日前，據(jù)彭博社報(bào)道稱，德克薩斯州聯(lián)邦陪審團(tuán)日前作出一項(xiàng)裁決，三星電子因侵犯韓國(guó)技術(shù)學(xué)院(Korea Advanced Institute of Science and Technology，簡(jiǎn)稱KAIST)一項(xiàng)專利技術(shù)，為此需向后者支付高達(dá)4億美元的賠償。
據(jù)悉，韓國(guó)技術(shù)學(xué)院曾發(fā)起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(shù)(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利技術(shù)。三星起初對(duì)韓國(guó)技術(shù)學(xué)院的研究不屑一顧，認(rèn)為該技術(shù)只是一種潮流技術(shù)。但在其對(duì)手——英特爾公司開始向這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)明者取得許可授權(quán)時(shí)，圍繞三星是否侵權(quán)的力量博弈發(fā)生了改變。隨著芯片產(chǎn)品制程的縮小，鰭片晶體管技術(shù)能夠提高芯片性能，同時(shí)降低芯片功耗。
作為全球最大的芯片制造商，三星向陪審團(tuán)表示，它與韓國(guó)技術(shù)學(xué)院合作開發(fā)了這項(xiàng)技術(shù)，并否認(rèn)侵犯了相關(guān)專利技術(shù)。三星還對(duì)這項(xiàng)專利的有效性提出了質(zhì)疑。
三星的這一侵權(quán)行為被裁定為“故意為之”，或“有意為之”，這意味著法官可以將三星所需支付的賠償金額增加到陪審團(tuán)規(guī)定的三倍。
這項(xiàng)技術(shù)被認(rèn)為是生產(chǎn)智能手機(jī)處理器的關(guān)鍵。GlobalFoundries和三星利用了這一技術(shù)來制造芯片。而作為最大的手機(jī)芯片制造商，高通則是兩家公司的客戶。上述公司對(duì)此判決提出了聯(lián)合辯護(hù)。
這一事件標(biāo)志著韓國(guó)頂級(jí)研究型科學(xué)與工程機(jī)構(gòu)——韓國(guó)技術(shù)學(xué)院與三星這家對(duì)該國(guó)經(jīng)濟(jì)至關(guān)重要的公司之間展開的沖突。雙方律師均拒絕對(duì)判決發(fā)表評(píng)論。
不止三星，高通、格芯也是被告
南韓科學(xué)技術(shù)院（KAIST）專利管理子公司KAIST IP 于2016年11 月30 日向德州聯(lián)邦地方法院提起專利侵權(quán)訴訟，控告三星電子、高通（Qualcomm）和格芯（GlobalFoundries）擅自盜用其所擁有的「FinFET」技術(shù)專利，要求支付專利使用費(fèi)。
KAIST IP 指出，「長(zhǎng)期以來持續(xù)和三星就支付使用費(fèi)一事進(jìn)行協(xié)商，不過三星全面拒絕，導(dǎo)致協(xié)商破裂。且除了三星、高通和格羅方格之外，今后也計(jì)劃對(duì)臺(tái)灣臺(tái)積電、蘋果（Apple ）提告」。
KAIST旗下智財(cái)權(quán)管理機(jī)構(gòu)KAIST IP美國(guó)分公司表示，最初三星對(duì)有關(guān)FinFet技術(shù)的研究不屑一顧，認(rèn)為這只是種短暫流行的趨勢(shì)。但在英特爾（intel）開始授權(quán)相關(guān)技術(shù)專利并投入開發(fā)產(chǎn)品后，三星的態(tài)度丕變。
按照KAIST的說法，三星是在邀請(qǐng)F(tuán)inFET技術(shù)開發(fā)者、首爾大學(xué)教授李鐘浩(Lee Jong-ho)向公司工程師展示FinFET技術(shù)原理時(shí)盜取了這項(xiàng)技術(shù)。李鐘浩是KAIST合伙人之一。
“三星在分文未花的情況下盜取了李鐘浩的發(fā)明，從而削減了開發(fā)時(shí)間和成本。隨后，三星在沒有取得授權(quán)或支付適當(dāng)賠償金的情況下繼續(xù)使用李鐘浩的發(fā)明，”KAIST稱。
KAIST IP還表示，三星、格羅方格、臺(tái)積電使用FinFET 技術(shù)生產(chǎn)、販?zhǔn)凼謾C(jī)芯片，但卻不支付使用費(fèi)。三星、格羅方格供應(yīng)芯片給高通，臺(tái)積電則幫蘋果生產(chǎn)iPhone 用芯片。
被告專利信息
