報(bào)告要點(diǎn)

看好國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器行業(yè)，關(guān)注新型存儲(chǔ)技術(shù)

存儲(chǔ)器是國(guó)之重器，國(guó)內(nèi)兩大巨頭紫光國(guó)芯和武漢新芯均推出自己的產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)圖，這將成為近年來國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)最大手筆的投入，蘊(yùn)含著巨大的投資機(jī)遇。另外，我們于近期拜訪了華中科技大學(xué)武漢光電國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的繆向水教授，繆教授是教育部“長(zhǎng)江學(xué)者”特聘教授，是國(guó)內(nèi)相變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的頂尖專家，我們重點(diǎn)關(guān)注相變存儲(chǔ)器的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展。

國(guó)內(nèi)外巨頭紛紛布局相變存儲(chǔ)

三星早在2011年便推出PCM手機(jī)；Intel和Mircon在去年推出3D Xpoint，預(yù)計(jì)今年底或明年就能量產(chǎn)；IBM在多值存儲(chǔ)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，可大幅降低PCM的成本。國(guó)內(nèi)研究機(jī)構(gòu)主要有武漢光電國(guó)家實(shí)驗(yàn)室和中科院上海微系統(tǒng)所，已經(jīng)有產(chǎn)品開發(fā)出來。

國(guó)內(nèi)相變存儲(chǔ)器的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇

從全球整個(gè)產(chǎn)業(yè)的專利布局情況來看，三星占40%多，美光占9%，IBM15%，國(guó)內(nèi)14%左右。從產(chǎn)業(yè)支持的角度來看，國(guó)內(nèi)將興建多座存儲(chǔ)器工廠，相變存儲(chǔ)器的外圍電路用CMOS工藝就可以實(shí)現(xiàn)，包括讀寫電路、放大電路、編碼電路，都可以利用原來生產(chǎn)線大部分設(shè)備，只需添置部分設(shè)備就可以生產(chǎn)（如刻蝕），因此國(guó)內(nèi)可以改造生產(chǎn)線來量產(chǎn)相變存儲(chǔ)器。

推薦標(biāo)的

紫光國(guó)芯—全方位布局存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)

深科技—涉足存儲(chǔ)器封裝，其他業(yè)務(wù)看點(diǎn)多

長(zhǎng)電科技—收購(gòu)星科金朋，布局高端封測(cè)

南大光電—相變存儲(chǔ)將拉動(dòng)新型MO的需求

艾派克—不僅僅只有打印機(jī)

七星電子—設(shè)備領(lǐng)域深度受益

鼎龍股份—CMP拋光墊領(lǐng)域新秀

風(fēng)險(xiǎn)提示

系統(tǒng)性風(fēng)險(xiǎn)：電子行業(yè)發(fā)展不及預(yù)期

看好國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器行業(yè)，關(guān)注新型存儲(chǔ)器技術(shù)

存儲(chǔ)器是國(guó)之重器，國(guó)內(nèi)兩大巨頭紫光國(guó)芯和武漢新芯均推出自己的產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)圖，這將成為近年來國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)最大手筆的投入，蘊(yùn)含著巨大的投資機(jī)遇。另外，我們于近期拜訪了華中科技大學(xué)武漢光電國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的繆向水教授，繆教授是教育部“長(zhǎng)江學(xué)者”特聘教授，是國(guó)內(nèi)相變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的頂尖專家。

存儲(chǔ)器行業(yè)現(xiàn)狀

存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)、物聯(lián)網(wǎng)、國(guó)家安全等重要領(lǐng)域，是一種重要的、基礎(chǔ)性的產(chǎn)品。據(jù)CSIA統(tǒng)計(jì)，2015年國(guó)內(nèi)集成電路市場(chǎng)超過10000億，其中存儲(chǔ)器的市場(chǎng)總額（包括邏輯芯片中的存儲(chǔ)器）超過6100億元，市場(chǎng)空間巨大。

