在10月11日召開的紀念集成電路發(fā)明60周年學(xué)術(shù)會議上，中科院院士、國家自然科學(xué)基金委員會信息科學(xué)部主任、西安電子科學(xué)科技大學(xué)教授郝躍介紹了以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體（也稱寬禁帶半導(dǎo)體）的發(fā)展和市場應(yīng)用情況。郝躍認為，在第三代半導(dǎo)體技術(shù)方面，我國與世界差距不大，關(guān)鍵在于產(chǎn)業(yè)化。此外，郝躍介紹，以5G為代表的下一代移動通訊為未來化合物半導(dǎo)體發(fā)展提供了非常重要的市場。

　　郝躍表示，雖然硅材料占整個半導(dǎo)體材料的90%以上，但是2000年以后發(fā)展起來的寬禁帶和超寬禁帶半導(dǎo)體材料為硅基半導(dǎo)體提供了非常重要的補充。

　　“與硅材料半導(dǎo)體相比，寬禁帶半導(dǎo)體性質(zhì)更接近絕緣體，在適應(yīng)高溫（500℃以上）、高壓（600V-1000V）、高頻、高電流密度場景及低損耗方面具有明顯的優(yōu)勢”，郝躍表示，目前寬禁帶半導(dǎo)體主要應(yīng)用于衛(wèi)星、高鐵、雷達、發(fā)電、輸變電、照明等領(lǐng)域。

　　氮化物材料在LED照明方面已經(jīng)取得了巨大成功，郝躍介紹，去年中國LED及燈具產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值超過5000億元人民幣，據(jù)說今年可能達到6000億元甚至6500億元。

　　據(jù)郝躍介紹，寬禁帶半導(dǎo)體具有優(yōu)異的高頻特性，恰恰順應(yīng)5G通信的頻率要求，能廣泛運用在基站、移動射頻、光通信器件中。工信部2017年11月公布我國5G系統(tǒng)頻率使用規(guī)劃，明確了3.3GHz-3.4GHz（原則上限室內(nèi)使用）、3.4GHz-3.6GHz和4.8GHz-5.0GHz頻段作為5G系統(tǒng)的工作頻段。這樣，5G通信時代，射頻元件的接收到發(fā)送基本上皆屬于高頻訊號，需要采用大量化合物半導(dǎo)體元件。

　　根據(jù)Strategic Analytics預(yù)測，2020年化合物半導(dǎo)體的市場規(guī)模將達440億美元，復(fù)合年增率達12.9%，增速大幅超過整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

　　三安光電是我國LED芯片龍頭，從2014年起，公司重點布局化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，同時得到國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的支持，建設(shè)力度不斷加大。目前三安光電布局的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)包含了射頻功率放大器芯片（PA）、電力電子、光通訊、濾波器等方面的芯片業(yè)務(wù)。2017年公司已布局完成6寸的砷化鎵和氮化鎵部分產(chǎn)線，產(chǎn)品獲得部分客戶認證通過并進入小量產(chǎn)階段，產(chǎn)量逐月累加。