《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 嵌入式技術(shù) > 解決方案 > 下一代同步整流控制技術(shù)增強電源運行參數(shù)

下一代同步整流控制技術(shù)增強電源運行參數(shù)

2017-06-23

  在當今的高性能的電源系統(tǒng)設(shè)計中,確??煽啃灾陵P(guān)重要,因此高效的功能必須可以處理潛在的問題。同步整流電流反向就是這樣一個問題。這發(fā)生在電容電流(寄生效應(yīng)引起的)導致MOSFET在輕負載的情況下被過早激活時– 然后反向電流從輸出電容流回同步整流器。這不僅導致系統(tǒng)能效受到嚴重影響,還可能會導致運行故障。

  為了防止這種情況的發(fā)生,必須在系統(tǒng)處于輕載條件時采取措施增加延遲。自適應(yīng)死區(qū)時間控制機制可以彌補寄生電感的存在,從而減輕體二極管導通的不良影響。通過這種方法,可以調(diào)整同步整流器關(guān)斷點,以保持一個恒定的死區(qū)時間,而不受當時輸出負載的影響。從而持續(xù)保持高能效和對相應(yīng)的熱管理規(guī)定更少的要求(由于散熱的減少)。

  得益于專有的自適應(yīng)死區(qū)時間控制算法,安森美半導體的FAN6248雙MOSFET驅(qū)動器控制器IC,能夠充分解決上述挑戰(zhàn)。同時,它可以幫助工程師最大化電源能效,并使系統(tǒng)盡可能緊湊、簡單和具性價比。

1.jpg

  該器件優(yōu)化用于現(xiàn)代LLC諧振轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu),最大限度地減少同步整流MOSFET的體二極管傳導。它通過使用一個獨特的控制方法,消除了電流反向的隱患,還可以避免同步整流誤觸發(fā)。通過兩個感測輸入,可以準確地確定MOSFET兩端的漏源電壓,從而考慮到關(guān)于次級繞組的任何不對稱或不良耦合。如果經(jīng)證實死區(qū)時間太長,那么偏置電壓相應(yīng)降低。從而提高MOSFET的電壓閾值,繼而使同步整流器的導通時間延長(因此縮短相關(guān)的死區(qū)時間)。反之,如果死區(qū)時間太短,則降低MOSFET的電壓閾值,從而抑制同步整流器的導通期。指定FAN6248控制器能夠提高系統(tǒng)的電源能效,和實現(xiàn)在整個負載范圍內(nèi)的穩(wěn)定運行(無電流反向的風險)。

2.png

  請觀看FAN6248評估板演示視頻和訪問網(wǎng)站以了解更詳盡的信息。


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。