存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如DRAM，電腦中的內(nèi)存條。非易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和NOR FLASH），NOR主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而NAND則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。在整個(gè)存儲(chǔ)器芯片里面，主要有的三種產(chǎn)品是：DRAM、NOR FLASH和Nand FLASH。

DRAM市場(chǎng)上主要由三星、海力士和美光三大巨頭壟斷，占比達(dá)到90%以上。從NandFLASH市場(chǎng)來講，2016年第一季度，三星占了35.1%，所占市場(chǎng)份額很大。整個(gè)存儲(chǔ)器芯片里面，三星所占市場(chǎng)份額是最大的，目前在市場(chǎng)上主導(dǎo)地位的是閃存（flash memory）。當(dāng)工藝線寬小于16nm的時(shí)候，傳統(tǒng)閃存面臨著一定的物理極限。主要的問題：1、可靠性問題。工藝線寬尺寸小于16nm時(shí)，厚度逐漸下降，可靠性存在問題，可靠性限制了存儲(chǔ)器單層的厚度。2、當(dāng)然那還有構(gòu)造問題。3、擦寫速度慢。4、有效的擦寫次數(shù)。

國(guó)外巨頭紛紛布局相變存儲(chǔ)器

三星

2008年基于90nm工藝制備512Mb相變存儲(chǔ)器芯片；2011年基于58nm工藝制備1Gb相變存儲(chǔ)器芯片；2012年基于20nm工藝制備8Gb相變存儲(chǔ)器芯片；2014年發(fā)布相變存儲(chǔ)器的產(chǎn)業(yè)報(bào)告。

美光

2009年基于45nm工藝制備1Gb相變存儲(chǔ)器芯片；2011年發(fā)布第一款基于相變存儲(chǔ)器的SSD；2013年基于45nm工藝1Gb相變存儲(chǔ)器芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；2015年聯(lián)合Intel發(fā)布3D Xpoint。

意法半導(dǎo)體

2009年聯(lián)合恒億共同發(fā)布90nm工藝4Mb嵌入式相變存儲(chǔ)器芯片；2010年，發(fā)布了通過材料改性工程N(yùn)-GeTe實(shí)現(xiàn)更好的熱穩(wěn)定性及數(shù)據(jù)保持；2013年，發(fā)布了通過材料改性工程N(yùn)-Ge-GST實(shí)現(xiàn)SET與高低組保持的性能平衡。

IBM

2011年IBM發(fā)布了多值的相變存儲(chǔ)器操作算法，然后推出了基于MIEC材料選通的多層crosspoint存儲(chǔ)器。2014年IBM發(fā)布了6位多值存儲(chǔ)電阻漂移的算法解決辦法，2016年發(fā)布多值相變存儲(chǔ)器，進(jìn)入90nm工藝。

國(guó)際其他產(chǎn)家，包括英特爾、臺(tái)積電等都有在其中做過相關(guān)工作。

國(guó)內(nèi)相變存儲(chǔ)器發(fā)展情況

國(guó)內(nèi)來說，主要是兩家：華中科技大學(xué)和中科院上海微系統(tǒng)所（宋志棠教授帶領(lǐng)的）。2010年華科制作的是1Mb, 中科院上海微系統(tǒng)所做的是8Mb的。

2009年武漢光電國(guó)家實(shí)驗(yàn)室研制成功相變存儲(chǔ)器芯片，2010年我們研制成功1Mb的測(cè)試芯片，同時(shí)在相變速度方面，我們?cè)谌蚴亲羁斓?，速度達(dá)到0.2ns。

