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P10深陷“閃存門” 誰是最終受益者

2017-04-20
關(guān)鍵詞: 華為 P10 閃存 UFS

近日華為P10閃存門事件被推上了輿論的風(fēng)口浪尖,部分媒體指出華為最新旗艦P10/P10 Plus部分使用高速UFS閃存、部分使用低速eMMC閃存,而這兩種閃存在讀取速度上有較大的差異。為何對質(zhì)量把控一向嚴(yán)格的華為會(huì)出現(xiàn)這種問題,是故意為之還是另有隱情?誰是最終受害者,誰又會(huì)從中獲益呢?

近日華為因P10閃存門事件被推上了輿論的風(fēng)口浪尖,部分媒體指出華為最新旗艦P10/P10 Plus部分使用高速UFS閃存、部分使用低速eMMC閃存,而這兩種閃存在讀取速度上有較大的差異。為何對質(zhì)量把控一向嚴(yán)格的華為會(huì)出現(xiàn)這種問題,是故意為之還是另有隱情?誰是最終受害者,誰又會(huì)從中獲益呢?

P10閃存門

過去的一個(gè)星期里,華為P10手機(jī)UFS閃存問題在貼吧、論壇等網(wǎng)絡(luò)媒介上迅速發(fā)酵。根源在于,華為在P10發(fā)布會(huì)上宣稱該機(jī)使用了最新的UFS 2.1閃存,相比之前的eMMC閃存,性能有了非常大的提高。

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華為官方的性能測試顯示,麒麟960搭配UFS 2.1閃存的讀取速度超過800MB/s,寫入接近180MB/s,隨機(jī)讀取超過140MB/s,隨機(jī)寫入也有14MB/s左右。相比之下,eMMC標(biāo)準(zhǔn)閃存的讀取速度只有200-300MB/s的水平,與UFS 2.1閃存在較大差異。

華為的解釋

閃存門事件發(fā)生后,華為第一時(shí)間給出了解釋,表示“近期個(gè)別社交網(wǎng)絡(luò)上關(guān)于P10/P10 Plus閃存選用問題,我們同樣與業(yè)界多家優(yōu)秀的閃存解決方案供應(yīng)商緊密合作,共同保障產(chǎn)品品質(zhì)及用戶體驗(yàn),同時(shí)也是為了保障供應(yīng)的穩(wěn)定。”

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逐字逐句進(jìn)行分析,華為這番話的意思大概是,P10確實(shí)存在更換閃存一事,但是這也是為了保障穩(wěn)定供應(yīng),不得已而為之。

業(yè)內(nèi)人士表示,之所以這次P10的閃存采用了不同的芯片,確實(shí)就是出于對保證供貨量的考慮?!皩τ谌A為來說,供應(yīng)商所提供的UFS 2.1芯片量并不足夠,如果全部都采用這款芯片的話,P10的出貨量就要大打折扣,這是一個(gè)關(guān)鍵性問題,所以這次需要采用其他方案,但是當(dāng)中沒有涉及到偷工減料的問題?!?/p>

當(dāng)然閃存讀取速度并不是衡量一部手機(jī)好壞的充要條件,其中還涉及拍照、CPU性能、系統(tǒng)流暢度等多方因素。所以從選購手機(jī)的角度來說,消費(fèi)者應(yīng)該從自身的實(shí)際需求出發(fā),合理分配閃存、拍照、性能等因素的權(quán)重。

誰是最終受益者?

“閃存門”的出現(xiàn),對華為的影響首當(dāng)其沖。表面看來,華為似乎通過更換閃存獲取了更多的利潤,但深層次講,此舉無疑會(huì)損害華為整個(gè)的品牌形象。

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雖然說增加利潤華為今年的重中之重,但“君子愛財(cái),取之有道”,作為全球第三,并且市場份額還在持續(xù)上升的手機(jī)廠商,華為并不存在動(dòng)力去主動(dòng)更換手機(jī)閃存。為何?華為手機(jī)的目標(biāo),大家都知道的,可一旦信譽(yù)受到影響,又何談趕超蘋果三星呢?

從華為的官方聲明中,我們也了解到華為此舉也是為了保證P10的足量供應(yīng)。也就是說如果不使用eMMC閃存,我們就很難買到這部手機(jī),想買又買不到,最大的獲利者會(huì)是誰呢?

如今韓系廠商在手機(jī)供應(yīng)鏈上占據(jù)著至關(guān)重要的地位,特別是閃存,自2002年以來,韓系廠商連續(xù)14年在NAND市場占有率保持第一,而在DRAM市場,韓系廠商的市場份額已經(jīng)接近90%。尤其是華為使用的UFS 2.1閃存,目前只有韓系廠商能夠生產(chǎn),所以從大環(huán)境來講,華為遭到打壓并不讓人意外。

實(shí)際上華為并不是第一個(gè)受此待遇的中國廠商,HTC的遭遇想必很多人都記憶猶新,利用供應(yīng)鏈武器對潛在對手進(jìn)行打擊,從而保證自身地位,這招韓國人很在行!而且這招妙就秒在,對于這種待遇,華為還只能忍氣吞聲,無法反抗,誰叫你做手機(jī)就得用人家的閃存呢?

應(yīng)對之道

面對不可控的韓國閃存,最好的辦法就是使用我們自己的閃存。好在我們在NAND閃存領(lǐng)域已經(jīng)取得一定進(jìn)展,據(jù)央視報(bào)道我國首個(gè)存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目近日在武漢東湖高新區(qū)正式開工,該基地總投資240億美元,計(jì)劃于2020年全面建成,建成后年產(chǎn)值將超過100億美元。

國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城,將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑,其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過3萬美元。項(xiàng)目一期計(jì)劃2018年建成投產(chǎn),2020年完成整個(gè)項(xiàng)目,總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月,年產(chǎn)值將超過100億美元。

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唯有自主才能做到可控,華為P10閃存門不僅是華為的教訓(xùn)也是所有中國手機(jī)廠商的教訓(xùn),確實(shí)更換閃存是華為錯(cuò),但更深層次的原因是核心零部件受制于人,結(jié)果就是被人任意拿捏而無法反抗。所以只有我們高端制造業(yè)崛起,才能徹底避免類似事件。


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