從2016年第二季度開始，以SSD固態(tài)硬盤為代表，包括固態(tài)硬盤、內(nèi)存條、優(yōu)盤甚至閃存卡在內(nèi)的整個內(nèi)存行業(yè)，開始緩慢漲價。進(jìn)入2017年后，漲價的勢頭并沒有停止，整個存儲行業(yè)反而掀起了新一輪的大幅漲價潮。
2015年~2016年上半年，120G/240G的SSD價格一度降至299元/399元，而512G的SSD也有不少低至599元。不過，好景不長，自2016年下半年開始，SSD的價格出現(xiàn)全面上調(diào)，漲幅超過市場預(yù)期。
近日，《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者通過線下走訪十多家銷售商家以及采訪業(yè)內(nèi)人士了解到，固態(tài)硬盤等存儲產(chǎn)品大幅漲價的原因是供需失衡。但也有部分業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，此輪漲價背后并非完全由市場供需決定，也不排除部分NAND Flash供應(yīng)商有意為之的可能。
供應(yīng)端：主要廠商暫無增產(chǎn)計劃
從供應(yīng)端看，目前全球范圍內(nèi)從事NAND閃存顆粒的廠商有很多，但能夠有市場定價能力的只有六家，他們分別是三星（Samsung）、東芝（Toshiba）、英特爾（Intel）、海力士（SKhynix）、美光（Micron）和閃迪（SanDisk），這些企業(yè)很多在中國有生產(chǎn)企業(yè)，幾乎壟斷了全球大部分閃存市場。
從行業(yè)看，今年三星、東芝、美光、海力士等主要的內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃，而是進(jìn)行制程轉(zhuǎn)換，目的是將主要產(chǎn)能從2D NAND制程轉(zhuǎn)向生產(chǎn)3D NAND。2017年，三星新工廠Fab 17和Fab 18都將投入V-NAND生產(chǎn)，3D技術(shù)也將向64層提升。
中國閃存市場China Flash Market預(yù)計三星V-NAND生產(chǎn)比重在2017年一季度可達(dá)到45%，二季度將達(dá)到50%以上，在3D NAND爆發(fā)元年將有很大的市場競爭優(yōu)勢。
英特爾在2016年第三季度開始試產(chǎn)32層3D NAND，預(yù)計2017年中期轉(zhuǎn)至64層量產(chǎn)；而2016年美光32層3D NAND MLC版本單Die容量32GB，TLC版本容量48GB，是目前除原廠品牌之外，市場3D SSD的主要貨源之一，在3D NAND技術(shù)上，美光選擇了跨過48層NAND閃存，計劃在2017年直接量產(chǎn)64層 NAND顆粒；海力士自然也不例外，2017年海力士計劃提升至72層3D NAND量產(chǎn)，公司將在一季度推出樣品，并于二季度開始小批量生產(chǎn)，從堆疊層數(shù)來看，已經(jīng)趕上甚至反超競爭對手。
雖然各個廠商都力圖提高制程，但在切換的過程中，3D NAND量產(chǎn)嚴(yán)重不足，良率過低，而2D NAND產(chǎn)能也在下滑，這種局面造成全年內(nèi)存都面臨缺貨的狀況，供不應(yīng)求也導(dǎo)致內(nèi)存價格一路飆升。
行業(yè)咨詢機(jī)構(gòu)DRAM eXchange的數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存在2017年一季度供貨依然緊張，NAND閃存芯片的平均價格在一季度上漲了20%~25%
長城證券在6月初的《電子元器件》周報的標(biāo)題就是，“NAND閃存顆粒依舊供求，全球范圍閃存價格持續(xù)上漲 ”。該周報認(rèn)為，“要等到所有的閃存原廠在3D制程上實(shí)現(xiàn)了完全突破，良率獲得大幅提升，幾大原廠能夠在同樣的技術(shù)和成本體系下進(jìn)行競爭，當(dāng)前存儲產(chǎn)品漲價情形可能會得到緩解。通過我們從市場了解到的情況來看，大部分閃存原廠都是在2017年開始量產(chǎn)基于最新堆疊層數(shù)的3D NAND技術(shù)產(chǎn)品，量產(chǎn)的產(chǎn)品經(jīng)過最終封裝和分發(fā)到存儲廠商手中，然后經(jīng)由存儲廠商進(jìn)行產(chǎn)品方案的選擇和最終推出到市場，可能還會經(jīng)歷一段時間。因此當(dāng)前的漲價趨勢可能還會持續(xù)半年以上。”
需求端：智能手機(jī)和服務(wù)器需求大增
在需求端，對于存儲產(chǎn)品的需求越來越大，包括中國企業(yè)大量切入的智能手機(jī)市場、無人機(jī)市場，以及服務(wù)器市場。
首先是智能手機(jī)等數(shù)碼產(chǎn)品容量的提升。目前，智能手機(jī)、筆記本、平板電腦等設(shè)備一直向大容量邁進(jìn)，蘋果、三星、華為、OPPO、VIVO等品牌的手機(jī)出貨量都在千萬級別，也加劇了閃存顆粒的稀缺。