此外，實(shí)驗(yàn)室還研制出了相變存儲(chǔ)卡：

相變存儲(chǔ)器的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展機(jī)遇

武漢新芯2006年成立，2008年量產(chǎn)，主要做NOR Flash，良率在世界范圍內(nèi)很高。今年3月底啟動(dòng)了國(guó)家集成電路基地項(xiàng)目，依托武漢新芯建設(shè)，主要做3D NAND 和DRAM，預(yù)計(jì)5年內(nèi)投資240億美元，計(jì)劃2020年月產(chǎn)能達(dá)到30萬片，2030年月產(chǎn)能達(dá)到100萬片，規(guī)模是很大的，為一代的新型存儲(chǔ)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化打下基礎(chǔ)。國(guó)內(nèi)現(xiàn)在存儲(chǔ)器技術(shù)是熱點(diǎn)，三星在西安，英特爾在大連都要做3D NAND，海力士在無錫做NAND 和DRAM，最近福建晉江也建廠做DRAM。這些生產(chǎn)線，最小產(chǎn)能每個(gè)月10萬片以上，我國(guó)存儲(chǔ)器的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀可以得到徹底改觀。以前存儲(chǔ)器進(jìn)口占比95%，現(xiàn)在投入很大，國(guó)內(nèi)和國(guó)外都在投，基本上都生產(chǎn)NAND 和DRAM。這些生產(chǎn)線的建設(shè)為以后新型存儲(chǔ)器的發(fā)展帶來很大的機(jī)遇。

從專利上來講，2002-2014年中2008-2009年專利是比較多的。全球整個(gè)專利布局方面，三星占40%多，美光占9%，IBM15%，國(guó)內(nèi)14%。在國(guó)內(nèi)中芯國(guó)際和上海微系統(tǒng)所在一起有200多個(gè)專利，華中科技大學(xué)有45個(gè)專利，復(fù)旦大學(xué)有29，半導(dǎo)體所有18個(gè)。從專利布局可以看出。三星從材料、結(jié)構(gòu)、測(cè)試、工藝、電路方面占比分別為17.7%、28.5%、8.4%、14.8%、30.6%，可以看出每個(gè)公司在專利方面的布局重點(diǎn)壓在什么地方。國(guó)內(nèi)也是材料占比15.07%，結(jié)構(gòu)占比39.72%、工藝占比15.07%、電路占比19.86%、測(cè)試占比7.54%，其它占比2.74%，這是整個(gè)專利布局申請(qǐng)的保護(hù)領(lǐng)域占整個(gè)相變存儲(chǔ)器的比例。

相變存儲(chǔ)器發(fā)展趨勢(shì)

過去存儲(chǔ)容量提升都是通過 Scaling Down，從90nm到45nm，甚至16nm，在Scaling Down的過程中成本都一直在提高?，F(xiàn)在相變存儲(chǔ)器提高存儲(chǔ)容量的方式有兩種，一種是三維堆疊，還有一種是多值技術(shù)。英特爾和美光重點(diǎn)突破的是三維堆疊技術(shù)，而IBM在多值存儲(chǔ)領(lǐng)域取得了突破性進(jìn)展。

2015年英特爾和美光推出了3D-Xpoint存儲(chǔ)器，是基于相變材料，給相變存儲(chǔ)器帶來了新的機(jī)遇。這個(gè)是交叉點(diǎn)陣列的結(jié)構(gòu)，另外存在空間堆疊，像汽車一樣，二維停車庫(kù)停的車很少，建多層停車場(chǎng)以后停的車就會(huì)多很多，以三維的方式來提高存儲(chǔ)密度。存儲(chǔ)密度是DRAM的8-10倍，讀取速度是目前閃存的1000倍，耐用性是閃寸的一倍，所以受到廣泛的關(guān)注。

相變存儲(chǔ)相關(guān)問題

1、問：國(guó)內(nèi)在大力布局存儲(chǔ)器芯片制造，這些fab能否代工相變存儲(chǔ)器？

答：目前來講，武漢新芯主導(dǎo)產(chǎn)品是Nor Flash，目前生產(chǎn)線比較成熟，正在布局3D NAND Flash。相變存儲(chǔ)器的外圍電路用CMOS工藝就可以實(shí)現(xiàn)，包括讀寫電路、放大電路、編碼電路，都可以利用原來生產(chǎn)線大部分設(shè)備，只需添置部分設(shè)備就可以生產(chǎn)（如刻蝕），因此國(guó)內(nèi)可以改造產(chǎn)線代工相變存儲(chǔ)器。但是如果公司想重新投一條相變存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)線，成本太高，不經(jīng)濟(jì)。從代工廠的角度說，如果有成熟的新興技術(shù)，通過改造產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)更受歡迎。

