《電子技術(shù)應(yīng)用》
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被指與一線大廠漸行漸遠(yuǎn) 中芯國(guó)際實(shí)力究竟如何

2017-08-04

關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的朋友們,對(duì)于中芯國(guó)際一定不陌生。作為大陸半導(dǎo)體制造的代表性企業(yè),中芯國(guó)際在取得2017年(第三十一屆)中國(guó)電子信息百?gòu)?qiáng)企業(yè)第21名后,在近日公布的《財(cái)富》中國(guó)500強(qiáng)榜單中排在了第314名的位置。但這家獲得如此多肯定的企業(yè)卻在近日被指與一線大廠漸行漸遠(yuǎn),那么中芯國(guó)際的實(shí)力究竟如何呢?

中芯國(guó)際是世界領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一,也是大陸規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè),提供0.35微米到28納米不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。中芯國(guó)際總部位于上海,擁有全球化的制造和服務(wù)基地。在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm晶圓廠;在北京建有一座300mm晶圓廠和一座控股的300mm先進(jìn)制程晶圓廠;在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠;在江陰有一座控股的300mm凸塊加工合資廠;在意大利有一座控股的200mm晶圓廠。

被指與一線大廠漸行漸遠(yuǎn)

中芯國(guó)際雖位居全球第4大專業(yè)晶圓代工廠(次于臺(tái)積電、格羅方德與聯(lián)電),也扮演大陸半導(dǎo)體的要角;但中芯從2000年成立以來,幾乎大部分的時(shí)間都在賠錢,而臺(tái)灣半導(dǎo)體教父張忠謀17年前曾表示,中芯不僅不會(huì)威脅到臺(tái)積電,且會(huì)經(jīng)營(yíng)的很辛苦,沒想到張教父一語成讖,然傾官方之力扶植的中芯為何連年虧損,與一線大廠漸行漸遠(yuǎn)?

中芯被視為大陸半導(dǎo)體的樣板企業(yè),17年過去了,營(yíng)運(yùn)之路卻愈走愈艱困,財(cái)訊雙周刊報(bào)導(dǎo),歸結(jié)中芯的三大敗因,一是,創(chuàng)辦人張汝京是建廠高手,并非經(jīng)營(yíng)高手,對(duì)生產(chǎn)良率與技術(shù)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)不足,只好全盤抄襲臺(tái)積電,成為日后中芯專利訴訟大敗的主因。

再者,大股東各有盤算,中芯內(nèi)部有“臺(tái)灣系、海歸系、本土系”三大派系,彼此明爭(zhēng)暗斗,導(dǎo)致經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)不斷更迭,不過,讓中芯受傷最重的,是廠區(qū)分散,生產(chǎn)線從上海擴(kuò)張至北京、武漢、深圳等地,由于各省公公婆婆一大堆,難以形成中芯的產(chǎn)業(yè)聚落。

導(dǎo)報(bào)引述熟悉內(nèi)情的臺(tái)商透露,身為一家企業(yè)執(zhí)行長(zhǎng)(CEO)無法以理性決策做判斷,卻要奔走于地方政府進(jìn)行協(xié)調(diào),也是中芯的一大敗因。

然而中芯國(guó)際的實(shí)力真是如此嗎?

第一季度營(yíng)收7.9億美元

5月10日,中芯國(guó)際發(fā)布了2017年第一季度報(bào)告,其銷售額約7.93億美元,同比增長(zhǎng)25.0%;中芯國(guó)際應(yīng)占利潤(rùn)為6980萬美元,去年同期為6140萬美元,同比增長(zhǎng)約13.6%。

第一季度業(yè)績(jī):

營(yíng)收約7.93億美元,較去年第四季度8.15億美元減少2.7%,較去年同期6.34億美元增長(zhǎng)25.0%;

毛利潤(rùn)約2.21億美元,而去年第四季度約2.46億美元,去年同期約1.54億美元;

毛利率為27.8%,去年第四季度為30.2%,去年同期為24.2%;

歸屬于中芯國(guó)際的凈利潤(rùn)為6980萬美元,去年第四季度約1.04億美元,去年同期為6140萬美元。

第二季度業(yè)績(jī)預(yù)期:

