富士通電子元器件(上海)有限公司今日宣布,推出型號為 MB85RS2MTY的 SPI 2Mbit FRAM(注一)。此款容量最高的FRAM產(chǎn)品能在高達(dá)攝氏125度的高溫下正常運(yùn)作,其評測樣品(evaluation sample)現(xiàn)已開始供應(yīng)。
此款FRAM非易失性內(nèi)存在運(yùn)作溫度范圍內(nèi)能保證10兆次讀/寫次數(shù),并支持實(shí)時記錄像駕駛數(shù)據(jù)或定位數(shù)據(jù)等,這類需要持續(xù)且頻繁的數(shù)據(jù)記錄。由于該內(nèi)存屬于非易失性,并且具有高速寫入特點(diǎn),即使遇到突然斷電的狀況,寫入的數(shù)據(jù)也能完整保留不會遺失。因此,這款產(chǎn)品適用于需在高溫環(huán)境下運(yùn)作的應(yīng)用,像是具有會產(chǎn)生大量熱能的引擎或馬達(dá)的汽車設(shè)備與工業(yè)機(jī)器人。
富士通電子在過去約20年量產(chǎn)各種FRAM非易失性內(nèi)存產(chǎn)品,具備比EEPROM及閃存更高的讀∕寫耐久性、高速寫入速度及超低功耗。近幾年來,這些產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于可穿戴裝置、工業(yè)機(jī)器人與無人機(jī)。
這款擁有2Mbit密度的產(chǎn)品采用SPI接口,支持從1.8v至3.6v的寬電壓范圍,且運(yùn)作耐熱度可高達(dá)攝氏125度;即使在這樣的高溫環(huán)境也能保證10兆次的讀∕寫次數(shù),相當(dāng)于EEPROM的一千萬倍;最高運(yùn)作頻率則達(dá)到50 MHz,比現(xiàn)有產(chǎn)品快1.5倍。此外,這些產(chǎn)品的可靠性測試符合AEC-Q100 Grade 1標(biāo)準(zhǔn),達(dá)到被稱為“汽車級”產(chǎn)品的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。
此款FRAM采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)8-pin SOP封裝,使其能輕松取代現(xiàn)有類似腳位的EEPROM產(chǎn)品。此外,也提供擁有8-pin DFN(Dual Flatpack Non-leaded)的封裝。
(富士通供圖)
富士通電子持續(xù)為IC卡、工業(yè)機(jī)械與消費(fèi)性裝置提供數(shù)據(jù)寫入效能高于EEPROM的FRAM產(chǎn)品。能在最高攝氏125度環(huán)境下運(yùn)作的FRAM產(chǎn)品自2017年起就已經(jīng)量產(chǎn),因此這類FRAM逐漸被廣泛應(yīng)用在需要在高溫下維持運(yùn)作與高可靠性的汽車及工業(yè)機(jī)械市場。此次富士通電子研發(fā)并推出最大容量的2 Mbit產(chǎn)品,借此強(qiáng)化可運(yùn)作于高達(dá)125度的FRAM產(chǎn)品陣容。
富士通電子將持續(xù)提供各種FRAM產(chǎn)品與解決方案,協(xié)助客戶提升各類應(yīng)用的價值與便利性。
關(guān)鍵規(guī)格
組件型號:MB85RS2MTY
容量(組態(tài)):2 Mbit(256K x 8位)
接口:SPI(Serial Peripheral Interface)
運(yùn)作頻率:最高50 MHz
運(yùn)作電壓:1.8伏特 - 3.6伏特
運(yùn)作溫度范圍:攝氏零下40度 - 攝氏125度
讀∕寫耐用度:10兆次 (1013次)
封裝規(guī)格:8-pin SOP與8-pin DFN
認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn):符合AEC-Q100 Grade 1
詞匯與備注
FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲存數(shù)據(jù)的內(nèi)存,即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特性,并擁有高速寫入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀/寫周期的優(yōu)點(diǎn)。富士通自1999年即開始生產(chǎn)FRAM,亦稱為FeRAM。