2、問：國(guó)內(nèi)在3D NAND Flash領(lǐng)域是處于追趕的狀態(tài)，在相變存儲(chǔ)領(lǐng)域是否可能實(shí)現(xiàn)彎道超車？

答：3D NAND Flash現(xiàn)在是三星一家領(lǐng)先，其他幾家基本處于同一水平。相變存儲(chǔ)領(lǐng)域國(guó)內(nèi)布局比較早，若相變存儲(chǔ)要大規(guī)模生產(chǎn)至少國(guó)內(nèi)有技術(shù)儲(chǔ)備，處于與國(guó)外并駕齊驅(qū)的狀態(tài)。

3、問：上海微系統(tǒng)所已經(jīng)做出了8Mb的容量，那么要實(shí)現(xiàn)1GB甚至1TB的跨越，難點(diǎn)在什么地方?

答：難點(diǎn)在于我們研發(fā)的設(shè)備比生產(chǎn)線的設(shè)備落后很多。一般來講，研發(fā)機(jī)構(gòu)的設(shè)備比公司的要高級(jí)，但是在集成電路行業(yè)，公司設(shè)備比研究所的高級(jí)，公司不愿意用更高級(jí)的設(shè)備去研發(fā)。比如中芯國(guó)際做研發(fā)的都是試驗(yàn)線，而不會(huì)是產(chǎn)業(yè)線。假如我們有好的設(shè)備，在解決容量、探擾、功耗三個(gè)問題的前提下，我們也是可以做到1GB大容量的。

4、問：相變存儲(chǔ)器是否可以替代DRAM和FLASH？

答：相變存儲(chǔ)器現(xiàn)在的價(jià)格在DRAM和FLASH中間，它的容量比DRAM大，比FLASH低；它的速度DRAM慢一點(diǎn)，但比FLASH快很多?，F(xiàn)在的存儲(chǔ)系統(tǒng)很不平衡，都走向極端，速度和容量不可同時(shí)滿足。而相變存儲(chǔ)器介兩者之間，能夠在速度和容量找到平衡點(diǎn)，找到自己市場(chǎng)。但是也不太可能完全替代DRAM和FLASH。

5、問：相變存儲(chǔ)器全產(chǎn)業(yè)鏈有哪些可以國(guó)產(chǎn)化，有哪些方向可以投資？

答：在材料源方面（硫系化合物半導(dǎo)體），假如我們用PVD的方法來做材料，那么可以去關(guān)注一些做靶材的公司。假如我們用化學(xué)的方法來做材料，可以去關(guān)注MO源的公司，比如南大光電；在機(jī)器方面，可以去投資做刻蝕設(shè)備的相關(guān)公司，重點(diǎn)關(guān)注北方微電子；在封裝方面，未來3D封裝是重點(diǎn)；在產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面，可以重點(diǎn)關(guān)注紫光華芯等紫光體系的公司，另外也可關(guān)注做NOR FLASH設(shè)計(jì)的兆易創(chuàng)新。

6、問：您剛剛說了很多國(guó)內(nèi)外公司關(guān)于相變存儲(chǔ)器做的工作，那您認(rèn)為國(guó)內(nèi)外在相變存儲(chǔ)器的技術(shù)上差距大不大，有多大？

答：國(guó)內(nèi)目前在關(guān)鍵技術(shù)上有所突破，在相變存儲(chǔ)器專利方面國(guó)內(nèi)占了14%-15%。我們?cè)谧鱿嘧兇鎯?chǔ)器研發(fā)的人員、數(shù)量和質(zhì)量還比不上國(guó)外。目前國(guó)內(nèi)就華中科技大學(xué)、中科院上海微系統(tǒng)所這2家專門做相變存儲(chǔ)器芯片，人員投入還不夠。因此和三星、美光相比，還是有一定的差距。但是在存儲(chǔ)器領(lǐng)域我們也有自己的核心技術(shù)，擁有一定的地位。