二是由于目前固態(tài)硬盤技術(shù)越來越成熟、穩(wěn)定，固態(tài)硬盤開始大規(guī)模應(yīng)用在服務(wù)器市場。事實(shí)上，在傳統(tǒng)的存儲行業(yè)，一直存在著消費(fèi)級市場和服務(wù)器級市場。一般來說，新興的存儲技術(shù)在消費(fèi)級存儲市場得到了充分驗(yàn)證，保證技術(shù)上的穩(wěn)定后，服務(wù)器級市場便會開始大規(guī)模應(yīng)用。
在固態(tài)硬盤技術(shù)處于2D NAND時代，服務(wù)器級市場幾乎很少使用固態(tài)硬盤作為存儲介質(zhì)，但隨著3D NAND Flash從無到有、從32層向64層堆疊，越來越多的服務(wù)器級市場開始進(jìn)行產(chǎn)品的更新?lián)Q代。而此前，Intel官方還在公開場合宣布，隨著3D Xpoint的成熟，Intel將在2017年優(yōu)先生產(chǎn)高速增長的數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的固態(tài)硬盤，而不是低成本的消費(fèi)級固態(tài)硬盤。
三是新的應(yīng)用需求出現(xiàn)，包括物聯(lián)網(wǎng)、云計算、智能家庭和智能建筑，以及自駕車、無人機(jī)和機(jī)器人等新應(yīng)用的流行，NOR Flash（非易失閃存技術(shù)）作為儲存驅(qū)動程序碼的儲存裝置被大量應(yīng)用。但在擴(kuò)產(chǎn)有限，需求不減反增的情況下，價格勢必持續(xù)上揚(yáng)。
日韓供應(yīng)商‘默契’漲價？
雖然市場方面認(rèn)為內(nèi)存大幅上漲的原因無非就是供需失衡，但也有部分業(yè)內(nèi)人士對記者表示，此輪漲價背后并非完全由市場供需決定，也不排除部分NAND Flash供應(yīng)商有意為之的可能——“很難說這是不是部分日韓供應(yīng)商‘默契’的漲價行為?！?/p>
自去年下半年三星發(fā)生了Galaxy Note 7“爆炸門”事件以及實(shí)際掌門人受到腐敗指控后，唱衰三星的聲音不絕于耳。在外界看來，這些事件將導(dǎo)致三星的利潤出現(xiàn)大幅下滑，但結(jié)果卻出人意料。
4月27日，三星公布了2017第一季度的財報，公司取得50.55萬億韓元收入，同比增長1.5%；營業(yè)利潤9.90萬億韓元，同比增長48.2%；而凈利潤為7.68萬億韓元，同比大漲46.3%。
事實(shí)上，三星今年首季度利潤大增得益于三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的貢獻(xiàn)，其半導(dǎo)體部門營業(yè)利潤為6.31萬億韓元，同比大增139.9%；設(shè)備解決方案部門營業(yè)利潤為7.59萬億韓元，同比暴漲225.8%，但I(xiàn)T和移動通信部門的營業(yè)利潤僅為1.07萬億韓元，銳減46.8%。
一些分析師認(rèn)為，2017年的內(nèi)存供應(yīng)將會持續(xù)緊張，隨著NAND、DRAM的繼續(xù)漲價，三星的利潤還將被推高。來自韓國IBK的分析師 Lee Seung-woo曾表示，三星今年第二季度的運(yùn)營利潤可達(dá)12.1萬億韓元，折合110億美元。
可以說，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)將為三星今年的業(yè)績立下“汗馬功勞”，正因如此，三星也在積極鞏固其在NAND Flash市場的競爭優(yōu)勢。三星電子于6月15日宣布已經(jīng)開始大量生產(chǎn)64層256Gb V- NAND，被稱為第四代VNAND。三星目前V-NAND占整體NAND Flash產(chǎn)能的70%以上，隨著64層V-NAND（3D垂直閃存）進(jìn)入量產(chǎn)，V-NAND產(chǎn)能比重將更高，并不斷擴(kuò)大在服務(wù)器、PC和移動設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用。
針對外界認(rèn)為部分日韓供應(yīng)商“默契”漲價的觀點(diǎn)，《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者聯(lián)系了三星方面，不過截至發(fā)稿，尚未獲得回應(yīng)。
上述三星固態(tài)硬盤旗艦店的門店負(fù)責(zé)人表示，三星Fab 18工廠已經(jīng)在6月份投入生產(chǎn)64層V-NAND，三星還計劃基于64層V-NAND在第三季度推出UFS3.0新品，以及推出M.2和2.5英寸規(guī)格形態(tài)的SSD產(chǎn)品。與48層256Gb V-NAND相比，新的64層256Gb V-NAND將提高30%以上的生產(chǎn)效率。此外，64層V-NAND是2.5V輸入電壓，與使用48層VNAND的3.3V相比，能量效率提高了約30%。
產(chǎn)業(yè)觀察家洪仕斌認(rèn)為，閃存顆粒的核心優(yōu)勢并不掌握在中國企業(yè)手中，而國際大廠的壟斷也會導(dǎo)致“坐地起價”。其中，三星必須在核心部件中找出盈利空間來彌補(bǔ)其在智能手機(jī)、彩電等領(lǐng)域的營收下滑。