雙晶體管模塊針對(duì)宏基站設(shè)計(jì)提供無(wú)與倫比的性能

　　中國(guó)，北京 - 2017年8月10日 -實(shí)現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天宣布，推出一款全新的非對(duì)稱(chēng)型 Doherty 放大器---QPD2731，有助于客戶(hù)在設(shè)計(jì)無(wú)線(xiàn)基站設(shè)備的過(guò)程中實(shí)現(xiàn)超高功效。該新一代碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）解決方案在單個(gè)封裝中采用兩個(gè)晶體管，可最大限度提高線(xiàn)性度、效率和增益，并最終降低運(yùn)營(yíng)成本。

　　Strategy Analytics服務(wù)總監(jiān)Eric Higham表示：“相比GaAs和InP等其他高頻技術(shù)，GaN器件可以處理更高的功率；相比LDMOS等其他功率技術(shù)，GaN的頻率性能更出色?！?/p>

　　Qorvo高性能解決方案業(yè)務(wù)部門(mén)總經(jīng)理Roger Hall表示：“如今的電信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)就是要實(shí)現(xiàn)可降低成本的高功效。我們的客戶(hù)告訴我們，隨著運(yùn)營(yíng)商在線(xiàn)提供更多功能，新型GaN-on-SiC QPD2731晶體管可實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)?！?/p>

　　因?yàn)長(zhǎng)DMOS和GaN-on-Si與之相比，熱性能較差，客戶(hù)正越來(lái)越多地轉(zhuǎn)向使用GaN-SiC，以大幅改善無(wú)線(xiàn)基站的性能、線(xiàn)性度和效率。QPD2731通過(guò)預(yù)匹配分立式GaN-on-SiC高電子遷移率晶體管（HEMT）實(shí)現(xiàn)這一轉(zhuǎn)變。目前提供樣片的這款新型放大器可在2.5至2.7 GHz的工作范圍內(nèi)提供業(yè)內(nèi)最高性能。

　　根據(jù)Qorvo之前發(fā)布的內(nèi)容，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的市售第三方DPD系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)QPD2731的線(xiàn)性化。

　　QPD2731功能

　　工作頻率范圍

　　2.5 - 2.7 GHz

　　Doherty 峰值輸出功率

　　55.0dBm (316W)

　　Doherty 漏極效率

　　60.0% (47.5dBm)

　　Doherty 增益

　　16.0 dB

　　4引腳無(wú)耳式陶瓷法蘭 NI780 封裝

　　Qorvo提供包含不同功率、電壓和頻率級(jí)別水平的廣泛的氮化鎵（GaN）分立式晶體管產(chǎn)品，采用裸片級(jí)和封裝級(jí)解決方案。有關(guān)這些產(chǎn)品的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：http://www.qorvo.com/products/discrete-transistors/gan-hemts。