推薦標(biāo)的

從整個(gè)國(guó)家存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)來看，紫光國(guó)芯、深科技和長(zhǎng)電科技為核心受益標(biāo)的；從相變存儲(chǔ)器的角度來看，最相關(guān)的公司為南大光電和艾派克。

紫光國(guó)芯—全方位布局存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)

設(shè)計(jì)領(lǐng)域

公司于2015年9月收購(gòu)西安華芯的股權(quán)，收購(gòu)?fù)戤吅蟪止杀壤_(dá)到76%。西安華芯始源于英飛凌半導(dǎo)體的存儲(chǔ)器事業(yè)部，是國(guó)內(nèi)唯一具有世界主流大容量存儲(chǔ)器核心設(shè)計(jì)開發(fā)技術(shù)的公司。華芯自有品牌大容量DRAM芯片及內(nèi)存條已成功量產(chǎn)上市，廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、平板電腦、電視機(jī)頂盒、工業(yè)控制等領(lǐng)域，產(chǎn)品也遠(yuǎn)銷到大陸以外的臺(tái)灣、韓國(guó)、歐洲等地。

制造領(lǐng)域

2015年11月，紫光國(guó)芯公告擬定向增發(fā)800億資金，成為A股有史以來最大規(guī)模的再融資。定增資金主要用來三個(gè)項(xiàng)目，其中，包括932億元的資金用來投資建造存儲(chǔ)器工廠，規(guī)劃兩年時(shí)間完成。工廠實(shí)施完成并達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)每月可新增12萬片的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能。預(yù)計(jì)年均營(yíng)收為354億元、年均利潤(rùn)總額為87億元、投資回收期為6.28年（含建設(shè)期2年）。

封測(cè)領(lǐng)域

目前公司正在積極推進(jìn)參股臺(tái)灣力成和南茂事宜，我們認(rèn)為紫光集團(tuán)同時(shí)入股兩家臺(tái)灣封測(cè)廠力成和南茂，有三大利好影響：

加強(qiáng)大陸與臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)和產(chǎn)業(yè)鏈的合作，互利共贏；

力成和南茂都是半導(dǎo)體封測(cè)公司，分別側(cè)重于集成電路和存儲(chǔ)器芯片的封裝、測(cè)試，二者有望在業(yè)務(wù)中達(dá)成合作，共享客戶與技術(shù)方面的資源；

紫光集團(tuán)的大手筆收購(gòu)增強(qiáng)了在存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的實(shí)力，幫助旗下上市平臺(tái)紫光國(guó)芯在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)中獲得更多的份額，企業(yè)價(jià)值凸顯。

其他業(yè)務(wù)

在存儲(chǔ)器芯片之外，公司是國(guó)內(nèi)智能卡芯片龍頭，并積極布局特種集成電路領(lǐng)域，在去年已開拓大量客戶，在軍隊(duì)信息化加速、自主可控需求提升的背景下，公司作為特種集成電路的“航空母艦”將迎來良好發(fā)展機(jī)遇。

深科技—涉足存儲(chǔ)器封裝，其他業(yè)務(wù)看點(diǎn)多

深科技致力于提供硬盤零部件、固態(tài)存儲(chǔ)、通訊及消費(fèi)電子、醫(yī)療器械等各類電子產(chǎn)品的先進(jìn)制造服務(wù)以及計(jì)量系統(tǒng)、支付終端、自動(dòng)化設(shè)備的研發(fā)生產(chǎn)，目前公司切入到LED新能源領(lǐng)域，成立的子公司進(jìn)行了LED芯片、外延片、封裝模組、照明應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈的布局。

磁頭及硬盤盤基片制造商，外延布局存儲(chǔ)器封測(cè)