南韓專利智財(cái)管理公司KAIST IP US是KAIST IP在美國(guó)設(shè)立之子公司，該公司隸屬于韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院（KAIST）是為促進(jìn)所開發(fā)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)和技術(shù)而成立。KAIST成立于1971年由南韓政府設(shè)立，是韓國(guó)第一個(gè)研究型科學(xué)與工程機(jī)構(gòu)，目前擁有超過9000名學(xué)生和1100名教授研究員，在全球擁有超過3,300項(xiàng)注冊(cè)專利。同時(shí)，KAIST是南韓的研究型大學(xué)，與首爾國(guó)立大學(xué)、高麗大學(xué)、延世大學(xué)和成均館大學(xué)，并列為南韓前五大大學(xué)。
本案系爭(zhēng)專利US6885055 (Double-gate FinFET device and fabricating method thereof)，有關(guān)于鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程技術(shù)。原專利權(quán)人Lee Jong-Ho是首爾國(guó)立大學(xué)電子工程系教授，后于2016.07.20將專利權(quán)轉(zhuǎn)移給KAIST IP CO., LTD，后又于2016.08.10轉(zhuǎn)給旗下美國(guó)子公司KAIST IP US LLC ，以便在美國(guó)法院主張專利權(quán)進(jìn)行訴訟。
公開號(hào)US6885055 B2
申請(qǐng)書編號(hào)US 10/358,981
發(fā)布日期2005年4月26日
申請(qǐng)日期2003年2月4日
優(yōu)先權(quán)日期2003年2月4日
其他公開專利號(hào)US20040150029
發(fā)明人Jong-ho Lee (李鐘浩)
原專利權(quán)人Lee Jong-Ho
目前專利權(quán)人KAIST IP US LLC
近幾年來，半導(dǎo)體最熱門的討論就是「FinFET」技術(shù)，被認(rèn)為是目前高性能手機(jī)中重要的核心技術(shù)之一，且已被多家廠商采用，例如：iPhone 6s內(nèi)新一代A9應(yīng)用處理器采用新晶體管架構(gòu)很可能為鰭式晶體管（FinFET），還有三星電子Galaxy系列在內(nèi)的10多款手機(jī)都使用了FinFET。代表FinFET開始全面攻占手機(jī)處理器、三星與臺(tái)積電較勁，將10納米FinFET正式納入開發(fā)藍(lán)圖、聯(lián)電攜ARM完成14納米FinFET制程測(cè)試。
更先進(jìn)3D FinFET由美國(guó)加州大學(xué)伯克萊分校胡正明、Tsu-Jae King-Liu、Jeffrey Bokor等三位教授發(fā)明了「鰭式場(chǎng)效晶體管（Fin Field Effect Transistor，F(xiàn)inFET）」，把原本2D構(gòu)造的MOSFET改為3D的FinFET，因?yàn)闃?gòu)造很像魚鰭，因此稱為「鰭式（Fin）」。
值得一提的是，這個(gè)技術(shù)的發(fā)明人胡正明教授，就是梁孟松的博士論文指導(dǎo)教授，換句話說，梁孟松是這個(gè)技術(shù)的核心人物之一，臺(tái)積電沒有重用梁孟松來研發(fā)這個(gè)技術(shù)，致使他跳糟到三星電子，讓三星電子的FinFET制程技術(shù)在短短數(shù)年間突飛猛進(jìn)趕上臺(tái)灣，這才是臺(tái)灣半導(dǎo)體晶圓代工產(chǎn)業(yè)最大的危機(jī)。
KAIST IP聲稱，其FinFET專利技術(shù)已獲英特爾(Intel)采用，該技術(shù)發(fā)明人李鐘浩說：三星曾與他討論過該FinFET技術(shù)，之后就盜用該技術(shù)。所以主張，三星及格羅方德侵犯該公司的「FinFET」專利技術(shù)，之后三星、格羅方格以14納米FinFET制程技術(shù)供應(yīng)芯片給高通，因此高通成為被告。
臺(tái)積電則以16納米FinFET制程幫蘋果生產(chǎn)iPhone用芯片。據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，KAIST已經(jīng)計(jì)畫在搜集證據(jù)后，準(zhǔn)備向臺(tái)積電提起訴訟。臺(tái)積電內(nèi)部認(rèn)為，三大半導(dǎo)體都拒絕支付專利費(fèi)用給KAIST，顯見三家半導(dǎo)體廠都具備自主研發(fā)的FinFET技術(shù)。