美國《財富》雜志評選出了15家將改變世界的公司，這些公司的共同特點(diǎn)就是改變了各自領(lǐng)域的游戲規(guī)則，可能將會顛覆現(xiàn)有的產(chǎn)業(yè)，并帶來新的機(jī)遇，半導(dǎo)體行業(yè)的入榜的是一家叫科銳（CREE）的美國企業(yè)。

科銳成立于1987年，是美國上市公司，為全球LED外延、芯片、封裝、LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者。

不允許被收購的公司“你們已經(jīng)取得了驚人的成就，正在引領(lǐng)一場清潔能源的革命?！边@是2011年美國總統(tǒng)奧巴馬在科銳公司演講時重點(diǎn)提到的一句話。作為碳化硅（SiC）半導(dǎo)體全球研發(fā)的領(lǐng)先者，科銳的產(chǎn)品在電力電子、光電子等領(lǐng)域都已經(jīng)廣泛應(yīng)用，不論是新能源汽車還是智能電網(wǎng)，這個國家最尖端的關(guān)鍵設(shè)備上都有碳化硅的影子。身為美國總統(tǒng)的奧巴馬曾經(jīng)三年到訪科銳公司兩次，足見美國政府對科銳的重視。

2016年7月15日，英飛凌宣布將以8．5億美元的現(xiàn)金收購Cree科銳旗下的Wolfspeed公司，消息放出之后，業(yè)界驚呼英飛凌的商業(yè)帝國越來越大，今后碳化硅（SiC）也是其一家獨(dú)大，關(guān)鍵時刻特朗普拒絕了英飛凌的收購才穩(wěn)定了軍心，特朗普給出的原因很簡單也很耳熟，Cree射頻關(guān)乎國家安全，不能賣給德國的英飛凌，美國政府的反對讓這次收購沒能進(jìn)行下去。

到了2018年3月，科銳反過來收購了英飛凌的射頻半導(dǎo)體部門，這一次美國政府沒有阻攔。在這起收購消息發(fā)出的前幾天，科銳和英飛凌簽署一份碳化硅（SiC）晶圓長期供貨戰(zhàn)略協(xié)議，協(xié)議的內(nèi)容就是科銳將向英飛凌長期供應(yīng)150mm碳化硅晶圓（即6英寸晶圓）。

對于英飛凌來說，通過這個協(xié)議的簽訂，英飛凌由此能夠拓展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品范疇，滿足諸如光伏逆變器和電動汽車等快速增長市場的需求。有了科銳保證供應(yīng)功率半導(dǎo)體所必須的原材料，為了省事兒就可以毫無壓力的賣掉自己的原材料業(yè)務(wù)，將精力轉(zhuǎn)移到終端器件的開發(fā)上。對于科銳來說，這次收購強(qiáng)化了自己在射頻GaN on－SiC技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，并提供了進(jìn)入更多市場、客戶和包裝技術(shù)的機(jī)會。

絕對的領(lǐng)導(dǎo)地位回顧科銳的成長歷程，就是一部SiC的商用史。1991年發(fā)布了第一片商用的SiC襯底材料；1998年推出了首個工業(yè)用的GaN－on－SiC射頻器件；2002年發(fā)布全球首個商用的SiC功率器件；2011年，Cree推出了業(yè)界首款商用碳化硅功率MOSFET；2014年推出首款商用50 A SiC整流器系列；2015年，推出業(yè)界首款900V MOSFET平臺，2018年，科銳旗下Wolfspeed推出了E－系列碳化硅半導(dǎo)體器件，是首個實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)且通過AEC－Q101認(rèn)證和符合PPAP要求的SiC MOSFET與二極管產(chǎn)品家族。

2018財年科銳的總收入為15億美元，毛利為4．08億美元，毛利率27．3％，研發(fā)費(fèi)用增加至1．643億美元，值得注意的是艾睿電子長期以來都占了科銳綜合收入的10％以上，2018年艾睿電子占其合并總收入的13％。

截至2018年6月24日，科銳擁有2249項美國專利和3261項外國專利的獨(dú)家授權(quán)方，這些專利的有效期可延長至2041年。強(qiáng)大的技術(shù)的背后自然贏得市場的關(guān)注，同時也會有巨大的需求，科銳將多數(shù)半導(dǎo)體巨頭都變成了其客戶。 科銳的大牛客戶們科銳的客戶們都非等閑之輩，不僅有像英飛凌，意法半導(dǎo)體這樣的半導(dǎo)體巨頭，還有大眾集團(tuán)這種汽車領(lǐng)域大牛。在過去的一年半里，科銳陸續(xù)簽署了四份碳化硅（SiC）材料的長期供貨協(xié)議。

