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IEEE 802.3bt PD 控制器為更高的功率鋪平了道路

2016-09-13

  加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2016 年 9 月 12 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出IEEE 802.3bt 受電設備 (PD) 接口控制器 LT4295,該器件適用于要求接受高達 71W 功率的應用。下一代以太網(wǎng)供電 (PoE) 標準 IEEE 802.3bt 使制造商能夠超越 2009 IEEE 802.3at 標準分配的 25.5W 功率。凌力爾特準備率先提供符合下一代 IEEE 標準的產(chǎn)品。這個新標準又稱為 PoE++ 或 4PPoE,提高了功率預算以實現(xiàn)新型應用和功能,同時支持 10Gb 以太網(wǎng) (10GBASE-T),并保持與較舊版本 IEEE 設備的向后兼容性。LT4295 符合 IEEE 802.3bt (草案 2.0) 要求,支持新宣布的功能,包括所有新增加的 PD 類別 (5、6、7 和 8)、新增加的 PD 類型 (3 類和 4 類) 以及 5 事件分級。

  LT4295 是一款單特征 802.3bt PD 控制器,集成了一個隔離式開關(guān)穩(wěn)壓器控制器,提供輔助電源支持,能夠在采用高效率正向拓撲和無光耦合反激式拓撲時同步運行。由于集成度很高,所以減少了所需組件和所需占用的電路板空間,從而簡化了前端 PD 設計,使 LT4295 僅憑自身這一個 IC,就能夠高效地向PD 負載供電。與集成功率 MOSFET 的傳統(tǒng) PD 控制器不同,LT4295 控制一個外部 MOSFET,以顯著地降低 PD 產(chǎn)生的總體熱量,并最大限度提高電源效率,由于 802.3bt 的功率水平更高,因此這一點尤其重要。一個外部 MOSFET 這種架構(gòu)使用戶能夠按照應用要求選擇 MOSFET 尺寸,基于 LT4295 的標準實現(xiàn)方案一般選用 30m?  RDS(ON) MOSFET。

  LT4295 有工業(yè)和汽車溫度級版本,分別支持 –40°C 至 85°C 和 –40°C 至 125°C 工作溫度范圍。LT4295 的千片批購價為每片 2.75 美元,已開始生產(chǎn)供貨。LT4295 為包括 LT4276 和 LT4275 在內(nèi)的凌力爾特現(xiàn)有 PoE+ PD 控制器提供了一條升級途徑。為了進一步最大限度提高可用功率,減少 PD 產(chǎn)生的熱量,可使用 LT4321 理想二極管橋式控制器。如需更多信息,請登錄 www.linear.com.cn/product/LT4295。

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  照片說明:PoE++ 以太網(wǎng)供電 PD 接口控制器

  性能概要: LT4295

  ·具正激式 / 反激式控制器的 IEEE 802.3af / at / bt (草案 2.0) 受電設備 (PD)

  ·外部熱插拔 N 溝道 MOSFET 用于實現(xiàn)最低功耗和最高系統(tǒng)效率

  ·支持高達 71W 的 PD

  ·5 事件分級檢測

  ·出色的浪涌保護 (100V 絕對最大值)

  ·寬結(jié)溫范圍 (–40°C 至 125°C)

  ·采用 LT4321 理想二極管橋時提供 >94% 的端到端效率

  ·無光耦合反激模式運行

  ·輔助電源支持低至 9V

  ·采用 28 引線 4mm x 5mm QFN 封裝

  本文給出的美國報價僅供預算之用。各地報價可能因當?shù)仃P(guān)稅、各種稅款、費用以及匯率不同而有所分別。


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