日前，美國芯片設(shè)計商Rambus宣布與中國存儲器解決方案供應(yīng)商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）合作建立一個在中國的合資企業(yè)Reliance Memory，以實現(xiàn)電阻式隨機存取存儲器（RRAM）技術(shù)的商業(yè)化。

RRAM是什么？

RRAM，也就是阻式隨機存取存儲器，是一種新型電腦存儲器，它基于一種新的半導(dǎo)體材料，依賴于溫度和電壓來存儲數(shù)據(jù)。雖然它被證明比當(dāng)前技術(shù)更快，更節(jié)能，但是RRAM的工作原理仍然是一個謎?，F(xiàn)在，一個斯坦福團隊使用了全新工具來研究RRAM，發(fā)現(xiàn)其最佳工作溫度范圍遠低于此前預(yù)期，為更高效的內(nèi)存鋪平了道路。

RRAM工作的基本原理：在自然狀態(tài)下，RRAM材料是絕緣體，阻止電子流動，但是用電場將它們打開，為電子 打開一個路徑，讓電子流動，這兩個狀態(tài)之間交替可以形成二進制代碼的基礎(chǔ)：即絕緣狀態(tài)表示0，而通過電子的狀態(tài)代表1。

RRAM及其制造的半導(dǎo)體允許芯片堆疊在彼此之上，使得存儲器和邏輯組件以不能復(fù)制的方式靠近在一起。這些3D“高層”芯片可以解決大數(shù)據(jù)處理延遲，同時延長未來移動設(shè)備的電池壽命，提供更快，更高能效的解決方案。但是RRAM材料需要多少溫度才會導(dǎo)致開關(guān)目前還是未知因素。由于沒有辦法測量由電力產(chǎn)生的熱量，研究人員使用微熱級的熱板狀裝置加熱RRAM芯片。通過監(jiān)測電子何時開始流過RRAM材料，團隊能夠測量材料形成導(dǎo)電通路所需的溫度，并驚喜地發(fā)現(xiàn)其最佳工作溫度范圍在80°F和260°F（26.7和126.7℃）之間，遠低于此前估計的1160°F（626.7℃）。因此，未來的RRAM器件將需要更少的電力來產(chǎn)生這些溫度，使得它們更節(jié)能。

兆易創(chuàng)新和Rambus各取所需

作為國內(nèi)的Nor Flash領(lǐng)頭羊，兆易創(chuàng)新這兩年在存儲方面的投入巨大，一方面在和推進和合肥的項目合作，這次和Rambus的合作，可以看做是他們布局未來的一個籌碼。

Rambus公司創(chuàng)建于1990年三月，創(chuàng)始人是兩位出身于名牌大學(xué)的值得尊敬的先生：畢業(yè)于伊利諾斯大學(xué)的Mike Farmwald博士和畢業(yè)于斯坦福大學(xué)的Mark Horowitz博士。公司一開始不過是間不起眼的普通微電子公司。就像業(yè)界里的無數(shù)普通小公司一樣，99％的這種小公司不是瀕臨倒閉就是被大公司兼并。同樣，Rambus公司從創(chuàng)建伊始就經(jīng)歷了一條布滿坎坷的發(fā)展道路，盡管起初沒有人會想到它會掀起驚濤駭浪。

但在接下來的幾十年里，他們通過投入研發(fā)，積累2500項專利，之前還通過與不少的電腦內(nèi)存片制造巨頭在法院打官司，大都陸續(xù)達成授權(quán)和解。該公司在2015年開始重組，自那之后該公司將業(yè)務(wù)擴展至晶片設(shè)計以外領(lǐng)域，授權(quán)公司出售自己品牌及由供應(yīng)商生產(chǎn)的授權(quán)晶片。

過去二十年，在PC時代Rambus憑借其DDR、SDRAM技術(shù)在晶片行業(yè)占據(jù)壟斷地位，但這些技術(shù)都陸續(xù)與其它公司達成授權(quán)(該收的錢都收了，早期技術(shù)專利也漸過期)，且這些技術(shù)也隨科技進步而漸”老去”。隨著，10年前英特爾(Intel)錯失行動通訊的時機，Rambus的技術(shù)也隨之被邊緣化。

近期，Rambus將技術(shù)拓展至數(shù)據(jù)中心(data center)和移動設(shè)備(mobile)所使用晶片，更貼近利基市場。同時，也強化電子安全(cyber security)部門。Rambus企圖在data center研究領(lǐng)域占有一席之地。

兆易創(chuàng)新這次和他的合作，將會為他們的未來帶來不少的可能。