存儲芯片因?yàn)槠鋺?yīng)用的廣泛性和重要性，是電子產(chǎn)品必不可少的一種重要半導(dǎo)體元件，近些年隨著大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展，其在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中扮演的角色將更加重要。過去，我國的存儲芯片基本依賴于進(jìn)口，三星、東芝、SK海力士、美光等美日韓企業(yè)占據(jù)主要市場份額。自2014年我國頒布了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，經(jīng)過政府和企業(yè)近幾年潛心的努力和投入，已形成包括發(fā)展NAND Flash的長江存儲、專注移動(dòng)式內(nèi)存的合肥長鑫以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營。這三大存儲芯片基地分別在當(dāng)?shù)丶泳o建設(shè)存儲芯片工廠，前日（7月17日），合肥長鑫8Gb LPDDR4正式投片，成為我國國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)里程碑。既然2018年將成為國產(chǎn)存儲芯片主流化發(fā)展的元年，那么這三大領(lǐng)頭羊研發(fā)和投產(chǎn)進(jìn)展如何？讓我們關(guān)注一下。

　　長江存儲

　　2016年12月，以長江存儲為主體的國家存儲器基地正式開工建設(shè)，其中包括3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，核心廠區(qū)占地面積約1717畝，預(yù)計(jì)項(xiàng)目建成后總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。經(jīng)過一年多的布局，目前，長江存儲已經(jīng)在武漢、北京、上海、臺北、東京、硅谷均設(shè)有研發(fā)基地。

　　長江存儲以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，采取自主研發(fā)與國際合作雙輪驅(qū)動(dòng)的方式，已于2017年研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片，填補(bǔ)了國內(nèi)空白。

　　2018年4月，由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)的國家存儲器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺正式進(jìn)場安裝，這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。同時(shí)紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁暨長江存儲執(zhí)行董事長高啟全更是披露了一個(gè)振奮人心的好消息：長江存儲的3D NAND閃存已經(jīng)獲得第一筆訂單，總計(jì)10776顆芯片，將用于8GB USD存儲卡產(chǎn)品。

　　在CITE2018展會上開幕式上，紫光集團(tuán)董事長趙偉國宣布，紫長江存儲32層64G 3D NAND Flash存儲器將會在2018年達(dá)成小規(guī)模量產(chǎn)的目標(biāo)，2019年64層128G 3DNAND Flash儲器則將會進(jìn)入規(guī)模研發(fā)的階段。

　　2018年5月19日，長江存儲購買自荷蘭ASML的光刻機(jī)運(yùn)抵武漢天河機(jī)場。這是長江存儲的首臺光刻機(jī)，不過這臺機(jī)器并不是最新的EUV光刻機(jī)，而是193nm沉浸式光刻機(jī)，可用于產(chǎn)20-14nm工藝的3D NAND閃存晶圓，新的光刻機(jī)的進(jìn)廠，也標(biāo)志著長江存儲32層3D NAND Flash即將進(jìn)入量產(chǎn)。

　　合肥長鑫

　　合肥長鑫集成電路有限責(zé)任公司是由合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股（集團(tuán)）有限公司和合肥產(chǎn)投新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)發(fā)展合伙企業(yè)（有限合伙）投資建立的。公司成立于2016年，由中芯國際前CEO王寧國主導(dǎo)。

　　2017年5月25日，長鑫宣布，預(yù)計(jì)由合肥長鑫投資72億美元，興建12寸晶圓廠以發(fā)展DRAM產(chǎn)品，預(yù)計(jì)最大月產(chǎn)將高達(dá)12.5萬片規(guī)模。

　　2017年10月，合肥長鑫與兆易創(chuàng)新合作開展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器（含DRAM等）研發(fā)項(xiàng)目。項(xiàng)目內(nèi)容為在合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)內(nèi)開展工藝制程19nm 存儲器的 12 英寸晶圓存儲器（含 DRAM 等）的研發(fā)，目標(biāo)是在 2018 年12 月 31 日前研發(fā)成功，即實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率（測試電性良好的芯片占整個(gè)晶圓的比例）不低于 10%。目前雙方合作非常順利。

　　2018年4月份，王寧國出席合肥舉辦的“國家集成電路重大專項(xiàng)走進(jìn)安徽活動(dòng)”表示，合肥長鑫的一廠廠房已經(jīng)于2018年1月建設(shè)完成，設(shè)備也開始安裝。根據(jù)計(jì)劃，長鑫將于2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產(chǎn)能將達(dá)到2萬片一個(gè)月。從2020年開始，公司則開始規(guī)劃二廠，2021年則完成17nn的研發(fā)。

　　2018年7月17日，合肥長鑫8Gb LPDDR4正式投片，完全在上述投產(chǎn)時(shí)間計(jì)劃之內(nèi)。在短短兩年的發(fā)展中，合肥長鑫在元件、設(shè)計(jì)、光罩、制造和測試領(lǐng)域都做了不少的積累。截至2017年底，已申請專利354件，2018年計(jì)劃申請專利1155件：其中計(jì)劃申請?jiān)＠?26件、設(shè)計(jì)專利144件、成像專利224件。計(jì)劃至2018年底，申請專利數(shù)量總計(jì)達(dá)到1509件。

　　福建晉華

　　2016年2月，福建省電子信息集團(tuán)、晉江能源投資集團(tuán)有限公司等共同出資設(shè)立福建晉華集成電路有限公司。2016年5月，福建晉華與臺灣聯(lián)華電子簽署技術(shù)合作協(xié)議，投資56.5億美元，在福建省晉江市建設(shè)12寸內(nèi)存晶圓廠生產(chǎn)線，開發(fā)先進(jìn)存儲器技術(shù)和制程工藝，并開展相關(guān)產(chǎn)品的制造和銷售。

　　福建晉華集成電路公司的生產(chǎn)線設(shè)備安裝將于2018年7月底完成，為三季度的大規(guī)模量產(chǎn)鋪平了道路。到2018年年底投產(chǎn)后，將形成月處理6萬片12英寸晶圓的產(chǎn)能，這將填補(bǔ)中國在內(nèi)存芯片領(lǐng)域的空白。