高度集成的模塊具30 A、40 V MOSFET，支持開發(fā)更緊湊、更精簡及更可靠的電機(jī)驅(qū)動(dòng)

　　2016 年 7月28日- 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)： ON)，進(jìn)一步擴(kuò)展汽車功率集成模塊(PIM)產(chǎn)品陣容，推出STK984-190-E。該模塊經(jīng)優(yōu)化以驅(qū)動(dòng)三相無刷直流電機(jī)(BLDC)用于現(xiàn)代汽車應(yīng)用，包含6個(gè)40 V、30 A MOSFET配置為一個(gè)三相橋，及一個(gè)額外的40 V、30 A高邊反向電池保護(hù)MOSFET。這些MOSFET被貼裝到一個(gè)直接鍵合銅(DBC)基板，產(chǎn)生一個(gè)緊湊的模塊，具有極佳散熱性，僅占具有同等效能的分立方案所用電路板空間的一半。

　　該模塊適用于12 V汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，額定功率達(dá)300 W，如電動(dòng)泵、風(fēng)機(jī)和擋風(fēng)玻璃雨刮。設(shè)計(jì)人員結(jié)合使用電機(jī)控制器，如LV8907UW，可創(chuàng)建高能效的BLDC方案，具備同類最佳的熱性能和內(nèi)置診斷，且PCB超小，節(jié)省關(guān)鍵尺寸和重量。

　　使用該模塊可大幅減少元件數(shù)和物料單成本。DBC基板降低熱電阻，從而降低MOSFET的工作溫度。由于減少在熱循環(huán)過程中的溫度變化，這減少功率損耗并增強(qiáng)可靠性。通過DBC基板提供的絕緣也提升了可靠性。STK984-190-E指定的工作溫度范圍為-40°C至150°C。所有集成的MOSFET都通過AEC-Q101認(rèn)證。

　　安森美半導(dǎo)體系統(tǒng)方案部總經(jīng)理 Chris Chey說：“開發(fā)一個(gè)高效的BLDC驅(qū)動(dòng)方案通常需要至少13至15個(gè)分立元件，而STK984-190-E汽車功率模塊需要的元件數(shù)不到一半。除了緊湊的尺寸，STK984-190-E強(qiáng)固的熱性能支持采用較小的散熱器。這使系統(tǒng)的尺寸和重量顯著減少，意味著可完全解決工程師當(dāng)前面對(duì)關(guān)于提升燃油經(jīng)濟(jì)性和克服空間限制的挑戰(zhàn)?！?/p>

　　封裝和定價(jià)

　　STK984-190-E采用無鉛的DIP-S3封裝，尺寸為29.6mm x 18.2mm x 4.3mm。每16片批量的單價(jià)為7美元。