中芯國(guó)際預(yù)計(jì),第二財(cái)季營(yíng)收環(huán)比將下降3%至6%;

毛利率將達(dá)到25%至28%;

基于非美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則,運(yùn)營(yíng)開支將達(dá)到1.79億美元至1.84億美元;

來自控股子公司的非控制性權(quán)益將達(dá)到600萬美元至800萬美元。

7月20日,中芯國(guó)際宣布,將于北京時(shí)間2017年8月9日星期三發(fā)布2017財(cái)年第二季度財(cái)報(bào)。

02專項(xiàng)支持下,取得突破性進(jìn)展

在02專項(xiàng)支持下,中芯國(guó)際產(chǎn)能和技術(shù)研發(fā)取得突破性進(jìn)展,成套工藝水平由2008年的110納米提升到28納米,完成65-45-28納米成套工藝研發(fā)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn):65/55納米產(chǎn)品累計(jì)銷售超過180億元,40/45納米產(chǎn)品累計(jì)銷售超過100億元,2015年32/28納米工藝開始量產(chǎn)高通驍龍系列產(chǎn)品,產(chǎn)品累計(jì)銷售超過180億元,2016年28納米高K金屬柵工藝(HKMG)成功流片,并經(jīng)聯(lián)芯4G移動(dòng)終端AP產(chǎn)品認(rèn)證;14納米研發(fā)獲得突破;2017年聯(lián)合中科院微電子所等單位開始了“7-5納米集成電路先導(dǎo)工藝與系統(tǒng)集成新技術(shù)”的研發(fā)。

中芯國(guó)際作為行業(yè)龍頭企業(yè),不僅全面遵照“02專項(xiàng)用戶考核制”,為國(guó)產(chǎn)材料 、裝備及零部件提供公共驗(yàn)證平臺(tái),更根據(jù)集成電路大規(guī)模生產(chǎn)的特點(diǎn)和要求,積極主動(dòng)協(xié)助設(shè)備材料企業(yè)開展技術(shù)攻關(guān),帶動(dòng)國(guó)產(chǎn)材料、裝備及零部件驗(yàn)證和應(yīng)用,取得了一大批經(jīng)得起市場(chǎng)檢驗(yàn)可以參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的優(yōu)秀成果產(chǎn)品。

公共驗(yàn)證平臺(tái)覆蓋350納米到28納米所有制程。12英寸廠成功驗(yàn)證12個(gè)設(shè)備種類,占設(shè)備分類數(shù)的13%,中芯國(guó)際北方廠12寸國(guó)產(chǎn)設(shè)備量產(chǎn)突破1000萬片。

材料方面,中芯國(guó)際下屬8英寸和12英寸廠都有國(guó)產(chǎn)材料驗(yàn)證成功并上線使用,截止2016年共有60個(gè)國(guó)產(chǎn)材料驗(yàn)證成功并采購(gòu)使用,全部材料國(guó)產(chǎn)化比率達(dá)13%。

通過專項(xiàng)立項(xiàng)整體布局,中芯國(guó)際與國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)企業(yè)聯(lián)系愈加緊密,先后為20余家設(shè)計(jì)單位提供65-28納米產(chǎn)品開發(fā)支持,海思、展銳、中興微、大唐聯(lián)芯、瑞芯微等加大國(guó)內(nèi)投片比例。2016年國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)公司營(yíng)收占公司總收的將近50%,并就14納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)與中芯國(guó)際開展密切合作。

先進(jìn)工藝研發(fā)過程中,中芯國(guó)際堅(jiān)持走產(chǎn)學(xué)研合作創(chuàng)新道路,歷時(shí)超過7年,經(jīng)65納米至7納米五個(gè)工藝代,合作創(chuàng)新單位包括國(guó)內(nèi)集成電路領(lǐng)域最優(yōu)秀的研究所和高校。

中芯國(guó)際各制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)的詳細(xì)情況

先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品

28納米:中芯國(guó)際的28納米技術(shù)包含傳統(tǒng)的多晶硅(PolySiON)和后閘極的高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)制程,于2013年第四季度推出,2015年良率方面取得了重大突破,成功為客戶制造出低功耗、高性能的手機(jī)處理器芯片。2015年第四季度,中芯國(guó)際宣布28納米進(jìn)入量產(chǎn)階段并開始貢獻(xiàn)營(yíng)收。

