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三星6nm、7nm芯片開啟量產(chǎn),下一步是突破3nm壁壘?

2020-02-22
來源:與非網(wǎng)

  根據(jù)三星的計劃,到 2020 年底,V1 生產(chǎn)線的累計總投資將達到 60 億美元,預計 7nm 及以下工藝節(jié)點的總產(chǎn)能將比 2019 年增長三倍,目前的計劃是在第一季度開始交付其基于 6nm 和 7nm 的移動芯片。

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  據(jù)了解,V1 生產(chǎn)線于 2018 年 2 月破土動工,并于 2019 年下半年開始測試晶圓生產(chǎn),其第一批產(chǎn)品將于今年第一季度交付給客戶。

  三星于 2018 年 5 月開啟了 7nm 芯片的里程碑,并于 2019 年 8 月推出了基于 7nm EUV 工藝構(gòu)建的 Exynos 9825 芯片組,即韓版 Galaxy Note10 上的那款處理器。

  展望未來,三星將專注于其 4nm 和 5nm 芯片開發(fā),并著眼于在未來幾年內(nèi)突破 3nm 的壁壘。

  據(jù)了解,隨著 V1 生產(chǎn)線的投入使用,三星現(xiàn)在在韓國和美國共有 6 條生產(chǎn)線,其中 5 條位于韓國,1 條位于美國(德克薩斯州奧斯?。?,后者為高通公司,英特爾和英偉達等提供服務。

  此外,三星工廠到今年年底將獲得的總投資估計約為 60 億美元。這也將導致生產(chǎn)線的產(chǎn)能增加到去年的三倍。同樣,其其他制造設施(如 S1,S3)也能夠合成目前需求量很大的 10nm 以下的晶圓。

  根據(jù)計劃,133 萬億韓元的投資中有 73 萬億韓元是技術研發(fā)費用,60 萬億韓元是建設晶圓廠基礎設施,預計會創(chuàng)造 1.5 萬個就業(yè)機會,而三星的目標是在 2030 年時不僅保持存儲芯片的領先,還要在邏輯芯片成為領導者。

  據(jù)三星稱,EUV 光刻工藝是其背后的技術,對于在晶圓上創(chuàng)建更復雜的圖案至關重要。此外,采用這種先進工藝制造的芯片將可滿足多種不同目的,例如 5G 網(wǎng)絡,人工智能等。截至目前,該公司擁有六條這樣的生產(chǎn)線,已經(jīng)從高通,百度,NVIDIA 甚至英特爾等行業(yè)巨頭那里獲得了訂單。


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