HBM2E堆疊了八個(gè)16Gb DRAM芯片，以實(shí)現(xiàn)16GB的封裝容量，并確保3.2Gbps的穩(wěn)定數(shù)據(jù)傳輸速度。全球先進(jìn)存儲(chǔ)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者三星電子宣布，其第三代高帶寬存儲(chǔ)器2E（HBM2E）進(jìn)入市場(chǎng)“ Flashbolt”。新型16 GB（GB）HBM2E特別適用于最大化高性能計(jì)算（HPC）系統(tǒng)，并幫助系統(tǒng)制造商及時(shí)改進(jìn)其超級(jí)計(jì)算機(jī)，AI驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)分析和最新的圖形系統(tǒng)。

三星內(nèi)存銷售與市場(chǎng)營銷執(zhí)行副總裁Cheol Choi表示：“隨著當(dāng)今市場(chǎng)上性能最高的DRAM的推出，我們正在邁出關(guān)鍵的一步，以增強(qiáng)我們?cè)诳焖僭鲩L的高端內(nèi)存市場(chǎng)中作為領(lǐng)先創(chuàng)新者的作用?！彪娮赢a(chǎn)品?！半S著我們鞏固在全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)，三星將繼續(xù)履行其帶來真正差異化解決方案的承諾。”

新型Flashbolt準(zhǔn)備提供前一代8GB HBM2“ Aquabolt”容量的兩倍，還可以顯著提高性能和電源效率，從而顯著改善下一代計(jì)算系統(tǒng)。通過在緩沖芯片頂部垂直堆疊八層10nm級(jí)（1y）16千兆位（Gb）DRAM裸片來實(shí)現(xiàn)16GB的容量。然后，該HBM2E封裝以40,000多個(gè)“直通硅通孔”（TSV）微型凸塊的精確排列進(jìn)行互連，每個(gè)16Gb裸片均包含5,600多個(gè)此類微小孔。

三星的Flashbolt通過利用專有的優(yōu)化電路設(shè)計(jì)進(jìn)行信號(hào)傳輸，提供了每秒3.2吉比特（Gbps）的高度可靠的數(shù)據(jù)傳輸速度，同時(shí)每個(gè)堆棧提供410GB / s的內(nèi)存帶寬。三星的HBM2E還可以達(dá)到4.2Gbps的傳輸速度，這是迄今為止最大的測(cè)試數(shù)據(jù)速率，在某些將來的應(yīng)用中，每個(gè)堆棧的帶寬高達(dá)538GB / s。這將比Aquabolt的307GB /秒提高1.75倍。

三星預(yù)計(jì)將在今年上半年開始量產(chǎn)。該公司將繼續(xù)提供其第二代Aquabolt產(chǎn)品陣容，同時(shí)擴(kuò)展其第三代Flashbolt產(chǎn)品，并將在整個(gè)高端存儲(chǔ)器市場(chǎng)加速向HBM解決方案的過渡時(shí)，進(jìn)一步加強(qiáng)與下一代系統(tǒng)中生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴的合作。