2019年1月，科銳與意法半導(dǎo)體簽署長期供貨協(xié)議，科銳將向意法半導(dǎo)體供應(yīng)價值2．5億美元Cree先進(jìn)的150mm碳化硅裸晶圓和外延晶圓。ST是目前唯一一家量產(chǎn)汽車及碳化硅器件的半導(dǎo)體公司，科銳此舉牢牢的將SiC業(yè)務(wù)與汽車半導(dǎo)體鎖在一起，并取得首先進(jìn)入市場的先機(jī)，對推動SiC在汽車和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用普及大有裨益。

2019年5月，科銳（Cree）成為大眾集團(tuán)FAST項目碳化硅（SiC）獨(dú)家合作伙伴，大眾汽車集團(tuán)計劃在未來10年發(fā)布近70款新電動車型，而此前只是計劃50款。預(yù)計在未來10年，基于大眾汽車集團(tuán)電動汽車平臺生產(chǎn)的汽車數(shù)量將從1500萬輛增加至2200萬輛。大眾汽車集團(tuán)和科銳將構(gòu)建一級緊密合作，通過功率模塊供應(yīng)，為未來的大眾汽車集團(tuán)汽車提供SiC碳化硅基解決方案。科銳成為大眾的一級供應(yīng)商有助于加速碳化硅基IGBT模塊／單管在新能源汽車中的加速普及。

2019年8月，科銳再與安森美簽署多年期協(xié)議，科銳將為安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片，科銳此舉再次加強(qiáng)自己在汽車半導(dǎo)體的話語權(quán)。

在強(qiáng)大的需求的推動下，2019年5月7日，美國科銳（Cree）宣布了一項公司迄今為止最大的投資項目——將在5年內(nèi)投資10億美元用于擴(kuò)大碳化硅晶圓產(chǎn)能。該項目包括在美國總部的達(dá)勒姆市建造一個自動化的200mm碳化硅晶圓（即8英寸晶圓）工廠（投資4．5億美元）和一個材料超級工廠（投資4．5億美元），其余1億美元用于伴隨業(yè)務(wù)增長所需要的其他投入。

廣闊的市場前景95％以上的半導(dǎo)體器件和99％以上的集成電路都是由硅（Si）材料制作。但近百年的洗禮，曾經(jīng)的工業(yè)“中流砥柱”硅材料逐漸無法滿足高溫、高壓、抗輻射等方面要求，而碳化硅半導(dǎo)體材料便是繼硅（Si）、砷化鎵（GaAs）之后最為成熟的第三代半導(dǎo)體材料。碳化硅單晶材料在多領(lǐng)域的應(yīng)用可以實現(xiàn)50％以上的節(jié)能效果，可以使裝備體積減小75％。 根據(jù)Yole的統(tǒng)計，2017年全球SiC模組市場為2．8億美元，GaN模組的市場規(guī)模約為4000萬美元左右；預(yù)計至2020年，全球SiC模組市場將達(dá)7．8億美元，GaN的模組市場規(guī)模也將擴(kuò)大到1．1億美元左右。

半導(dǎo)體軍備競賽在戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展方興未艾的時代，全球都在期待碳化硅半導(dǎo)體帶來的奇跡。日本認(rèn)為未來50％的節(jié)能要通過它來實現(xiàn)，創(chuàng)造清潔能源的新時代，在2013年就將碳化硅納入“首相戰(zhàn)略”，政府通過資助富士電機(jī)、三菱電機(jī)、同和電子、東京大學(xué)等機(jī)構(gòu)，研發(fā)低成本的SiC電力電子器件和功率模組，應(yīng)用于電動車、鐵路列車等。

美國為了在第三代半導(dǎo)體取得先機(jī)，提升美國在該新興產(chǎn)業(yè)方面的國際競爭力，對以碳化硅半導(dǎo)體為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行著強(qiáng)力的支持，聯(lián)邦和地方政府投入了總計一億四千萬美元的資金支持。美國能源部提出SWITCHES計劃，目的是研制新型寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件結(jié)構(gòu)以及制造工藝，提高能量密度，加快開關(guān)頻率，增強(qiáng)溫度控制，使電力電子技術(shù)的成本更低，效率更高，降低電機(jī)驅(qū)動和電網(wǎng)電能轉(zhuǎn)換等應(yīng)用的能量損耗，使得控制和轉(zhuǎn)換電能的方式發(fā)生重大變革。

