【2020年2月18日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）通過(guò)專注于解決當(dāng)前電源管理設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)，來(lái)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進(jìn)?！霸礃O底置”是符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的全新封裝概念。英飛凌已推出第一批基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS   25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹(shù)立了新的行業(yè)標(biāo)桿，不僅通態(tài)電阻（RDS(on)）降低，還具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo)。該產(chǎn)品適合的應(yīng)用非常廣泛，包括馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、SMPS（包括服務(wù)器、電信 和電池管理等等。

　　新封裝概念將源極（而非傳統(tǒng)的漏極）與導(dǎo)熱墊相連。除了實(shí)現(xiàn)新的PCB布局，這還有助于實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和性能。目前推出的兩個(gè)型號(hào)占板面積不同，它們分別是：源極底置，標(biāo)準(zhǔn)門極布局的PQFN 3.3x3.3 mm封裝；及源極底置，門極居中的PQFN 3.3x3.3 mm封裝。源極底置，標(biāo)準(zhǔn)門極布局的封裝是基于當(dāng)前的PQFN 3.3x3.3 mm引腳分配布局。電氣連接的位置保持不變，方便將如今標(biāo)準(zhǔn)的漏極底置封裝簡(jiǎn)單直接地替換成新的源極底置封裝。在門極居中的封裝中，門極引腳被移到中心位置以便于多個(gè)MOSFET并聯(lián)。由于漏-源極爬電距離增大，多個(gè)器件的門極可以連接到同一層PCB上。此外，將門極接口移到中心位置還能使源極面積增大，從而改進(jìn)器件的電氣連接。

　　這一技術(shù)創(chuàng)新可使RDS(on)相比現(xiàn)有技術(shù)大幅減小，減幅最高達(dá)到30%。相比現(xiàn)有的PQFN封裝，結(jié)-殼熱阻（RthJC）也得到大幅改進(jìn)。由于寄生效應(yīng)降低，PCB損耗改進(jìn)，以及熱性能優(yōu)異，新封裝概念可為任何當(dāng)代的工程設(shè)計(jì)帶來(lái)巨大的附加價(jià)值。

　　供貨情況

　　基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的兩種OptiMOS  源極底置25 V功率MOSFET現(xiàn)在都能供貨。