隨著先進(jìn)半導(dǎo)體制程的尺寸不斷微縮，相關(guān)設(shè)備的價(jià)格也變得越來越高昂，各大晶圓廠紛紛加碼資本支出。

臺(tái)積電、英特爾和三星為打造體積更小、效能更強(qiáng)的處理器，紛紛導(dǎo)入極紫外光（EUV）技術(shù)，相關(guān)設(shè)備極其昂貴，3 家大廠資本支出直線攀升，ASML 等設(shè)備廠則成為受益者。

華爾街日?qǐng)?bào)報(bào)導(dǎo)，晶圓代工大廠以最新制程挑戰(zhàn)物理極限，需要 EUV 微影技術(shù)當(dāng)幫手。與常用光源相比，采用 EUV 的系統(tǒng)能讓芯片電路更加微縮，但先進(jìn)晶圓廠建造成本也跟著水漲船高，臺(tái)積電兩年前宣布的新廠建造費(fèi)用達(dá) 200 億美元。

關(guān)鍵在于 EUV 光刻設(shè)備價(jià)格高昂。ASML 公布，第 3 季光售出 7 套 EUV 系統(tǒng)就進(jìn)帳 7．43 億歐元，等于每套系統(tǒng)要價(jià)超過 1 億歐元（約新臺(tái)幣 33．68 億元）。這還不含半導(dǎo)體制程控管與測(cè)試設(shè)備成本。

臺(tái)積電深耕晶圓代工先進(jìn)制程，10 月表示強(qiáng)效版 7nm 制程導(dǎo)入 EUV 技術(shù)，今年第 2 季開始量產(chǎn)，良率已相當(dāng)接近 7nm 制程；6nm 制程預(yù)計(jì)明年第 1 季試產(chǎn)，并于明年底前進(jìn)入量產(chǎn)。

與此同時(shí)，晶圓代工龍頭廠商資本支出大增成為趨勢(shì)。

臺(tái)積電 10 月宣布今年資本支出達(dá) 140 億至 150 億美元，高于原先設(shè)定目標(biāo)近 40％。英特爾（Intel）隨后宣布加碼 3％，今年資本支出目標(biāo)達(dá) 160 億美元，創(chuàng)公司成立以來新高，比兩年前高出 36％。三星（Samsung）上周宣布，今年半導(dǎo)體事業(yè)資本支出約 200 億美元。

三星公布的金額略少于去年，但業(yè)界分析師預(yù)期，三星今年大幅減少投資存儲(chǔ)器生產(chǎn)，以便將更多資源投入次世代晶圓代工廠。

在 EUV 技術(shù)帶動(dòng)下，半導(dǎo)體設(shè)備廠獲益良多。ASML 第 3 季接獲 23 套 EUV 系統(tǒng)訂單，創(chuàng)單季訂單金額新高；半導(dǎo)體制程控管設(shè)備制造商科磊（KLA－Tencor）上周公布，會(huì)計(jì)年度第 1 季營(yíng)收年增率達(dá) 29 ％，并表示 EUV 投資是業(yè)績(jī)成長(zhǎng)主要?jiǎng)幽堋?/p>

今年以來，ASML 與科磊股價(jià)漲幅分別達(dá) 76％、94％。報(bào)導(dǎo)指出，明年 EUV 需求預(yù)料更加旺盛，半導(dǎo)體設(shè)備廠前景一片光明。