臺媒指臺積電已開始試產(chǎn)7nm工藝，最快將在明年一季度正式投產(chǎn)，并傳言高通將可能回歸采用7nm工藝生產(chǎn)其高端芯片，筆者對這一消息有一定的疑問。

在16nm和10nm工藝上，臺媒也曾聲言其進展良好，也曾傳言指高通將會回歸臺積電采用10nm工藝生產(chǎn)驍龍835芯片，不過事實卻與這些傳言有出入。

早在2014年的時候臺積電就說16nm工藝進展良好，不過事實上當(dāng)時投產(chǎn)的16nm工藝能效不佳，甚至不如20nm工藝，原因就是由于當(dāng)時未能成功引入FinFET技術(shù)，而業(yè)界普遍認為在20nm工藝以下由于閘極長度更小需要引入FinFET技術(shù)才能更好的控制電流、漏電等以獲得更好的性能、性能等特性。

因此當(dāng)時量產(chǎn)的16nm工藝并沒獲得各方的認可，只有華為海思等兩個客戶采用該工藝，而華為海思也僅是用該工藝生產(chǎn)對功耗要求不高的網(wǎng)通處理器等芯片。臺積電與華為海思合作繼續(xù)改進該工藝，直到2015年三季度開發(fā)出16nmFinFET工藝，能效表現(xiàn)甚佳，獲得了蘋果A9、華為海思麒麟950等眾多客戶的采用。

三星與臺積電16nmFinFET同檔次的14nmFinFET工藝則在2015年初成功投產(chǎn)，這是多年來兩家激烈競爭中三星首次取得領(lǐng)先優(yōu)勢，那一年采用該工藝生產(chǎn)的三星Exynos7420芯片由于能效表現(xiàn)卓越，而高通當(dāng)時采用臺積電20nm生產(chǎn)的驍龍810則出現(xiàn)發(fā)熱問題，由此Exynos7420獨領(lǐng)Android市場風(fēng)騷。

臺積電的10nm工藝也一度被臺媒大力吹捧，甚至說會趕在三星之前投產(chǎn)，不過事實是去年10月份三星首先量產(chǎn)該工藝，而臺積電雖然說去年底投產(chǎn)但是采用該工藝的蘋果A10X和聯(lián)發(fā)科helio X30都未確定發(fā)布，而采用三星10nm工藝的高通驍龍835已發(fā)布，所以在實際上三星已領(lǐng)先臺積電。

從16nm FinFET和10nm工藝均可以看出，臺媒方面事前均宣傳臺積電進展迅速，然而事實卻是實際投產(chǎn)時間要落后于預(yù)期，7nm工藝是否能領(lǐng)先三星當(dāng)然讓人懷疑。

至于說到高通會回歸臺積電采用其7nm工藝這更是存有非常大的疑問。當(dāng)初高通出走的原因正是由于它多年來一直幫助臺積電開發(fā)最先進的工藝，但是到了20nm工藝的時候臺積電卻優(yōu)先將該工藝提供給蘋果生產(chǎn)A8處理器，導(dǎo)致驍龍810量產(chǎn)時間太遲沒有足夠時間進行優(yōu)化，這是驍龍810出現(xiàn)發(fā)熱問題的因素之一。

因此高通一怒之下出走改采三星半導(dǎo)體的14nm FinFET工藝生產(chǎn)其高端芯片驍龍820，其實之后的華為海思也享受了同樣的遭遇。華為海思幫助臺積電開發(fā)了16nm FinFET工藝，不過臺積電卻優(yōu)先將該工藝產(chǎn)能提供給蘋果生產(chǎn)A9/A9X處理器，導(dǎo)致華為海思的麒麟950量產(chǎn)時間晚了兩三個月。

受此教訓(xùn)，華為海思去年同時開發(fā)了麒麟960和麒麟970兩款高端芯片，這兩款芯片架構(gòu)基本相同，只不過前者采用臺積電的16nmFinFET而后者采用10nm工藝。聯(lián)發(fā)科寄望其最新款高端芯片helio X30采用臺積電的10nm工藝以與高通競爭，目前就面臨著由于要與蘋果的A10X爭奪10nm工藝產(chǎn)能而未知何時能正式量產(chǎn)上市的尷尬。

在這樣的情況下，高通今年底或明年會轉(zhuǎn)回臺積電采用它的7nm工藝就存有很大的疑問，假如到時候臺積電的7nm工藝按時量產(chǎn)，其也可能因為優(yōu)先照顧蘋果的關(guān)系導(dǎo)致難以提供足夠的產(chǎn)能給高通，要知道高通是全球手機芯片老大其對產(chǎn)能的需求非常大，臺積電的7nm工藝初期由于良率和產(chǎn)能的關(guān)系很難同時滿足蘋果和高通兩家大客戶的需求。