深科技是全球第二大硬盤磁頭專業(yè)制造商，也是中國(guó)唯一的硬盤盤基片制造商，掌握核心制造技術(shù)。目前公司90%的磁頭產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化或半自動(dòng)化生產(chǎn)，加之在防振、臟污控制、防靜電干擾、高等級(jí)凈化間生產(chǎn)控制等方面的工程能力，公司在磁頭制造領(lǐng)域處于國(guó)際領(lǐng)先水平。

2015年，公司全面收購(gòu)沛頓科技（深圳）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“沛頓科技”），沛頓科技在芯片存儲(chǔ)行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的DRAM和NAND FLASH等封裝檢測(cè)技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、客戶資源和高端人才。沛頓科技現(xiàn)有產(chǎn)品包括內(nèi)存芯片DRAM和移動(dòng)存儲(chǔ)封裝芯片（SIP）和嵌入式存儲(chǔ)芯片/嵌入式多功能芯片（eMMC/eMCP/MCP）。

其他業(yè)務(wù)看點(diǎn)充足

公司一直在積極推進(jìn)固態(tài)硬盤項(xiàng)目，早幾年就有針對(duì)性的成立了專項(xiàng)小組來跟進(jìn)固態(tài)硬盤的發(fā)展。日前，希捷和金士頓都意欲推進(jìn)固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)，公司已做好準(zhǔn)備，可隨時(shí)承接固態(tài)硬盤的生產(chǎn)。

公司彩田園區(qū)城市更新單元規(guī)劃項(xiàng)目已獲得深圳市城市規(guī)劃委員會(huì)建筑與環(huán)境藝術(shù)委員會(huì)審批通過。項(xiàng)目拆除用地面積57,977.5平方米，開發(fā)建設(shè)用地面積43,828.4平方米，計(jì)容積率建筑面積為262,970平方米，其中產(chǎn)業(yè)研發(fā)用房195,280平方米（含創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)用房9,770平方米），產(chǎn)業(yè)配套用房62,050平方米（含配套商業(yè)21,000平方米、配套宿舍41,050平方米），公共配套設(shè)施5,640平方米。另外，允許在地下開發(fā)16,000平方米商業(yè)用房。

長(zhǎng)電科技—收購(gòu)星科金朋，布局高端封測(cè)

星科金朋總部位于新加坡，在韓國(guó)、新加坡、中國(guó)上海均設(shè)有工廠，在美國(guó)、歐洲、韓國(guó)等地均擁有銷售團(tuán)隊(duì)，產(chǎn)品定位中高端，覆蓋全球主要消費(fèi)市場(chǎng)的客戶。公司完成對(duì)星科金朋的收購(gòu)后，行業(yè)排名從第六位躍升至第四位，全球市場(chǎng)占有率從3.9%提升至10%。

星科金朋技術(shù)領(lǐng)先，客戶資源豐富

星科金朋不僅具有先進(jìn)的封裝技術(shù)，更有優(yōu)質(zhì)的客戶資源，在技術(shù)方面，星科金朋的eWLB、TSV、SiP、PoP等均為行業(yè)領(lǐng)先的高端封裝技術(shù)能力；在客戶方面，覆蓋了國(guó)際高端客戶，包括高通、博通、SanDisk、Marvell等。

星科金朋擁有多種先進(jìn)封裝技術(shù)，主要有FC（倒裝）、eWLB（嵌入式晶圓級(jí)球柵陣列）、TSV（硅通孔封裝技術(shù)）、SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）、PiP（堆疊組裝）、PoP（堆疊封裝）等。

星科金朋的客戶涵蓋集成電路制造商和集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，并且許多客戶都是各自領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器封測(cè)需求加大，公司深度受益

公司收購(gòu)星科金朋后，無論是產(chǎn)能還是封測(cè)技術(shù)均成為國(guó)內(nèi)封測(cè)行業(yè)絕對(duì)龍頭，同時(shí)與中芯國(guó)際、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金深度綁定，將充分受益于整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移。

從芯片產(chǎn)品端來看，國(guó)內(nèi)布局最廣且投入力度最大的是存儲(chǔ)器芯片，公司具備存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域完善的封測(cè)技術(shù)，將深度受益于這一趨勢(shì)。

