根據(jù)DIGITIMES Research調(diào)查顯示，今年第三季全球智能手機(jī)應(yīng)用處理器（AP）出貨預(yù)估將達(dá)4.5億套，相較第二季季成長達(dá)18.7％。隨著蘋果、華為等領(lǐng)先品牌旗艦新機(jī)發(fā)布在即，其中搭載7納米制程的高階AP出貨比重將迅速拉升，一舉突破10.5％。
受惠蘋果最新iPhone發(fā)表日近，帶動(dòng)其自主芯片備貨動(dòng)能強(qiáng)勁，成為第三季全球7納米智能手機(jī)AP出貨比重快速拉升主因。非蘋陣營由華為海思領(lǐng)軍，旗下首款7納米AP麒麟980將搭載于華為旗艦機(jī)種Mate 20系列，同步推升7納米AP出貨量。
高通、三星7納米及同級(jí)制程AP進(jìn)度預(yù)計(jì)于第四季啟動(dòng)備貨周期，明年第一季搭載之終端手機(jī)才會(huì)亮相。DIGITIMES Research預(yù)估，因主要業(yè)者產(chǎn)品到位，全球7納米智能手機(jī)AP出貨比重將于第四季進(jìn)一步抬升至18.3％，超越10納米制程。
DIGITIMES Research的IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)分析師胡明杰表示，日前臺(tái)積電雖遭受機(jī)臺(tái)中毒影響，損失部份應(yīng)有產(chǎn)能，其中包含7納米制程智能手機(jī)AP，然臺(tái)積電緊急應(yīng)變及資源調(diào)配得當(dāng)，預(yù)估第4季7納米制程比重超越10納米趨勢(shì)不變，蘋果及海思仍為7納米AP主要貢獻(xiàn)者。
此外，具人工智能加速器的智能手機(jī)AP出貨比重攀升。DIGITIMES Research預(yù)估第三季搭載AI加速器智能手機(jī)AP出貨比重將上升至29.8％，并于第四季正式突破3成。
目前執(zhí)行AI加速的解決方案主要分為硬件加速與軟件加速兩大陣營。硬件加速以蘋果、海思為代表，在AP中針對(duì)類神經(jīng)網(wǎng)路演算法進(jìn)行硬件客制，及增添硬件NPU（Neural Processing Unit）單元；軟件加速則以高通、聯(lián)發(fā)科為首，以異構(gòu)運(yùn)算的方式在現(xiàn)有或客制化影像處理單元中處理AI任務(wù)。
三大代工廠的7nm進(jìn)展
制程工藝發(fā)展到現(xiàn)在，只有臺(tái)積電、格芯和三星三家進(jìn)入到7nm。而各自也有不同的進(jìn)展和技術(shù)。
臺(tái)積電方面，在今年六月舉辦技術(shù)研討會(huì)，CEO魏哲家表示7nm制程的芯片已經(jīng)開始量產(chǎn)。他表示，7nm的量產(chǎn)將使臺(tái)積電12寸晶圓的總產(chǎn)能達(dá)到120萬片，比2017年的105萬片提升9%。雖然沒有詳細(xì)說明具體的7nm訂單和客戶，但他表示到2018年底將有超過50個(gè)產(chǎn)品完成設(shè)計(jì)定案（Tape out）。其中，AI芯片、GPU和礦機(jī)芯片占了大部分的產(chǎn)能，其次是5G和應(yīng)用處理器（AP）。
據(jù)報(bào)道，與16nm工藝相比，臺(tái)積電7nm工藝的性能將提升35%，或者功耗降低65%，芯片密度達(dá)到3倍水平。
臺(tái)積電的第一代7nm工藝沒有使用EUV光刻工藝，N7+節(jié)點(diǎn)才會(huì)用上EUV光刻機(jī)，不過這個(gè)是制造過程的改變，N7+工藝的性能沒什么變化，晶體管密度提升大概20%，功耗降低10%。
此外，N7+工藝雖然目前的良率不錯(cuò)，但是還有一些關(guān)鍵單元要到今年底或者明年初才能搞定，完整用于N7+工藝的EDA工具大概要等到8月份。
來到格芯，該公司CTO Gary Patton最近表示，GF公司也會(huì)在2018年底推出7nm工藝，2019年大規(guī)模量產(chǎn)。GF的7nm處理器是他們自己開發(fā)的，高性能處理器頻率可上5GHz，這對(duì)AMD來說是件好事。
根據(jù)格芯公布的數(shù)據(jù)，他們的7nm工藝相比14nm工藝可以在同樣的功耗下提升40%以上的性能，或者同樣的性能下減少60%的功耗，同時(shí)在核心成本上低了30%。
至于三星方面，他們?cè)诩夹g(shù)論壇上面表示，其7nm EUV工藝的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)將在年底啟動(dòng)?？紤]到風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)到最終量產(chǎn)大約要維持1年的時(shí)間，所以年底和明年初的Exynos和驍龍芯片將暫時(shí)無緣7nm EUV。
三星的7nm EUV（極紫外光刻），就是使用波長13.5nm的紫外線（波長范圍是10~400nm）取代現(xiàn)在的193nm ArF（氟化氬）浸沒式光刻，從而使得晶體管更加精密。據(jù)透露，三星7nm EUV的柵極間距是54nm，鰭片間距是27nm，前者居然只是Intel 10nm的水平。三星稱，新工藝晶體管的性能將比去年首秀時(shí)最多提升20%，功耗最多下降50%。