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安森美半導體大力擴展汽車認證的器件陣容用于汽車功能電子化方案

2017-08-27
作者:Deres Eshete,安森美半導體

  安森美半導體電源方案部(PSG)加速了擴展分立器件、集成電路(IC)、模塊和驅(qū)動器產(chǎn)品陣容,針對汽車應用中的高電源能效方案。公司電源方案部的汽車認證的器件數(shù)現(xiàn)已超過4,000,是該行業(yè)中最大的供應商。此外,用于汽車功能電子化的電源半導體方案也已達到創(chuàng)紀錄的水平。

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  數(shù)據(jù)來源:IHS Markit, WSTS, public web sites as of August 2017

  雖然一些汽車半導體供應商正在減少對標準產(chǎn)品的關注,但安森美半導體繼續(xù)投資于汽車級標準分立器件的基本構件模塊,同時擴大針對汽車功能電子化的電源方案陣容。在現(xiàn)有的標準的和高性能的分立器件陣容中,最新的擴展包括低正向電壓整流器系列、一系列精密的電流檢測放大器、高ESD等級的數(shù)字晶體管、低鉗位ESD保護器件、RF分立器件、高噪聲抑制(高電源抑制比PSRR)低壓降穩(wěn)壓器(LDO)、圖像傳感器,和業(yè)界首款真正的grade 0(150°C)EEPROM,結合擴展的兼容汽車自動光學檢測(AOI)的小外形可潤側翼封裝。這些都是重點持續(xù)投資于汽車市場現(xiàn)有的標準的和高性能產(chǎn)品的典型例子。

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  安森美半導體電源方案部(PSG)汽車半導體方案

  針對快速增長的電動汽車市場,安森美半導體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車模塊和數(shù)字隔離柵極驅(qū)動器以及一個用于48V系統(tǒng)的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車電源半導體陣容的包括用于主逆變器的650 V至1200V IGBT、1200 V SiC二極管、用于充電器的650 V超級結MOSFET、用于48V系統(tǒng)的80 V至200 V極低RDSon(< 1m? 至10m?)的分立MOSFET和模塊、用于電動汽車輔助系統(tǒng)的600至1200V智能功率模塊(IPM)、和用于泵及電機的各種40 V至60 V MOSFET。

  展望未來,安森美半導體電源方案部正擴展針對下一代電源半導體的方案陣容,包括針對汽車功能電子化的寬禁帶WBG(碳化硅SiC和氮化鎵GaN)、全系列電子保險絲eFuse以減少線束和免電池的智能無源傳感器以在汽車感測/車身應用中增添功能。了解更多有關免電池的智能無源傳感器內(nèi)容,請參考鏈接:http://www.onsemi.cn/PowerSolutions/content.do?id=18702


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