存儲(chǔ)器大廠華邦電（2344）積極搶攻車(chē)用存儲(chǔ)器市場(chǎng)，發(fā)表業(yè)界首款最高速度的車(chē)用序列式NAND Flash（Serial NAND），在四線序列周邊介面（QSPI）下的最高傳輸速度可達(dá)每秒83MB，若采用雙芯片（Dual Chip）技術(shù)更能提傳輸速度提升1倍到每秒166MB的境界。華邦電1Gb/2Gb容量車(chē)用序列式NAND Flash已進(jìn)入送樣階段，并獲得一線車(chē)廠青睞。

　　華邦電表示，新推出的車(chē)用序列式NAND Flash在讀取速度上比現(xiàn)有Serial NAND產(chǎn)品快上4倍，再加上可儲(chǔ)存容量高于序列周邊介面SPI NOR Flash，硬體上亦能兼容于標(biāo)準(zhǔn)SPI NOR Flash，預(yù)期可取代傳統(tǒng)SPI NOR Flash在車(chē)用市場(chǎng)應(yīng)用，提供包括車(chē)用儀表板、中央顯示器（CID）等車(chē)用電子應(yīng)用，并能提供高速、高容量、高性?xún)r(jià)比的編碼儲(chǔ)存存儲(chǔ)器方案。

　　對(duì)汽車(chē)原廠來(lái)說(shuō)，在儀表板的資訊顯示日益絢麗，且中央顯示器尺寸愈來(lái)愈大的情況下，對(duì)于存儲(chǔ)器的容量要求也是越顯重要。在1Gb左右的容量層級(jí)中，序列式NAND Flash不管是在單位容量上或是在單位容量占用的電路板面積上，都比SPI NOR Flash更有成本上的優(yōu)勢(shì)。

　　再者，過(guò)去幾年在車(chē)用顯示領(lǐng)域中，除了SPI NOR Flash有著比較高速的讀取能力，可以滿足車(chē)用上快速開(kāi)機(jī)啟動(dòng)的要求，還因?yàn)楦呖煽啃?，所以一直是被?chē)廠使用在車(chē)用領(lǐng)域。

　　但隨著華邦電將序列式NAND Flash的讀取速度一舉提升到每秒83MB后，已經(jīng)能在開(kāi)機(jī)啟動(dòng)速度上跟SPI NOR Flash相互媲美，滿足車(chē)用儀表板快速啟動(dòng)和多樣化圖型顯示的需求。

　　華邦電總經(jīng)理詹東義表示，NOR Flash容量提升到256Mb以上時(shí)，制造成本會(huì)大幅增加，所以華邦電數(shù)年前開(kāi)始投入SLC NAND Flash技術(shù)研發(fā)，就計(jì)劃利用NAND Flash大容量的優(yōu)勢(shì)并整合NOR Flash的特性，推出可取得高容量NOR Flash的序列式NAND Flash。同時(shí)，華邦電的產(chǎn)品線都要求通過(guò)車(chē)規(guī)認(rèn)證，并順利搶進(jìn)車(chē)用存儲(chǔ)器市場(chǎng)。