MO源即高純金屬有機(jī)源，目前90%左右的應(yīng)用都集中于LED領(lǐng)域，其也是制造新一代太陽能電池、相變存儲(chǔ)器、半導(dǎo)體激光器、射頻集成電路芯片等的核心原材料。目前相變存儲(chǔ)器主要使用GST（Ge、Sb、Te）材料，公司有含這三種材料的MO源，隨著PCM技術(shù)的發(fā)展，若它能在市場(chǎng)上得到大規(guī)模的商用，上游MO源行業(yè)將直接受益，公司作為全球MO源生產(chǎn)的領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)，業(yè)績(jī)將會(huì)出現(xiàn)明顯的提升。

從公司的布局來看，主要分為三大塊業(yè)務(wù)：MO源、高純特種氣體和光刻膠。

1、  公司的MO源前主要應(yīng)用于下游制備LED外延片，其產(chǎn)品不僅實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)進(jìn)口替代，還遠(yuǎn)銷歐美及亞太地區(qū)，積累了如Osram、飛利浦、豐田合成、晶元光電、三安光電、士蘭明芯、華燦光電、乾照光電等一大批穩(wěn)定優(yōu)質(zhì)的客戶資源；

2、  公司子公司全椒南大光電完成了7條生產(chǎn)線的建設(shè)，具備了35噸高純磷烷、15噸高純砷烷等產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。

3、  公司參股北京科華31.39%，切入到光刻膠領(lǐng)域。

艾派克—不僅僅只有打印機(jī)

艾派克主營(yíng)業(yè)務(wù)包括集成電路芯片、通用打印耗材及核心部件和再生打印耗材的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括打印耗材芯片、打印耗材及相關(guān)部件等；艾派克通過收購(gòu)Lexmark（世界領(lǐng)先的打印產(chǎn)品及服務(wù)供應(yīng)商，產(chǎn)品包括打印機(jī)、耗材及相關(guān)軟件及服務(wù)），一舉奠定了其打印領(lǐng)域全產(chǎn)業(yè)鏈的龍頭地位。

艾派克在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的布局

艾派克在非易失性存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)及應(yīng)用領(lǐng)域擁有多項(xiàng)核心技術(shù)。艾派克已具備0.35、0.18和0.13微米工藝的非易失性存儲(chǔ)器EEPROM設(shè)計(jì)與生產(chǎn)能力，特別在高速EEPROM和低功耗EEPROM設(shè)計(jì)上具有較強(qiáng)優(yōu)勢(shì)，目前艾派克擁有相關(guān)EEPROM_IP16項(xiàng)。

艾派克助推PCM商業(yè)化

艾派克獲得上海微系統(tǒng)研究所相變存儲(chǔ)器PCRAM_IP在打印機(jī)及打印耗材芯片領(lǐng)域獨(dú)家使用授權(quán)，通過排他性合作增加了艾派克的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。從研究所角度看，其PCM技術(shù)可以快速實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，有助于進(jìn)一步研發(fā)投入。兩者優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，促進(jìn)協(xié)同發(fā)展。

七星電子——設(shè)備領(lǐng)域深度受益

在元器件領(lǐng)域，公司依托60多年的元器件技術(shù)積累，建立了完善的新產(chǎn)品、新工藝研發(fā)體系，其電阻、電容、晶體器件、微波組件、模塊電源、混合集成電路等高精密電子元器件被廣泛應(yīng)用于精密儀器儀表、自動(dòng)控制等高精尖特種行業(yè)。隨著國(guó)家進(jìn)一步推進(jìn)軍用電子元器件國(guó)產(chǎn)化政策，軍用元器件的需求保持10%-15%的穩(wěn)定增長(zhǎng)且毛利率水平高，是公司當(dāng)前利潤(rùn)的主要來源。