歐盟委員會制定了SPEED計劃，聯(lián)合德國、法國、意大利、瑞典和英國圍繞材料、外延、器件、應(yīng)用等SiC全產(chǎn)業(yè)鏈突破SiC器件技術(shù)，發(fā)展下一代SiC基電力電子器件，用于風(fēng)能發(fā)電和新一代固態(tài)變壓器。器件耐壓目標(biāo)是1．7kV和10kV以上。
我國也高度重視和推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展，相繼發(fā)布國家計劃，將先進(jìn)半導(dǎo)體材料的攻克作為戰(zhàn)略重點(diǎn)。目標(biāo)是2025年實現(xiàn)在高效能源管理中國產(chǎn)化率達(dá)到50％；在新能源汽車、消費(fèi)類電子領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模應(yīng)用。

與國際大廠相比，中國大陸的碳化硅功率半導(dǎo)體器件研發(fā)起步晚，于20世紀(jì)末才開始重視SiC的開發(fā)，在技術(shù)上仍有很大差距，不過截至2018年，中國大陸的SiC已經(jīng)形成了相對完整的產(chǎn)業(yè)鏈。

天科合達(dá)天科合達(dá)在國內(nèi)首次建立了完整的碳化硅晶片生產(chǎn)線、實現(xiàn)碳化硅晶體的產(chǎn)業(yè)化，打破了國外長期的技術(shù)封鎖和壟斷，公司是國內(nèi)唯一能夠批量、穩(wěn)定、持續(xù)供應(yīng)工業(yè)級碳化硅襯底的供應(yīng)商，向國內(nèi)60余家科研機(jī)構(gòu)批量供應(yīng)晶片2～6英寸碳化硅單晶襯底。

中國電科中電科旗下2所、13所、55所等均在碳化硅產(chǎn)業(yè)有布局。其中，中電科2所已實現(xiàn)高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產(chǎn)，其產(chǎn)品有N型4H－SiC襯底材料、高純4H－SiC襯底材料。中電科55所是國內(nèi)少數(shù)從4－6寸碳化硅外延生長、芯片設(shè)計與制造、模塊封裝領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)單位，其6英寸碳化硅中試線已投入運(yùn)行。中電科48所成功研制出適用于4－6英寸碳化硅材料及器件制造的高溫高能離子注入機(jī)、單晶生長爐、外延生長爐等關(guān)鍵裝備并實現(xiàn)應(yīng)用，已通過科技部驗收。

揚(yáng)杰科技揚(yáng)杰科技專注于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，現(xiàn)已形成涵蓋功率半導(dǎo)體主要環(huán)節(jié)的完整產(chǎn)業(yè)鏈，盈利能力在國內(nèi)分立器件行業(yè)位于領(lǐng)先地位。已與西安電子科技大學(xué)簽約開展第三代半導(dǎo)體材料與器件的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用研究工作。揚(yáng)杰科技目前已投碳化硅芯片、器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目，提前布局碳化硅產(chǎn)業(yè)，把握行業(yè)發(fā)展先機(jī)。公司積極進(jìn)行碳化硅材料器件開發(fā)，有望受益于行業(yè)發(fā)展紅利，在未來市場競爭中取得先機(jī)。

三安光電三安光電是國內(nèi)運(yùn)用碳化硅材料生產(chǎn)器件的開創(chuàng)性企業(yè)之一。芯片外延工藝積淀加速布局化合物半導(dǎo)體產(chǎn)線。已完成6寸的砷化鎵和氮化鎵部分產(chǎn)線。公司目前在全球擁有五大化合物半導(dǎo)體研發(fā)中心，擁有數(shù)千件從芯片外延制造到全產(chǎn)業(yè)的主流專利積累。產(chǎn)業(yè)化項目主要包括高端氮化鎵及其LED芯片、大功率氮化鎵激光器、射頻、濾波器的研發(fā)與制造等。

三安光電子公司三安集成宣布已完成了商業(yè)版本的6英寸碳化硅晶圓制造技術(shù)的全部工藝鑒定試驗，并將其加入到代工服務(wù)組合中。公司新發(fā)布的碳化硅工藝技術(shù)可以生產(chǎn)肖特基二極管，未來將推出MOSFET產(chǎn)品。