45/40納米:中芯國(guó)際是大陸第一家提供40納米技術(shù)的晶圓廠,其40納米標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程提供低功耗(LL)器件平臺(tái),核心組件電壓1.1V,涵蓋三種不同閾值電壓,以及輸入/輸出組件1.8V、2.5V和3.3V電壓以滿足不同的設(shè)計(jì)要求。40納米邏輯制程結(jié)合了最先進(jìn)的浸入式光刻技術(shù)、應(yīng)力技術(shù)、超淺結(jié)技術(shù)以及超低介電常數(shù)金屬間介質(zhì)。

65/55納米:中芯國(guó)際的65/55納米工藝制程平臺(tái)可以廣泛支持包含邏輯、混合信號(hào)、射頻、BCD、NOR閃存、eFlash和CIS在內(nèi)的多種IC產(chǎn)品。2014年,中芯國(guó)際成為全球第一家可以為智能卡和SIM卡提供55納米嵌入式閃存(eFlash)解決方案的專業(yè)晶圓代工廠,并且在2014年第四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

成熟技術(shù)產(chǎn)品

90納米:中芯國(guó)際的300毫米晶圓廠已有多個(gè)90納米工藝的產(chǎn)品進(jìn)入大規(guī)模的生產(chǎn),中芯國(guó)際擁有豐富的制程開發(fā)經(jīng)驗(yàn),可向全球客戶提供先進(jìn)的90納米技術(shù)。中芯國(guó)際的90納米制程采用Low-k材質(zhì)的銅互連技術(shù),生產(chǎn)高性能的元器件。利用先進(jìn)的12英寸生產(chǎn)線進(jìn)行90納米工藝的生產(chǎn)能確保成本的優(yōu)化,為客戶未來技術(shù)的提升提供附加的資源。

0.13-0.11微米:中芯國(guó)際的0.13微米制程采用全銅制程技術(shù),可在達(dá)到高性能設(shè)備的同時(shí),實(shí)現(xiàn)成本的優(yōu)化。0.13微米技術(shù)工藝使用8層金屬層寬度僅為0.08微米的門電路,能夠制作核心電壓為1.2V以及輸入/輸出電壓為2.5V或3.3V的組件。中芯國(guó)際的低電壓和低漏電制程產(chǎn)品已在廣泛生產(chǎn)中。

0.18微米:中芯國(guó)際0.18微米工藝技術(shù)包括邏輯、混合信號(hào)/射頻、高壓、電可擦除只讀存儲(chǔ)器以及一次可編程技術(shù)等,這些技術(shù)均有廣泛的單元庫(kù)和智能模塊支持。中芯國(guó)際在0.18微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上可提供低成本、經(jīng)驗(yàn)證的智能卡、消費(fèi)電子產(chǎn)品以及其他廣泛的應(yīng)用類產(chǎn)品,也在嵌入式內(nèi)存、混合信號(hào)及CMOS射頻電路等應(yīng)用方面為客戶提供了靈活性的解決方案及模擬。

0.35-0.25微米:中芯國(guó)際提供0.25微米邏輯電路以及3.3V/5V應(yīng)用的混合信號(hào)/射頻CMOS和成本優(yōu)化及通過驗(yàn)證的0.35微米工藝解決方案,可應(yīng)用于智能卡、消費(fèi)性產(chǎn)品以及其他多個(gè)領(lǐng)域。

SPOCULL特殊工藝:SPOCULLTM是中芯國(guó)際的重要特殊工藝。SPOCULL代表SMICPoly Contact for Ultra Low Leakage。SPOCULLTM包括95納米高壓工藝和95納米超低功耗工藝兩個(gè)技術(shù)平臺(tái),分別針對(duì)高性能模擬/射頻產(chǎn)品和超低功耗的微控制芯片。95納米高壓工藝主要用于顯示驅(qū)動(dòng)器IC,95納米超低功耗工藝用于物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)領(lǐng)域。


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