在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，公司集成電路設(shè)備逐步由研發(fā)進(jìn)入應(yīng)用的關(guān)鍵階段，目前為公司貢獻(xiàn)業(yè)績(jī)的主要是應(yīng)用于電力電子、光伏等領(lǐng)域的設(shè)備；公司收購(gòu)北方微電子，其產(chǎn)品主要包括刻蝕、PVD和CVD幾大類，應(yīng)用領(lǐng)域包括集成電路制造、封裝、LED、功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體等細(xì)分市場(chǎng)，客戶涵蓋中芯國(guó)際、武漢新芯、三安光電等國(guó)內(nèi)大廠，有望深度受益于新一輪國(guó)內(nèi)大規(guī)模晶圓廠投資浪潮。

此外，公司通過自主研發(fā)的鋰離子動(dòng)力電池設(shè)備的技術(shù)水平處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位，主要應(yīng)用于動(dòng)力汽車和儲(chǔ)能行業(yè)。在中國(guó)動(dòng)力電池巨大市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，預(yù)計(jì)中國(guó)2016年鋰離子電池設(shè)備市場(chǎng)將增長(zhǎng)17%，達(dá)到34億元規(guī)模，公司相關(guān)業(yè)務(wù)將深度受益。

公司將實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備的自主可控，預(yù)計(jì)公司16-18年凈利潤(rùn)分別為1.01億元、1.63億元、2.43億元，對(duì)應(yīng)EPS分別為：0.22、0.36、0.53元。

鼎龍股份——CMP拋光墊領(lǐng)域新秀

公司大力投入裝備及人才力量，2016 有望形成初步產(chǎn)能。若一二期產(chǎn)能50 萬片達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年新增銷售收入100，000 萬元，正常年度新增年均利潤(rùn)總額41，177 萬元，稅后利潤(rùn)35，000 萬元。鼎龍2015 年主業(yè)的收入約為10.5 億人民幣，若CMP項(xiàng)目的順利實(shí)施會(huì)使公司的營(yíng)業(yè)收入迎來翻番，再造“一個(gè)鼎龍”。

公司擁有彩色聚合碳粉、再生硒鼓和打印耗材芯片是鼎龍旗下的三大業(yè)務(wù)模塊，規(guī)模效應(yīng)十分突出，而且三者優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，協(xié)同發(fā)展。收購(gòu)旗捷將力促鼎龍?jiān)谛酒I(lǐng)域具有話語權(quán)，收購(gòu)佛萊斯通則讓鼎龍?jiān)诨瘜W(xué)碳粉領(lǐng)域具有產(chǎn)業(yè)控制力，硒鼓耗材方面則在產(chǎn)業(yè)鏈打通的背景下，未來具有產(chǎn)業(yè)繼續(xù)整合的空間，公司將有望在耗材領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)龍頭霸主的地位，未來利潤(rùn)有望跨越式提升。

公司推進(jìn)集成電路芯片及制程工藝材料研發(fā)中心項(xiàng)目，研發(fā)并布局新的IC 產(chǎn)業(yè)方向，著眼長(zhǎng)遠(yuǎn)，凸顯上市公司的深謀遠(yuǎn)慮。在整合打印耗材產(chǎn)業(yè)鏈的同時(shí)將業(yè)務(wù)延伸至IC 產(chǎn)業(yè)，并以數(shù)字圖文快印O2O 的方式打造全新的數(shù)字打印市場(chǎng)，而且促進(jìn)與打印耗材市場(chǎng)的融合。

公司深入打造“互聯(lián)網(wǎng)+中心工廠+窗口店”全新的圖文快印商業(yè)模式，實(shí)現(xiàn)線上線下的融合。作為行業(yè)內(nèi)唯一能夠提供全系列兼容耗材的公司，鼎龍有能力打破國(guó)外耗材廠商對(duì)終端的壟斷，成為快印行業(yè)的整合者。預(yù)計(jì)16年-18年EPS分別為0.66、0.93、1.14元。

風(fēng)險(xiǎn)提示：

系統(tǒng)性風(fēng)險(xiǎn)：電子行業(yè)發(fā)展不及預(yù)期