威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。

　　SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低導通電阻(RDS(ON))，可以最大限度地降低傳導損耗。此外，該器件具有680pF的低輸出電容(Coss)和28.7nC的優(yōu)化柵極電荷(Qg)，減少了與開關相關的功率損耗。

　　與采用6x5mm封裝的相似解決方案相比，TrenchFET Gen IV功率MOSFET占用的印刷電路板(PCB)空間減少了65%，從而實現了更高的功率密度。它們通過了100%的RG和UIS測試，符合RoHS要求且不含鹵素。

　　這款N-Channel MOSFET的應用包括AC/DC電源中的同步整流；面向電信、服務器和醫(yī)療設備的DC/ DC轉換器中的初級和次級側開關；用于服務器和電信設備中電壓調節(jié)的半橋功率級和降壓-升壓轉換器；電信和服務器電源中的OR-ing功能；用于開關電容器或開關柜轉換器的功率級；電動工具和工業(yè)設備中的電動機驅動控制；以及電池管理模塊中的電池保護和充電。