體管的AFD_MAX與溫度的變化關(guān)系。從圖中可以看出,晶體管的尺寸越小,AFD_MAX的增加越快,互連線的失效時(shí)間越短,電路的可靠性越差。
如圖5所示,給出了特定溫度下不同尺寸晶體管的AFD_MAX與電流的變化關(guān)系。從圖中可以看出,晶體管的尺寸越小,AFD_MAX增加越快,互連線的失效時(shí)間越短,電路的可靠性越差。綜合分析可得,對(duì)于功率放大器而言,當(dāng)流過(guò)晶體管的電流相同時(shí),晶體管的尺寸越大,AFD越小,主要是因?yàn)楫?dāng)電流相同時(shí),大尺寸的晶體管電流密度會(huì)降低,進(jìn)而由電流密度引起的AFD值會(huì)減小。但是當(dāng)晶體管尺寸越大,中心處的溫度擴(kuò)散效果越差,會(huì)減弱AFD的減小趨勢(shì),即當(dāng)晶體管尺寸變大時(shí),這樣的效應(yīng)會(huì)減弱。所以,在一定的環(huán)境溫度下,可以通過(guò)選擇相應(yīng)尺寸和工作狀態(tài)的晶體管,以降低AFD值來(lái)提高電路可靠性。
總之,為了保證射頻功率放大器的可靠性,在設(shè)計(jì)過(guò)程中,應(yīng)該選擇柵寬較大的晶體管,這樣晶體管的偏置范圍和流過(guò)晶體管的電流范圍的選擇余地就較大。但同時(shí)較大尺寸的晶體管其寄生電容和寄生電阻會(huì)變大,雖然輸出功率得到增加,其效率可能會(huì)降低。因此,在功率放大器的設(shè)計(jì)中,應(yīng)該綜合考慮輸出功率、增益、效率和可靠性,權(quán)衡功率放大器各方面指標(biāo),選擇合適尺寸和工作狀態(tài)的晶體管。同時(shí),功率放大器的工作環(huán)境溫度對(duì)功率放大器的可靠性影響較大,應(yīng)該盡量使得功率放大器工作在較低的環(huán)境溫度,以提高其可靠性。
4 結(jié)論
本文根據(jù)AFD的計(jì)算原理,綜合了電流密度、溫度梯度、熱機(jī)械應(yīng)力梯度對(duì)AFD的貢獻(xiàn),采用ANSYS軟件對(duì)一個(gè)典型的射頻功率放大器實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)建模,著重分析了其不同環(huán)境溫度、不同電流和不同晶體管尺寸對(duì)互連線的可靠性的影響,可以幫助設(shè)計(jì)者選擇最優(yōu)的晶體管尺寸和工作狀態(tài)來(lái)進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。
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