2017年，十億美元資本支出俱樂(lè)部成員將增長(zhǎng)到15家。今年，頂級(jí)半導(dǎo)體企業(yè)的資本支出將會(huì)占到整個(gè)行業(yè)總支出的83%。

IC Insights最新公布了一份報(bào)告，該報(bào)告主要包括2017年最新的IC市場(chǎng)預(yù)測(cè)，對(duì)于2017年第一季度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)的一些觀(guān)點(diǎn)，全球前25名的半導(dǎo)體供應(yīng)商的看法，以及與之相關(guān)的資本支出的預(yù)測(cè)更新。

圖一顯示了從2007年到2017年“十億美元俱樂(lè)部”的變化情況?？偟膩?lái)說(shuō)，2017年，預(yù)計(jì)將會(huì)有15家半導(dǎo)體公司的資本支出超過(guò)十億美元，這一數(shù)字在2016年為11家，2013年只有8家。

據(jù)預(yù)測(cè)，2017年，隨著對(duì)快速增長(zhǎng)的汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)的投入增長(zhǎng)，英飛凌和瑞薩在今年的資本支出將會(huì)超過(guò)十億美元，正式步入“十億美元俱樂(lè)部”。 “十億美元俱樂(lè)部”今年新晉的成員還可能包括ST和Nanya。

此外，IC Insights相信，隨著中國(guó)廠(chǎng)商對(duì)新工廠(chǎng)投入的不斷增長(zhǎng)，在不久的未來(lái)，將會(huì)有一些中國(guó)廠(chǎng)商步入主要資本支出企業(yè)的行列。

通過(guò)圖一，我們不難發(fā)現(xiàn)，15家主要資本支出廠(chǎng)商中，有4家是純晶圓代工廠(chǎng)，而這15家公司的資本支出的總額也非常驚人。據(jù)預(yù)計(jì)，15家企業(yè)的總資本支出占到了2017年整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總支出的83%。

其中，2017年，英特爾、三星、格羅方德和SK Hynix預(yù)計(jì)將會(huì)增加其資本支出，為資本支出增長(zhǎng)的主要源頭。

其中，與2016年相比，三星將會(huì)增加32億美元資本支出，英特爾將會(huì)增加23億7500萬(wàn)美元資本支出，格羅方德將會(huì)增加8億6500萬(wàn)美元，SK Hynix則為8億1200萬(wàn)美元。這四家公司的資本支出總計(jì)為72億5200萬(wàn)美元，而2017年半導(dǎo)體行業(yè)總的資本支出總增長(zhǎng)僅為80億2100萬(wàn)美元，四家公司的總投資已經(jīng)占據(jù)了預(yù)測(cè)的90%。

從產(chǎn)品角度來(lái)看，DRAM/SRAM預(yù)計(jì)將會(huì)是今年最大的資本支出增長(zhǎng)點(diǎn)，會(huì)有31%的增長(zhǎng)。來(lái)自于DRAM ASP的報(bào)告顯示，從2016年第三季度開(kāi)始，DRAM廠(chǎng)商就已經(jīng)開(kāi)始加大對(duì)于這一方面的支出。另一方面，2016年Flash memory（146億美元）的資本支出也明顯高于DRAM（85億美元）。

總而言之，IC Insights認(rèn)為，在2016年和2017年，廠(chǎng)商對(duì)于Flash memory技術(shù)的資本支出主要以3D NAND技術(shù)為主，而不是平面存儲(chǔ)技術(shù)。韓國(guó)廠(chǎng)商對(duì)于3D NAND技術(shù)的資本支出將會(huì)在2017年迎來(lái)大幅上漲，尤其是在三星的韓國(guó)工廠(chǎng)建成之后。

圖一  Report Details: The 2017 McClean Report